《超宽带双频合路器》超宽带双频合路器主要用于对2G和3G信号进行合路，具体参阅图2所示的实物产品。

图2中，合路器整体为一箱体，由本体6、盖板2和盖体4共同组成。

本体6的左侧边设置第一端口Port2和第二端口Port3，分别用于接收806-960兆赫和1710-2170兆赫的射频信号，本体6右侧边则设置合路端口Port1，合路端口Port1可输出第一和第二端口（Port2和Port3）合成后的射频信号，或输入信号分路到第一或第二端口（Port2和Port3）。

本体6上集成了两个射频通路，即第一射频通路和第二射频通路，第一射频通路由第一端口Port2、第一隔直电容（图中未示出，可参阅第三隔直电容68），同轴谐振子带通滤波器（610和611）、第三隔直电容68、合路端口依次电性连接组成；第二射频通路则由第二端口Port3、第二隔直电容（图中未示出，可参阅第三隔直电容68），同轴谐振子带通滤波器（620和621）、第三隔直电容68、合路端口依次电性连接组成。

可见，每个射频通路均包括有同轴谐振子带通滤波器（610和611；620和621），并且还共同包括所述第三隔直电容68。

每个同轴谐振子带通滤波器（610和611；620和621）均包括同轴腔体610，620和若干谐振柱611，621，如图2所示，本体6中部形成的空腔被一金属板分隔为两个同轴腔体610，620，对应第一射频通路为第一同轴腔体610，对应第二射频通路则为第二同轴腔体620。金属板63的分隔使第一和第二射频通路具有更高的隔离度。第一同轴腔体610中，顺次并排设置有5根谐振柱611，其中，邻近第一端口Port2的谐振柱通过导线与第一隔直电容（参阅68）进而与第一端口Port2电性连接，另外远端的最后一根谐振柱则通过导线671与所述第三隔直电容68电性连接。同理，第二同轴腔体620顺次并排设置6个谐振柱621，其邻近第二端口Port3的谐振柱通过导线与第二隔直电容（参阅68）进而与第二端口Port3电性连接，另外一端的谐振柱同样通过导线672与所述第三隔直电容68电性连接。

所述两个同轴谐振子带通滤波器（610和611；620和621）之间的金属板63并未完全隔断两个同轴腔体610，620的联系。

所述第一、第二以及第三隔直电容，其结构均同第三隔直电容68，第三隔直电容68具体包括内导体683、绝缘体682和套筒681，绝缘体682套设在内导体683外围，套筒681则套设在绝缘体682外围，绝缘体682用介质薄膜实现。所述套筒681同时与所述第一和第二同轴谐振子带通滤波器（610和611；620和621）的最后一根谐振柱电性连接，所述内导体683则直接连接至合路端口Port1。如此，套筒681与内导体683之间可由绝缘体682绝缘，形成分布参数式电容，对于两个射频通路而言，射频信号通过内导体683与套筒681间的耦合实现信号的传输，而直流电流不能通过套筒681，这样就实现了射频通路隔断直流电流的作用。

如前所述，第一和第二隔直电容采用如第三隔直电容68相同的结构，但第一隔直电容的套筒（未图示）仅与第一同轴谐振子带通滤波器的与第二隔直电容相邻近的第一根谐振柱相连接，第二隔直电容的套筒（未图示）则与第二同轴谐振子带通滤波器的与第二隔直电容相邻近的第一根谐振柱相连接。

所述各隔直电容的内导体自各端口Port1，Port2，Port3引出，因此，自然与各端口电性连接。

所述盖板2上固定有一印刷电路板，印刷了如图6所示的电路，盖板2刚好覆盖住本体6的两个同轴腔体610，620上表面。关于双频合成器的直流通路已为公知技术，在此仅简单概括如下：

