精品文献
三相电压型逆变器
三相电压型逆变器课程设计 (2)
实用文案 文案大全 三相电压型逆变器 一．电力电子器件的发展： 1.概述： 1957 年可控硅 (晶闸管 )的问世，为半导体器件应用于强电领域的自动控 制迈出了重要的一步，电力电子开始登上现代电气传动技术舞台，这标志着 电力电子技术的诞生。 20 世纪 60 年代初已开始使用电力电子这个名词，进 入 70 年代晶闸管开始派生各种系列产品，普通晶闸管由于其不能自关断的 特点，属于半控型器件，被称作第一代电力电子器件。随着理论研究和工艺 水平的不断提高，以门极可关断晶闸管（ GTO）、电力双极性晶体管（ BJT） 和电力场效应晶体管 （Power-MOSFET ）为代表的全控型器件迅速发展， 被 称作第二代电力电子器件。 80 年代后期，以绝缘栅极双极型晶体管 （IGBT） 为代表的复合型第三代电力电子器件异军突起，而进入 90 年代电力电子器 件开始朝着智能化、功率集成化发展，这代表了电力电
三相电压型逆变器课程设计
实用文案 文案大全 三相电压型逆变器 一．电力电子器件的发展： 1.概述： 1957 年可控硅 (晶闸管 )的问世，为半导体器件应用于强电领域的自动控 制迈出了重要的一步，电力电子开始登上现代电气传动技术舞台，这标志着 电力电子技术的诞生。 20 世纪 60 年代初已开始使用电力电子这个名词，进 入 70 年代晶闸管开始派生各种系列产品，普通晶闸管由于其不能自关断的 特点，属于半控型器件，被称作第一代电力电子器件。随着理论研究和工艺 水平的不断提高，以门极可关断晶闸管（ GTO）、电力双极性晶体管（ BJT） 和电力场效应晶体管 （Power-MOSFET ）为代表的全控型器件迅速发展， 被 称作第二代电力电子器件。 80 年代后期，以绝缘栅极双极型晶体管 （IGBT） 为代表的复合型第三代电力电子器件异军突起，而进入 90 年代电力电子器 件开始朝着智能化、功率集成化发展，这代表了电力电