新型MOSFET满足高速开关等三大关键性能

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(onsemiconductor,美国纳斯达克上市代号:onnn)推出带开关控制器的电流镜cat2300,将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。

飞兆半导体公司扩展powertrenchmosfet系列，这些产品属于中等电压mosfet产品系列成员，是结合低栅极电荷、低反向恢复电荷和软反向恢复体二极管的优化功率开关产品，可以实现快速开关。这些器件备有40v、60v和80v额定电压型款，

vishay宣布发布其新型p通道trenchfet第三代技术的首款器件——si7137dp,该20vp通道mosfet采用so-8封装,具备业内最低的导通电阻。

东芝公司推出一种新的小型低断面gaasmesfet、单刀双掷开关。这种小型开关非常适用于多波段/多模蜂窝天线开关组件、蓝牙组件和无线局域网。上述gaasmesfetmmic1ghz下插损0.35db(2ghz下0.40db),1ghz和2ghz下隔离24db。其功率性能优良,25ghz下1db压缩功率(p1db)为17dbm,对于极小型低断面封装而言,上述功率性能是非常之好了。这种tg2217ctb型单刀双掷开关采用甚小低断面无引线6针芯片级封

vishay宣布发布其新型p通道trenchfet第三代技术的首款器件——si7137dp，该20vp通道mosfet采用so-8封装，具备业内最低的导通电阻。

由于铜丝键合可以替代金键合,价格又便宜,正在被越来越多地应用到微电子元器件当中。目前的情况表明铜是可行的替代品,但是证明其可靠性还需要采用针对铜丝键合工艺的新型失效分析(fa)技术。在本文中,我们将讨论一些专门为使用铜丝技术的元器件而开发的新型失效分析技术和工序。我们会将解释为什么铜丝的处理方式和金丝不一样,并且以功率mosfet器件为例,循序渐进地了解失效分析的过程,保存对失效器件进行有效分析所需要的所有证据。

介绍了三种大容量高速开关,一是爆炸式可恢复大容量高速开关柜,二是快速涡流驱动开关,三是快速永磁断路器。比较了各开关的技术性能与特点。

电源系统开关控制器的mosfet选择 dc/dc开关控制器的mosfet选择是一个复杂的过程。仅仅考虑mosfet的额定电压 和电流并不足以选择到合适的mosfet。要想让mosfet维持在规定范围以内，必须在低 栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。如 德州仪器(ti)的webench?电源设计师等在线设计工具可以简化这一过程，让用户能够根 据效率、体积和成本做出正确的选择，从而达到理想的mosfet控制器设计目标。 图1—降压同步开关稳压器原理图 dc/dc开关电源因其高效率而广泛应用于现代许多电子系统中。例如，同时拥有一个 高侧fet和低侧fet的降压同步开关稳压器，如图1所示。这两个fet会根据控制器设 置的占空比进行开关操作，旨在达到理想的输出电压。降压稳压器的占空比方程式如下：

hsv高速开关阀 1 贵州红林车用电控技术有限公司 hsv系列开关式高速电磁阀 hsv系列开关式高速电磁阀系列产品是我公司与美国bkm公司联合研制、生 产的快速响应开关式数字阀，是一种用于机电液一体化中电子与液压机构间理想的 接口元件。该系列产品结构紧凑、体积小、重量轻、响应快速、动作准确、重复性 好、抗污染能力强、内泄漏小、可靠性高。最显著的特点是该产品能够直接接受数 字信号对流体系统的压力或流量进行pwm控制，该特点为数字控制进入液压气动 领域提供了有效手段。1992年该产品被评为国家级重点新产品并获得贵州省科学技 术进步二等奖。 hsv高速电磁阀系列产品具有两通常开、两通常闭、三通常开、三通常闭四个 系列近200个品种；材料有碳钢、不锈钢两种类别；工作方式可采用连续加载、脉 冲宽幅调制、频率调制或脉宽——频率混合调制。 hsv高速电磁阀系列产品的上述特点使该电

