JFET的特点是：
是电压控制器件，则不需要大的信号功率。
是多数载流子导电的器件，是所谓单极晶体管，则无少子存储与扩散问题，速度高，噪音系数低；而且漏极电流Ids的温度关系决定于载流子迁移率的温度关系，则电流具有负的温度系数，器件具有自我保护的功能。
输入端是反偏的p-n结, 则输入阻抗大, 便于匹配。
输出阻抗也很大, 呈现为恒流源，这与BJT大致相同。
JFET一般是耗尽型的，但若采用高阻衬底, 也可得到增强型JFET(增强型JFET在高速、低功耗电路中很有应用价值)；但是一般只有短沟道的JFET才是能很好工作的增强型器件。实际上，静电感应晶体管也就是一种短沟道的JFET。
沟道是处在半导体内部，则沟道中的载流子不受半导体表面的影响，因此迁移率较高、噪声较低。
