MOS场效应管分类

根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时，管子是呈截止状态；加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N 和漏扩散区N ，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为 2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。 国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。 MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此出厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。

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MOS场效应管造价信息

市场价
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询价

MOS场效应晶体管测试仪

规格型号：
BJ2990
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
北京无线电仪器厂
报价时间：
2022-12-06

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MOS型场效应晶体管瞬态热阻测试仪

规格型号：
BJ2989
价格行情：
材料单位：
台
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
北京无线电仪器厂
报价时间：
2022-12-06

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二管高效应急荧光灯-1

规格型号：
2×28W,应急时间>30min
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
金兄弟
材料税率：
13%
供应商：
河南金兄弟照明公司
报价时间：
2022-12-06

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通信管系列:PE实壁管

规格型号：
规格(mm)Ф25;壁厚(1.8)
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
公元牌
材料税率：
13%
供应商：
公元管道（广东）有限公司
报价时间：
2022-12-06

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通信管系列:PE实壁管

规格型号：
规格(mm)Ф25;壁厚(2)
价格行情：
材料单位：
m
材料品牌：
公元牌
材料税率：
13%
供应商：
公元管道（广东）有限公司
报价时间：
2022-12-06

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切管机

规格型号：
9A151
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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抓管机

规格型号：
功率120kW
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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抓管机

规格型号：
功率160kW
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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切管机

规格型号：
9A151
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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吊管机

规格型号：
功率240kW
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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场效应管

规格型号：
4953
需求量：
30个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2018-10-16

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MOS型场效应晶体管瞬态热阻测试仪

规格型号：
BJ2989
需求量：
6台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-11-17

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MOS场效应晶体管测试仪

规格型号：
BJ2990
需求量：
6台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-04-22

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塞曼效应实验仪

规格型号：
波长546.1nm,透射带宽≤10nm,峰值透过率≥50%; 4、通过CCD摄录塞曼效应分裂线,并用电脑智能软件对分裂线进行测量和分析; 5、仪器不含电脑
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2020-07-08

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分体式热效应空气流量计

规格型号：
DN250
需求量：
1套
报价数：
2
材料品牌：
1.上海肯特2.广州中芮
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2019-09-25

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MOS场效应管检测方法

1．准备工作 测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。 2．判定电极 将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。 3．检查放大能力（跨导） 将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。 有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。2100433B

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MOS场效应管主要特点

在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。

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MOS场效应管常见问题

场效应管与 MOS管是一回事吗？

场效应管就是MOS管，场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管，MOS管可以说是一种通俗的叫法吧，一些采购工程比较喜欢叫MOS管。至于场效应管跟三极管的...
结型场效应管和mos管区别在哪里？

结型场效应管是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，MOS管虽然也是通过栅压实现对漏电流的控制，但是它的原理是在栅下方的...
结型场效应管和mos管区别在哪里？

结型场效应管是通过栅与源漏之间形成的PN结来控制实现晶体管源漏之间的导通，具体地说，是通过控制栅与源漏之间形成PN结的耗尽区的宽度，MOS管虽然也是通过栅压实现对漏电流的控制，但是它的原理是在栅下方的...

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MOS场效应管文献

场效应管基础知识介绍

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大小：118KB

页数： 3页

场效应管基础知识介绍一、场效应三极管的型号命名方法第二种命名方法是 CS××#， CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号， #用字母代表同一型号中的不同规格。例如 CS14A、CS45G等。二、场效应管的参数 1、 I DSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压 U GS=0时的漏源电流。 2、UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。 3、UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。 4、gM — 跨导。是表示栅源电压 U GS — 对漏极电流 I D的控制能力，即漏极电流 I D变化量与栅源电压 UGS变化量的比值。 gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。 5、BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压 UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加

