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半导体器件物理图书目录

半导体器件物理图书目录

译者序

前言

导言

第1部分半导体物理

第1章半导体物理学和半导体性质概要

1.1引言

1.2晶体结构

1.3能带和能隙

1.4热平衡时的载流子浓度

1.5载流子输运现象

1.6声子、光学和热特性

1.7异质结和纳米结构

1.8基本方程和实例

第2部分器件的基本构件

第2章p-n结二极管

2.1引言

2.2耗尽区

2.3电流-电压特性

2.4结击穿

2.5瞬变特性与噪声

2.6端功能

2.7异质结

第3章金属-半导体接触

3.1引言

3.2势垒的形成

3.3电流输运过程

3.4势垒高度的测量

3.5器件结构

3.6欧姆接触

第4章金属-绝缘体-半导体电容

4.1引言

4.2理想MIS电容

4.3硅MOS电容

第3部分晶体管

第5章双极晶体管

5.1引言

5.2静态特性

5.3微波特性

5.4相关器件结构

5.5异质结双极晶体管

第6章MOS场效应晶体管

6.1引言

6.2器件的基本特性

6.3非均匀掺杂和埋沟器件

6.4器件按比例缩小和短沟道效应

6.5MOSFET的结构

6.6电路应用

6.7非挥发存储器

6.8单电子晶体管

第7章JFET,MESFET和MODFET器件

7.1引言

7.2JFET和MODFET

7.3MODFET

第4部分负阻器件和功率器件

第8章隧道器件

8.1引言

8.2隧道二极管

8.3相关的隧道器件

8.4共振遂穿二极管

第9章碰撞电离雪崩渡越时间二极管

第10章转移电子器件和实空间转移器件

第11章晶闸管和功率器件

第5部分光学器件和传感器

第12章发光二极管和半导体激光器

第13章光电探测器和太阳电池

第14章传感器

附录A.符号表

B.国际单位制

C.单位词头

D.希腊字母表

E.物理常数

F.重要半导体的特性

G.Si和GaAs的特性

H.SiO2和Si3N4的特性 2100433B

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半导体器件物理造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

半导体指纹头

  • 品种:指纹锁;说明:标配换半导体;
  • 豪力士
  • 13%
  • 杭州紫辰智能科技有限公司
  • 2022-12-08
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半导体器件测试仪

  • BJ2986
  • 13%
  • 北京无线电仪器厂
  • 2022-12-08
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半导体封装树脂用球形氧化铝

  • 2-90μm/CAP α-Al2O3
  • kg
  • 天行新材料
  • 13%
  • 南京天行纳米新材料有限公司
  • 2022-12-08
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半导体量子阱型筒灯

  • DLZT-003(3W/220V)
  • 13%
  • 珠海市得意节能科技有限公司
  • 2022-12-08
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半导体量子阱型路灯

  • DLZL-066(66W/220V)
  • 13%
  • 珠海市得意节能科技有限公司
  • 2022-12-08
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自发电一焊机

  • 305A
  • 台班
  • 韶关市2010年8月信息价
  • 建筑工程
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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 汕头市2011年3季度信息价
  • 建筑工程
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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 广州市2010年3季度信息价
  • 建筑工程
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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 汕头市2010年2季度信息价
  • 建筑工程
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二氧化碳气保护焊机

  • 电流250A
  • 台班
  • 广州市2010年2季度信息价
  • 建筑工程
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-10-24
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-09-14
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中高档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-09-16
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半导体陶瓷

  • 将面板旋转到任一半导体上,旋转按钮缩小、放大,观察陶瓷.
  • 1项
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-08-15
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半导体器件瞬态热阻测试仪

  • BJ2983A 测量范围 0-750W
  • 10台
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2015-06-22
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半导体器件物理内容简介

《半导体器件物理》(第3版)这本经典著作在半导体器件领域已经树立起了先进的学习和参考典范。此书的第3版保留了重要半导体器件的最为详尽的知识内容,并做了更新和重新组织,反映了当今器件在概念和性能等方面的巨大进展,它可以使读者快速地了解当今半导体物理和所有主要器件,如双极、场效应、微波、光子器件和传感器的性能特点。《半导体器件物理》(第3版)专为研究生教材和参考所需设计,新版本包括:以最新进展进行了全面更新;包括了对三维MOSFET、MODFET、共振隧穿二极管、半导体传感器、量子级联激光器、单电子晶体管、实空间转移器件等新型器件的叙述;对内容进行了重新组织和安排;各章后面配备了习题;重新高质量地制作了书中的所有插图。

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半导体器件物理本书特色

★内容选择适合高职要求,针对性强。

★文字浅显,图例丰富,可读性强。

★结合制造工艺、版图设计内容,各章配置实验,实践性强。

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半导体器件物理图书目录常见问题

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半导体器件物理图书目录文献

电力半导体器件 电力半导体器件

电力半导体器件

格式:pdf

大小:1.4MB

页数: 10页

电力半导体器件

用于半导体器件热超声球焊的铝丝 用于半导体器件热超声球焊的铝丝

用于半导体器件热超声球焊的铝丝

格式:pdf

大小:1.4MB

页数: 10页

在与金丝焊接使用的机器相当的引线焊接机上进行了铝丝热超声球焊实验。工业上作出的努力成功地改进了铝丝球焊机,相对来说,对优选金属细丝还注意不够。此文报道了实验中得到的拉力试验数据和金相检验结果。实验中,五种铝合金细丝被短暂地置于高温下。这样处理是想模拟电火花熄灭时直接在球上加热的金属细丝情况。并提出了一个解释铝球形成机理的新的物理模型,还提出了证据以证实其似乎是合理的。此报告中的资料表明了铝球金属细丝的发展方向。