结合图1和图6，盖板2上集成了两个直流通路，即第一直流通路和第二直流通路，直流通路主要由低通滤波器201，202，203、开关、防雷器件205等组成。第一/第二直流通路自第一/第二端口Port2/Port3接出信号后，通过第一/第二低通滤波器202/203进行滤波后，进行合成，并输出至第三低通滤波器201，再输出至合路端口Port1。低通滤波器201，202，203的作用主要用于抑制高频信号而让低于3兆赫的控制信号通过。此外，可以依据需要在两个直流通路中设置开关，用于选择是否需要直流电通过；还可以设置放电管之类的防雷器件205。

图6的印刷电路图中示出了3个低通滤波器201，202，203的接入点281，282，283，而所述3个低通滤波器201，202，203均独立设置在3个支撑件上。如图1中所示，靠近各个端口Port1，Port2，Port3，在两个同轴腔体610，620的开口上缘，分别设置所述3个支撑件，每个支撑件上均设置有所述低通滤波器201，202，203。

所述低通滤波器201，202，203一端接与其相邻近的端口Port1，Port2，Port3的隔直电容，具体而言，第三低通滤波器201的该端与第三隔直电容68的内导体683电性连接，第一低通滤波器202的该端与第一隔直电容（未图示）的内导体电性连接，第二低通滤波器203的该端则与第二隔直电容（未图示）的内导体电性连接。低通滤波器201，202，203的另一端则预留有与图6所示印刷电路图中接入点281，282，283相接触的触点26，而盖板2上设有对应3个触点26的3个开孔，如此，盖板2的3个开孔套入3个触点26，便可实现盖板2与本体6的固设，此时，图6所示印刷电路的3个接入点281，282，283刚好与3个支撑件上的3个低通滤波器201，202，203的触点26接合，也使低通滤波器201，202，203成功接入所属的直流通路，盖板与支撑件上表面预留不小于0.2毫米的间隙，可保证射频信号的良好电性能。

所述开关采用焊接到电路上的磁珠208实现，用于抑制高频信号，去掉磁珠208即可断开前后的连接，置入磁珠208则可恢复电路。

如图2所示，所述第三低通滤波器201是通过导线272与所述第三隔直电容68的内导体683连接后与合路端口Port1实现电性连接的，第二、第三低通滤波器202，203也同理。如此便巧妙实现了直流通路与射频通路共同接入合路端口Port1的技术问题。

再如图1所示，盖板2两侧对应本体6的两个同轴谐振子带通滤波器（610和611；620和621）还设置了若干调谐螺杆69，对应第一同轴谐振子带通滤波器（610和611）的一侧设置9个调谐螺杆69，另一侧设置11个。调谐螺杆69穿过所述盖板2，当盖板2与本体6固设时可深入两个同轴腔体610，620的内部，主要用于调节两个同轴谐振子带通滤波器（610和611；620和621）的谐振子的谐振频率和耦合量。

参阅图4，是图1中第一同轴谐振子带通滤波器（610和611）的纵中剖视示意图，属于第一端口Port2至合路端口Port1之间的第一射频通路，为了实现谐振柱611之间的强耦合，相邻两个谐振柱611之间还设有脊柱616，各脊柱616的高度不等，可视实际情况进行调节，而且，谐振柱611顶部还加设圆盘，谐振柱与盖板2间留有适当间隙，以不小于1.5毫米为宜。这些措施是为了使谐振柱611工作在806-960兆赫范围的同时，同轴腔体的尺寸尽可能小。

参阅图5，图5是图1中第二同轴谐振器（620和621）的纵中剖视示意图，属于第二端口Port3至合路端口Port1之间的第二射频通路，同理，各谐振柱621之间也加设有不同高度的脊柱626以实现谐振柱621之间的强耦合，通带频率为1710-2170兆赫。

参阅图2，该图还示出了所述盖体4，该盖体4用于与本体6相盖合，对内部零件进行保护，其周边可加盖胶圈，以便增强其防水性能，保护内部电路。在该盖板2表面还设有通孔，并在该通孔上设置戈尔透气膜40，用于保持本体6内外的压力平衡。

此外，所述两个同轴腔体610，620内表面镀银，可以减小了射频信号在传输过程中的衰减，使通带内信号的插入损耗小于0.2分贝。