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55V沟槽型功率场效应管设计

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大小：118KB

页数：未知

设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。

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MOS管厂家为你分析mos管结型场效应管的电极检测方法

场效应晶体管简称场效应管，是应用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件，它属于电压控制型半导体器件。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管义分为N沟耗尽型和加强型、P沟耗尽型和加强型四大类。 结型场效应管应该如何检测呢？结型场效应管的外形、结构及符号如下图所示，三个电极分别为栅极G、源极S、漏极D。国产N沟道管典型产品有3DJ2、3DJ4. 3DJ6、3DJ7，P沟道管有CSl - CS4，应用指针式万用表R Xl00挡能够断定结型场效应管的各个电极。 结型场效应管的栅极相当于晶体管的基极，源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极．如下图所示，将万用表置于RXlk挡，用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻．当某两个管脚间的正、反向电阻相等，均为数千欧时，则这两个管脚为漏极D和源极s（对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，且并不影响电路的正常工作，所以不用加以辨别），余下的一个管脚即为栅极G。 关于有4个管脚的结型场效应管，另外一极是屏蔽极（运用中接地），也能够将万用表的黑表笔（红表笔也行）恣意接触一个电极，另一支表笔依次去接触其他的两个电极，测其电阻值。当呈现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其他两电极分别为漏极和源极。 广州飞虹半导体主要研发、生产、经营：场效应管、三极管等半导体器件，专注大功率MOS管制造15年。 感谢您的阅读，更多相关资讯，欢迎继续关注和留意我们！

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场效应管的测量方法图解

下面是对场效应管的测量方法 场效应管英文缩写为FET。可分为结型场效应管(JFET)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)，我们平常简称为MOS管。而MOS管又可分为增强型和耗尽型而我们平常主板中常见使用的也就是增强型的MOS管。 下图为MOS管的标识 我们主板中常用的MOS管G D S三个引脚是固定的。。。不管是N沟道还是P沟道都一样。。。把芯片放正。。。从左到右分别为G极D极S极！如下图： 用二极管档对MOS管的测量。。。首先要短接三只引脚对管子进行放电。。。 1、然后用红表笔接S极.黑表笔接D极.如果测得有500多的数值..说明此管为N沟道.. 2、黑笔不动..用红笔去接触G极测得数值为1 3、红笔移回到S极.此时管子应该为导通... 4、然后红笔测D极.而黑笔测S极.应该测得数值为1.(这一步时要注意.因为之前测量时给了G极2.5V万用表的电压..所以DS之间还是导通的..不过大概10几秒后才恢复正常...建议进行这一步时再次短接三脚给管子放电先) 5、然后红笔不动.黑笔去测G极..数值应该为1 到此我们可以判定此N沟道场管为正常 有的人说后面两步可以省略不测...不过我习惯性把五个步骤全用上。。。当然.对然P沟道的测量步骤也一样...只不过第一步为黑表笔测S极.红表笔测D极..可以测得500多的数值... 测量方法描述到此结束....

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场效应管分类简介

场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。 按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽型与增强型，结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管，而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。 结型场效应管（JFET） 1、结型场效应管的分类：结型场效应管有两种结构形式，它们是N沟道结型场效应管和P沟道结型场效应管。 结型场效应管也具有三个电极，它们是：栅极；漏极；源极。电路符号中栅极的箭头 方向可理解为两个PN结的正向导电方向。2、结型场效应管的工作原理(以N沟道结型场效应管为例)，N沟道结构型场效应管的结构及符号，由于PN结中的载流子已经耗尽，故PN基本上是不导电的，形成了所谓耗尽区，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，所以用栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化，就是说，场效应管是电压控制元件。 绝缘栅场效应管 1、绝缘栅场效应管（MOS管）的分类：绝缘栅场效应管也有两种结构形式，它们是N沟道型和P沟道型。无论是什么沟道，它们又分为增强型和耗尽型两种。 2、它是由金属、氧化物和半导体所组成，所以又称为金属—氧化物—半导体场效应管，简称MOS场效应管。 3、绝缘栅型场效应管的工作原理(以N沟道增强型MOS场效应管)它是利用UGS来控制“感应电荷”的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，然后达到控制漏极电流的目的。在制造管子时，通过工艺使绝缘层中出现大量正离子，故在交界面的另一侧能感应出较多的负电荷，这些负电荷把高渗杂质的N区接通，形成了导电沟道，即使在VGS=0时也有较大的漏极电流ID。当栅极电压改变时，沟道内被感应的电荷量也改变，导电沟道的宽窄也随之而变，因而漏极电流ID随着栅极电压的变化而变化。 场效应管的工作方式有两种：当栅压为零时有较大漏极电流的称为耗散型；当栅压为零，漏极电流也为零，必须再加一定的栅压之后才有漏极电流的称为增强型。

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MOS场效应管

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结型场效应管（JFET）

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