1高速开关转阀专利介绍回顾电动机调速的发展历程,在经过高能耗的变阻调速等之后,由于高速电子开关—大功率开关管的发明和电力电子理论的发展,开创了电动机数字调速的崭新技术—变频调速,目前变频调速已成为电动机调速的主流技术。液压调速则一直沿着模拟控制的路径发展,从高能耗的伺服阀到比例阀的阀控节流调速,到相对高效的变量泵变量马达的容积调速,包括负载敏感控制的变量调速技术,依旧没有脱离模拟阀

文章介绍了一种新型的液压高速开关阀,它采用了超磁致伸缩驱动器和锥体式阀芯结构。该阀具有很高的切换速度和频率,可以用来作为大流量高速开关阀的先导控制阀,也可以在小流量回路中直接作为控制阀使用。

针对目前电液高速开关阀脉宽调制频率不高,新型电-机械转换装置效率较低的现状,研制了一种基于超磁致伸缩材料驱动的新型电液高速开关阀。介绍了其组成和工作原理,并研究了该阀的静、动态特性。实验研究表明,采用超磁致伸缩材料作为新型阀的电-机械转换装置,不仅可以获得较大的阀芯位移,而且使阀的结构简化,易于控制,可获得很高的脉宽调制频率和能量转换效率。

通过对硅膜中最低电位点电位的修正,得到复合型栅氧化层薄膜双栅mosfet亚阈值电流模型以及阈值电压模型。利用medici软件,针对薄膜双栅mosfet,对四种复合型栅氧化层结构didgmosfet(dualinsulatordoublegatemosfet)进行了仿真。通过仿真可知:在复合型结构中,随着介电常数差值的增大,薄膜双栅器件的短沟道效应和热载流子效应得到更有效的抑制,同时击穿特性也得到改善。此外在亚阈值区中,亚阈值斜率也可以通过栅氧化层设计进行优化,复合型结构器件的亚阈值斜率更小,性能更优越。

意法半导体(st)推出一款用usb及高侧负载开关应用的低压p沟道mosfet电源开关st890。其工作电压范围在2.7到5.5v之间,内置具有过载保护功能的可编程限流电路,以及限制功耗和结温的热负载保护电路。应用于pcmcia和其它接入总线的插槽内,比如,在便携设备中,在不断电的情况下自由插拔的插接卡的卡槽。最大电流为1.2

针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率mosfet的封装结构进行了研发和展望。从传统的tssop-8发展到替代改进型sot-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%。同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能。

应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体（onsemiconductor，美国纳斯达克上市代号：onnn）推出带开关控制器的电流镜cat2300，将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用，

安森美半导体推出带开关控制器的电流镜cat2300,将这器件与安森美半导体的ntmfs4833ns或ntmfs4854nssensefet功率mosfet器件结合使用,能提供紧凑、高能效的电流监控方案。这些新器件的组合提供系统级电源管理,用于便携计算机及网络设备等应用。精确控制及匹配sensefet的sense输出与cat2300的kelvin电压引脚,确保sensefet完整工作范围内的精确电流监

高速开关阀作为汽车防抱死制动系统的重要元件,其动态响应性能决定着防抱死制动系统的安全性和有效性。为此设计了一种常开式高速开关阀,并利用ansoft软件研究了其开关电磁铁的电磁场特性,确定了电磁铁的线圈参数;将获得的参数输入到simulink建立的开关阀系统模型中,并仿真分析,得到运行频率为37hz,这一指标满足防抱死制动系统的性能要求。

高速凝固粉末冶金铝-铁耐热合金是随着高温合金的研发而形成的一类新型合金。其中,al-fe-ce合金的抗腐蚀能力在降低工作成本方面很有潜力,而al-fe-v-si系合金具有室温和高温下强度高、热稳定性好、抗蠕变能力强、刚度大和强化相粗化率小等特点,在航空航天工业与汽车工业有着广阔的应用前景。

对基于超磁致伸缩驱动器的高速液压开关阀进行了初步的研究，设计了单和双联锥体式阀芯的高速开关阀结构，还对这种阀的主要性能参数做了简要分析。

MCI/FET复合开关—小硅片具有高性能

快速功率开关—双极型JFET向MOS和BJT提出挑战