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光电倍增管
光电倍增管暗电流和单光电子响应
光电倍增管暗电流和单光电子响应
PMT参数优劣对闪烁体探测器性能至关重要。依据PMT的工作原理,建立PMT单光电子响应(SER)函数,搭建实验装置,完成PMT响应实验测试,在常温环境下测试了滨松CR194 PMT暗电流和单光电子信号。数字信号利用Roofit、Origin软件进行处理,得到暗电流和单光电子幅度值随高压变化的曲线图。分析图表,可得结论:在600~1 200 V之间,CR194 PMT暗电流响应幅度值或SER幅度值随工作电压的增加而增加。电压为1 000 V时,PMT的稳定性最好,1 000 V为实验的最佳工作电压。
多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计
多阳极光电倍增管前端四通道放大读出芯片设计
多阳极光电倍增管目前应用广泛,其后续的常规PCB放大电路显示出体积大、功耗大、噪声高等缺点,制作专用集成电路ASIC可以解决这些问题。基于此类光电倍增管特性,在0.35μm CMOS工艺上,研制了4通道集成放大成形读出电路,包含前放、增益调整、滤波成形等模块。经过测试,功耗为66 mW;增益为62.2 mV/pC,输入动态范围13 pC,线性度1.5%,信噪比9,指标达到设计要求。