太平洋时间2012年7月25日镁光科技在位于美国爱达荷州的总部宣布，公司已经开始量产面向移动设备领域的相变内存（Phase Change Memory，简称PCM） 。
目前量产的产品使用45nm制程工艺，规格为1个1Gbit的PCM颗粒与1个512Mbit的LPDDR2 DRAM组成堆叠封装。目前镁光该45nm PCM解决方案主要面向功能型手机市场，未来计划扩展到智能手机和平板电脑领域。
作为镁光最亲密的合作伙伴，Intel也表明了力挺态度。Intel移动通信事业群组副总裁Stefan Butz称该公司一项站在技术的最先端，在镁光的PCM技术上看到了广阔的前景和价值。
根据PCM的技术特点，使用这种存储方案的设备将拥有更短的启动时间，更低的功耗=更长的续航以及更强的耐用性。由于PCM断电后不丢失数据的特性，实际上除辅助DRAM作为内存之外还可替代NOR/NAND闪存的作用。
