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中芯国际推出自主研发38纳米NAND闪存工艺

2014/11/071311 作者:佚名
导读:据造价通信息网了解, 日前,中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称中芯国际)宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。

据造价通信息网了解, 日前,中芯国际集成电路制造有限公司(以下简称中芯国际)宣布38纳米NAND闪存工艺制程已准备就绪,中芯国际凭此成为唯一一家可生产NAND产品的代工厂。该工艺平台完全由中芯国际自主研发,可满足特殊存储器无晶圆厂对高质量、低密度NAND闪存持续增长的需求,使中芯国际占据该领域的领先地位。

据悉,NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储方案,是近年来发展最为迅速的非易失性存储(NVM)产品。38纳米NAND闪存主要面向嵌入式产品、移动计算、物联网、电视及机顶盒等多种大需求量的特殊应用领域。也可利用此技术带动串行外设接口(SPI)NAND市场的发展以及不断增长的物联网相关产品的应用。此次中芯国际成功推出38纳米NAND闪存技术,能够帮助客户满足中国及全球市场对此技术的需求。

 

 

文章来源:info.zjtcn.com *文章为作者独立观点,不代表造价通立场,除来源是“造价通”外。
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