基于MCML的高性能三值D型触发器的设计
MCML电路由于具有高速低摆幅、抗干扰能力强、在高频下比传统CMOS电路功耗更低等优点,越来越受到广泛关注.通过分析二值MCML电路的设计方法,引入与参考电压进行比较的思路,设计了一种结构简单的新型高性能三值D型触发器.采用TSMC 180nm工艺,使用HSPICE进行模拟.结果表明,所设计的触发器不仅具有正确的逻辑功能,工作频率达到10GHz,平均D-Q延时和PDP也比传统CMOS三值触发器有明显降低,且随着工作频率的上升,PDP不断下降,适合于高速和高工作频率的应用.
一种抗单粒子全加固D触发器的设计
采用当前成熟的两种抗单粒子翻转锁存器构成了主从D触发器,在D触发器加固设计中引入了时钟加固技术,对输出也采用了加固设计。仿真对比显示本设计的加固效果优于国内同类设计。
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