碲化镉作为一种重要的Ⅱ—Ⅵ族化合物半导体材料，晶体结构为闪锌矿型。具有直接跃迁型能带结构，晶格常数0.6481nm，禁带宽度1.5eV(25℃)，室温电子迁移率1050Cm²/(V s)，室温空穴迁移率80Cm^2/(V s)，电子有效质量0.096。

CdTe可以通过掺入不同杂质来获取n型或p型半导体材料。当用In取代Cd的位置，便形成n型半导体。当用Cu、Ag、Au取代Cd的位置，形成p型半导体。对于CdTe单晶，10¹⁷ cm^-3的掺杂浓度是可以得到的，更高浓度的掺杂以及精确控制掺杂浓度比较困难，特别是p型掺杂，杂质在CdTe晶体中的溶解度极低。

CdTe具有很高的光吸收系数（>5×10⁵/cm），仅仅2 μm厚度的CdTe薄膜，在标准AM1.5条件下光学吸收率超过90%，最高理论转换效率高达28%。

Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料是重要的半导体材料，至今难以制成大直径体单晶，许多材料多作成外延薄膜。已获重要应用的有碲化镉、硫化镉、硒化锌、硫化锌以及本族的固溶半导体材料碲镉汞(Hg_1-xCd_xTe)等。