电容的选择
C=(2.5-5)×10的负8次方×If
If=0.367Id
Id-直流电流值
如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)
可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=12.5-25uF
选用25uF,1kv 的电容器
电阻的选择:
R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56
选择10欧
PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2
Pfv=2u(1.5-2.0)
u=三相电压的有效值
阻容吸收回路在实际应用中,RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。
小功率负载通常取2毫秒左右,R=220欧姆1W,C=0.01微法400~630V。
大功率负载通常取10毫秒,R=10欧姆10W,C=1微法630~1000V。
R的选取:小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻;大功率选RX21线绕或水泥电阻。
C的选取:CBB系列相应耐压的无极性电容器。
看保护对象来区分:接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴;接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。2100433B