功率MOSFET无铅化封装中铝线引脚跟断裂研究

2017年8月16日,中国联塑集团在成立31周年之际,正式宣布实现pvc管材、管件及型材产品的全面无铅化。2017年7月19日,国家住房和城乡建设部科技发展促进中心在北京主持召开了由中国联塑集团研发的"无铅聚氯乙烯(pvc)管材管件及型材"科技成果评估会,评估委员会一致认为该项目对于国内pvc管材、管件的全面无铅化具有引领作用,有良好的推广应用价值,达到国际先进水平。实现pvc制品的全面无铅化并非一蹴而就。在早已

supermesh3功率mosfet主要用于镇流器的功率因数校正器和半桥电路以及开关电源内。620v的stx6n62k3是supermesh3系列的首款产品，后续产品有620v的stx3n62k3和525v的stx7n52k3和stx6n52k3。supermesh3技术可以降低导通电阻，在620v电压下，dpak封装的std6n62k3把导通电阻降低到1．28ω；在525v电压下，std7n52k3把导通电阻降低到0．98ω，从而提高节能灯镇流器等照明应用的工作能效。

为了进一步降低沟槽栅功率mos器件的导通电阻,提出了一种改进的trenchmosfet结构.借助成熟的器件仿真方法,详细分析了外延层杂质掺杂对器件导通电阻和击穿电压的影响,通过对常规trenchmosfet和这种改进的结构进行仿真和比较,得出了击穿电压和导通电阻折中效果较好的一组器件参数.模拟结果表明,在击穿电压基本相当的情况下,新结构的导通电阻较之于常规结构降低了18.8%.

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(onsemiconductor,美国纳斯达克上市代号:onnn)推出带开关控制器的电流镜cat2300,将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。

8月16日，欣逢中国联塑集团成立三十一周年，集团正式公布实现pvc管材、管件及型材产品的全面无铅化。7月19日，国家住房和城乡建设部科技发展促进中心在北京主持召开了由联塑集团研发的“无铅聚氯乙烯（pvc）管材管件及型材”科技成果评估会，评估委员会一致认为该项目大规模、全系列实现了各类pvc管材、

飞兆半导体公司扩展powertrenchmosfet系列，这些产品属于中等电压mosfet产品系列成员，是结合低栅极电荷、低反向恢复电荷和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。这些器件备有40v、60v和80v额定电压型款，

2017年8月16日,欣逢中国联塑集团成立31周年,集团正式公布实现pvc管材、管件及型材产品的全面无铅化。2017年7月19日,国家住房和城乡建设部科技发展促进中心在北京主持召开了由联塑集团研发的"无铅聚氯乙烯(pvc)管材管件及型材"科技成果评估会,评估委员会一致认为该项目大规模、全系列实现了各类pvc管材、管件及型材产品的无铅化,对于国内pvc管材、管件的全面无铅化具

由于铜丝键合可以替代金键合,价格又便宜,正在被越来越多地应用到微电子元器件当中。目前的情况表明铜是可行的替代品,但是证明其可靠性还需要采用针对铜丝键合工艺的新型失效分析(fa)技术。在本文中,我们将讨论一些专门为使用铜丝技术的元器件而开发的新型失效分析技术和工序。我们会将解释为什么铜丝的处理方式和金丝不一样,并且以功率mosfet器件为例,循序渐进地了解失效分析的过程,保存对失效器件进行有效分析所需要的所有证据。

利用工艺和器件模拟软件tsuprem-4和medici,研究了工艺参数对dc-dc转换器中的功率沟槽mosfet的通态电阻ron、栅-漏电容cgd的影响以及栅-漏电荷qgd在开关过程中的变化,指出了在设计和工艺上减小通态电阻ron和栅-漏电容cgd,提高器件综合性能的途径。

通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅mosfet亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用medici软件,针对薄膜双栅mosfet,对四种复合型栅氧化层结构didgmosfet(dualinsulatordoublegatemosfet)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。

从成本和低温化考虑,磷酸盐低熔封接玻璃最有可能取代商业铅基低熔玻璃。总结了近20年来研究较多的sno-mo(m=zn,mg,ca)-p2o5、zno-sb2o3-p2o5、na2o-cuo-p2o5、na2o-fe2o3-p2o5、硼磷酸盐和磷酸盐氧氮低熔玻璃系统的玻璃形成范围、制备方法、结构特征、性能参数和应用范围,总结的玻璃性能主要包括化学稳定性、转变温度、软化温度和热膨胀系数;指出硼磷酸盐、na2o-cuo-p2o5、zno-sno(sb2o3)-p2o5、铁磷酸盐系统玻璃的化学稳定性基本达到或优于商业铅基低熔封接玻璃,磷酸和硼磷酸盐系统适用于中低温封接,而sno-zno-p2o5和na2o-cuo-p2o5应用于低温封接仍需解决转变温度大幅浮动、成本高及热膨胀系数等问题。

