（太阳能电池）

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2022/07/16216 作者：佚名

导读：HIT，即采用HIT结构的硅太阳能电池，开路电压729mV。中文名太阳能电池外文名 Heterojunction with intrinsic Thinlayer 结构 HIT 开路电压 729mV 电池结构 HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄

HIT，即采用HIT结构的硅太阳能电池，开路电压729mV。

中文名: 太阳能电池
外文名: Heterojunction with intrinsic Thinlayer

结构: HIT
开路电压: 729mV

电池结构

硅太阳能电池 HIT（Heterojunction with intrinsic Thinlayer）

采用HIT结构的硅太阳能电池，所谓HIT结构就是在晶体硅片上沉积一层非掺杂（本征）氢化非晶硅薄膜和一层与晶体硅掺杂种类相反的掺杂氢化非晶硅薄膜，采取该工艺措施后，改善了PN结的性能。因而使转换效率达到23%，开路电压达到729mV，并且全部工艺可以在200℃以下实现。

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