万代兰生长较快，当种植的植株丛生带有气生根的母株，可分株繁殖。一般在春季气温上升、植株开始生长后进行，用利刀在株丛带气根处切开，尽量少伤根系，将伤口用泥炭或多菌灵涂抹后栽植于湿度较大和阴蔽的环境中，当年就能开花。
万代兰因植株茎秆上不断长出气生根，其切取扦插繁殖容易，因此采用切茎扦插为主。一般在花谢后或春秋季两季进行，将母株上带有 2～3 条气生根的茎节剪下（母株切口上必须涂抹药粉，以防受病菌感染）。剪下的根条用树皮或水苔包裹于盆中，保持室温 25℃～30℃，空气湿度 70%～80%，当扦插苗萌发出新芽，第 2 年即可正常开花。
在开花后第 10 天授粉较好，通常在果荚颜色变淡时，即可随采随播，种子经无菌水冲洗后，均匀播种在培养基上。以 VW、KC、MS、1/2MS、1/4MS 为基本培养基，附加蔗糖 3.0%、琼脂粉 0.55%、活性炭 0.1%，
pH 值 5.5～5.8，培养温度 25℃，光照强度 1000～1500lx，每天光照时间为12小时。播种 2～3 个月后形成的原球茎，在无菌条件下，把万代兰原球茎切块 ( 厚度约 2～3mm)，每瓶以 15～20 个，接种于VW BA2.0～5.0mg/L NAA0.1mg/L 椰乳 10% 的增殖培养基上培养，5 天后原球茎膨大，并长出白色绒毛，20 天左右长出许多白色的小原球茎，20～30 天继代 1 次。培养 基以 VW BA0.05mg/L NAA0.5mg/L 香蕉汁 10% 最适于不定芽的分化。生根壮苗培养基以加蛋白胨的附加物较适宜，而且幼苗长势壮，根系发达。当小苗根长2～4cm，苗高 3～5cm 即可出瓶移植。出瓶前，先将苗置于散射光下进行炼苗，1周内逐渐加强光照。1周后松开瓶盖，但不可打开，3天后取出小苗，洗去附着的培养基，移栽植于树皮基质中，适当控制湿度和温度，小苗成活后需精心管理，培育2年后即可开花。
除用无菌播种外，还可选取健壮的母株根尖、茎顶组织、节间腋芽和幼嫩花序等进行诱导获得分生苗。利用根尖、茎顶组织或腋芽作外植体时，用MS 或 VW 培养基作液体培养较易成功，培养基中不添加蔗糖，有利于原球茎增殖，以 MS 6-BA2.5mg/L NAA0.3mg/L 香蕉泥 80g/L 是最佳增殖配方。用幼嫩花序作外植体时，需选取 1cm 左右的花序，在 VW 培养基加椰乳 5% 加蔗糖 2% 的培养基中，进行液体培养，两个月后即可诱导出原球茎。万代兰原球茎的成苗培养基可参照无菌播种培养基配方。
当组培苗在瓶中长出 3～5 片叶，根系数 3～5 条，有单轴茎较明显时，用消过毒的薄膜纸将瓶口封住，并移至炼苗室进行炼苗，炼苗时将瓶苗整齐排放，每排间须留约 5cm 左右空隙，以便吸收光照，并保持温室环境清洁及良好通风，避免污染。经炼苗20天后，可出瓶洗净根系残留的培养基，定植到1.5寸白色钵盆中，基质以树皮为主，小苗应竖直植于软盆正中央。 栽植深度以将根和茎的基部埋入基质，新芽生长部位刚好在基质表面。花盆留出 1cm左右的沿口，移植时要小心，不可损伤根及叶片。当日种完后，喷1次 1000倍液代森锌或 2000倍的农用硫酸链霉素，以防病害入侵。种植后第1周温度控制在 20℃～28℃，湿度控制在70%～90%，光照强度控制在10000lx以内。若遇炎热天气，基质较干时应在早上及傍晚喷淋清水各1次。种后第3周，开始有新根长出，此时可用速效氮肥 2000～3000 倍液进行浇灌，并每隔10天左右用代森锌或农用硫酸链霉素喷洒防病。若遇寒冷或阴雨天湿度大时，植株相对停止生长，应延缓施肥，或只浇至微湿即可。夏季晴天，如阳光强、气温高，应多浇水。冬季不宜浇太多水，过度潮湿时易导致根系腐烂。小苗经过1年生长，可换盆移栽，第2年即可开花。
