电容的选择

C=(2.5-5)×10的负8次方×If

If=0.367Id

Id-直流电流值

如果整流侧采用500A的晶闸管(可控硅)

可以计算C=(2.5-5)×10的负8次方×500=12.5-25uF

选用25uF，1kv 的电容器

电阻的选择：

R=((2-4) ×535)/If=2.14-8.56

选择10欧

PR=(1.5×(pfv×2πfc)的平方×10的负12次方×R)2

Pfv=2u(1.5-2.0)

u=三相电压的有效值

阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒。

小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆1W，C=0.01微法400~630V。

大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆10W，C=1微法630~1000V。

R的选取：小功率选金属膜或RX21线绕或水泥电阻；大功率选RX21线绕或水泥电阻。

C的选取：CBB系列相应耐压的无极性电容器。

看保护对象来区分：接触器线圈的阻尼吸收和小于10A电流的可控硅的阻尼吸收列入小功率范畴；接触器触点和大于10A以上的可控硅的阻尼吸收列入大功率范畴。2100433B