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激光光刻技术特点

2022/07/16141 作者:佚名
导读:半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高的要求,在单位面积上要求完善传递图像的信息量已接近常规光学的极限。光刻曝光的常用波长是3650~4358埃,预计实用分辨率约为1微米。几何光学的原理,允许将波长向下延伸至约2000埃的远紫外波长,此时可达到的实用分辨率约为0.5~0.7微米。微米级图形的光复印技术除要求先进的曝光系统外,对抗蚀剂的特性、成膜技术、显影技术、超净环境控制技术、刻蚀技术、

半导体器件和集成电路对光刻曝光技术提出了越来越高的要求,在单位面积上要求完善传递图像的信息量已接近常规光学的极限。光刻曝光的常用波长是3650~4358埃,预计实用分辨率约为1微米。几何光学的原理,允许将波长向下延伸至约2000埃的远紫外波长,此时可达到的实用分辨率约为0.5~0.7微米。微米级图形的光复印技术除要求先进的曝光系统外,对抗蚀剂的特性、成膜技术、显影技术、超净环境控制技术、刻蚀技术、硅片平整度、变形控制技术等也有极高的要求。因此,工艺过程的自动化和数学模型化是两个重要的研究方向。2100433B

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