本文通过讲述uis的测试原理,得出雪崩计算公式,着重对目前两种不同模式的测试方法,从测试原理上进行比对,总结两种模式下的特点。

随着国家对环境保护的重视程度越来越高,对汽车零件中的六价铬、铅等重金属的使用控制也越来越严格。在新国家汽车禁用物质的标准讨论稿中,对汽车发动机、变速器中的滑动轴承、衬套材料中的铅亦严禁使用。目前,国内汽车用滑动轴承领域还在广泛应用含铅的铝基轴承材料及铜铅材料。为应对国家即将颁布的汽车禁用物质的相关法规,国内轴承行业也在积极研制相关的无铅轴承材料。本文介绍了federal-mogul公司的无铅铝基轴承合金材料的研发过程及材料的性能,供国内从事轴承材料研发者借鉴参考。

浅谈无铅化生产的挠性感光阻焊剂——浅谈无铅化生产的挠性感光阻焊剂

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体（onsemiconductor，美国纳斯达克上市代号：onnn）推出带开关控制器的电流镜cat2300，将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用，

本文介绍一种pcb基板材料,可以使材料保持强分子键力的环氧树脂,形成的结构中含有较少的极性基团如羟基或其他活性官能团,具有耐caf性能,耐热性和较小的介电常数、介质损耗因数,适用于指定的网络设备中。另外,通过优化混合的无机填料的种类、形状、大小和加入量,可以减小热膨胀系数。通过改善填料的分散性,可以使材料保持良好的流动性及降低钻孔时的工具损耗。因为材料具有较低的厚度方向的热膨胀系数(z-cte)33×10~(-6)/℃,这种材料用于多层和厚板时具有优异的通孔连接的可靠性,380℃的高td(热分解温度)允许材料适应无铅焊锡的高温,以上的性质使这种材料适用于高多层,更高传送速度和更高密度的pcb。

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜cat2300,将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。精确控制及匹配sensefet的sense输出与cat2300的kelvin电压引脚,确保sensefet完整工作范围内的精确电流监

深入研究在传统的硬质聚氯乙烯(pvc-u)管材配方体系中引入橡塑弹性体物质,并利用物理、化学改性相结合的方法对pvc树脂进行改性,先将聚乙烯、丙烯酸酯类高聚物接枝聚氯乙烯,并将其长链高分子进行高速缠绕,使其改变分子结构,形成高抗冲型的层网状结构,且结构中的分子间作用力大大增强;辅以微纳米无机粉体增强增韧技术,使得无机刚性粒子充分均匀分散至网层状结构中,从而在保证了聚氯乙烯刚性的同时,也提高了其韧性;使得pvc管材实现刚柔并济的效果。

为适应汽油无铅化及汽车排气净化装置的要求，开发出了高铬铸铁排气阀座。此种阀座的耐磨性显著提高，具有广泛的适用性。

在材料技术工艺不断发展的情况下使得很多新材料、新工艺被用于实际工业生产中，扩大了新材料的应用面。将两种或两种以上类型的金属通过相关工艺进行连接可以获取金属连接结构，然而这种金属连接结构无论是在功能上还是实用性上较母材金属更具优势。从当前金属连接应用情况来看无论是在传统工业还是在航空业、电子制造业以及汽车行业等都已经有了广泛应用，未来它还将具备更大的发展空间。本文对铝铜钎焊用sn-zn基无铅钎料进行了综合性分析并提出了相关观点，供以参考。

随着微电子行业的发展,微处理器正在代代更新,其性能更是迅速提高(如工作频率越来越高等),这就要求其电流不断增大。同时,为了降低功耗,电源电压必须不断降低。下一代处理器的供电电压将会降到1.1v～1.8v,电流处理能力将达到

rohm最新发表了他们首次采用沟槽式结构研制并大批量生产了碳化硅mosfet。与传统平面式碳化硅mosfet相比,同样芯片尺寸条件下,导通电阻降低了50%,极有可能也能大幅降低许多设备的功率损耗,如工业用转换器和电源,电源和太阳能电力系统的电力调制器,太阳能功率系统调制器。近些年,世界范围内越来越多的研究开始关注电力供应的解决方案,其中主要研究电源供应的转换和已产生电力的高效输运。碳化硅功率器件因为能