电荷注入检测器（charge injection device ），属一种光学传感器，简称CID。
一种光学传感器
charge injection device （CID） sensor
CID英文全称：（charge injection device ），中文全称：电荷注入检测器（CID）。
CID检测器发明于1973年。CID 读出方法是将电荷在检测单元内部移动，检测电压的变化。
电荷注入检测器原理，CID阵列上的每个像素可以单独通过行列电极的电子标定指数来寻址。不像CCD（电荷耦合式器件）在读数的时候会将像素中收集的电荷转移，电荷不会在CID阵列的点到点转移。在电荷信息包在独立所选择的像素中的电容之间移动的时候，和所存储的信息电荷成正比的移位电流被读取。移位电流被放大，转换成为电压，作为部分复合视频信号或者数字信号输送给外部世界。由于信号电平被测定以后电荷完整无缺的保留在像素中，所以其读数是非破坏性的。要对新的帧进行几分而清除阵列，每个像素上的行和列电极就会即可切换到接地释放，或者“注射”电荷到底层。CID是一种电荷注入器件，一种MOS结构，当栅极上加上电压时，表面形成少数载流子（电子）的势阱，入射光子在势阱邻近被吸收时，产生的电子被收集在势阱里。
在CID中，信号电荷不用转移，是直接注入体内形成电流来读出的。即每当积分结束时，去掉栅极上的电压，存贮在势阱中的电荷少数载流子（电子）被注入到体内，从而在外电路中引起信号电流，这种读出方式称为非破坏性读取（Non-Destructive Read Out），简称：NDRO．CID的NDRO特性使它具有优化指定波长处的信噪比（S/N）的功能。
同时CID可寻址到任意一个或一组象素，因此可获得如“相板”一样的所有元素谱线信息。
