在给定的技术节点中，例如90-nmCMOS工艺，阈值电压取决于氧化物的选择和氧化物厚度。使用上面的身体公式，
因此，氧化物厚度越薄，阈值电压越低。虽然这似乎有所改善，但这并非没有代价;因为氧化层厚度越薄，通过器件的亚阈值泄漏电流就越高。因此，90nm栅极氧化层厚度的设计规格被设定为1nm以控制漏电流。这种隧道，称为福勒 - 诺德海姆隧道。
其中
在将设计特征缩小至90纳米之前，用于产生氧化物厚度的双氧化物方法是解决此问题的常见方法。采用90纳米工艺技术，在某些情况下采用了三氧化镓方法。一种标准薄氧化物用于大多数晶体管，另一个为I / O驱动器细胞，而第三个存储器和通晶体管单元。这些差异纯粹是基于CMOS技术阈值电压的氧化层厚度特性 。
