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本项目将研究多层场介质、掺杂场介质和不同氧化方式制备的场介质的辐照电荷产生机理、场阈值电压漂移及漏电的辐照规律，在提高场介质本身总剂量加固能力的基础上，开发一种适用于大规模、超大规模CMOS集成电路和高速CMOS集成电路 的场区总剂量加固技术，本项目的研究成功将为研制应用于卫星及航天飞行系统中的集成电路开壁广阔的前景。