半导体器件应用网简介

半导体器件应用网是大比特商务网旗下的子站之一。半导体器件应用网专注于集成电路和分立器件领域,坚持以应用设计解决方案为导向,以纵深方式追踪半导体器件行业最新最热资讯,深度解析半导体器件行业趋势,在业界拥有强大的影响力,并拥有丰富而高品质的用户资源,是亚太区唯一一家专注于电子应用方案领域的专业性网站。
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半导体器件命名方法

中国半导体器件型号命名方法

半导体器件型号由五部分(场效应器件、半导体特殊器件、复合管、PIN型管、激光器件的型号命名只有第三、四、五部分)组成。五个部分意义如下:

第一部分:用数字表示半导体器件有效电极数目。2-二极管、3-三极管

第二部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的材料和极性。表示二极管时:A-N型锗材料、B-P型锗材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三极管时:A-PNP型锗材料、B-NPN型锗材料、C-PNP型硅材料、D-NPN型硅材料。

第三部分:用汉语拼音字母表示半导体器件的类型。P-普通管、V-微波管、W-稳压管、C-参量管、Z-整流管、L-整流堆、S-隧道管、N-阻尼管、U-光电器件、K-开关管、X-低频小功率管(F<3MHz,Pc3MHz,Pc<1W)、D-低频大功率管(f1W)、A-高频大功率管(f>3MHz,Pc>1W)、T-半导体晶闸管(可控整流器)、Y-体效应器件、B-雪崩管、J-阶跃恢复管、CS-场效应管、BT-半导体特殊器件、FH-复合管、PIN-PIN型管、JG-激光器件。

第四部分:用数字表示序号

第五部分:用汉语拼音字母表示规格号

例如:3DG18表示NPN型硅材料高频三极管

日本半导体分立器件型号命名方法

日本生产的半导体分立器件,由五至七部分组成。通常只用到前五个部分,其各部分的符号意义如下:

第一部分:用数字表示器件有效电极数目或类型。0-光电(即光敏)二极管三极管及上述器件的组合管、1-二极管、2三极或具有两个pn结的其他器件、3-具有四个有效电极或具有三个pn结的其他器件、┄┄依此类推。

第二部分:日本电子工业协会JEIA注册标志。S-表示已在日本电子工业协会JEIA注册登记的半导体分立器件。

第三部分:用字母表示器件使用材料极性和类型。A-PNP型高频管、B-PNP型低频管、C-NPN型高频管、D-NPN型低频管、F-P控制极可控硅、G-N控制极可控硅、H-N基极单结晶体管、J-P沟道场效应管、K-N 沟道场效应管、M-双向可控硅。

第四部分:用数字表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号。两位以上的整数-从"11"开始,表示在日本电子工业协会JEIA登记的顺序号;不同公司的性能相同的器件可以使用同一顺序号;数字越大,越是产品。

第五部分: 用字母表示同一型号的改进型产品标志。A、B、C、D、E、F表示这一器件是原型号产品的改进产品。

美国半导体分立器件型号命名方法

美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱。美国电子工业协会半导体分立器件命名方法如下:

第一部分:用符号表示器件用途的类型。JAN-军级、JANTX-特军级、JANTXV-超特军级、JANS-宇航级、(无)-非军用品。

第二部分:用数字表示pn结数目。1-二极管、2=三极管、3-三个pn结器件、n-n个pn结器件。

第三部分:美国电子工业协会(EIA)注册标志。N-该器件已在美国电子工业协会(EIA)注册登记。

第四部分:美国电子工业协会登记顺序号。多位数字-该器件在美国电子工业协会登记的顺序号。

第五部分:用字母表示器件分档。A、B、C、D、┄┄-同一型号器件的不同档别。如:JAN2N3251A表示PNP硅高频小功率开关三极管,JAN-军级、2-三极管、N-EIA 注册标志、3251-EIA登记顺序号、A-2N3251A档。

国际电子联合会半导体器件型号命名方法

德国、法国、意大利、荷兰、比利时等欧洲国家以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家,大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成,各部分的符号及意义如下:

第一部分:用字母表示器件使用的材料。A-器件使用材料的禁带宽度Eg=0.6~1.0eV 如锗、B-器件使用材料的Eg=1.0~1.3eV 如硅、C-器件使用材料的Eg>1.3eV 如砷化镓、D-器件使用材料的Eg<0.6eV 如锑化铟、E-器件使用复合材料及光电池使用的材料

第二部分:用字母表示器件的类型及主要特征。A-检波开关混频二极管、B-变容二极管、C-低频小功率三极管、D-低频大功率三极管、E-隧道二极管、F-高频小功率三极管、G-复合器件及其他器件、H-磁敏二极管、K-开放磁路中的霍尔元件、L-高频大功率三极管、M-封闭磁路中的霍尔元件、P-光敏器件、Q-发光器件、R-小功率晶闸管、S-小功率开关管、T-大功率晶闸管、U-大功率开关管、X-倍增二极管、Y-整流二极管、Z-稳压二极管。

第三部分:用数字或字母加数字表示登记号。三位数字-代表通用半导体器件的登记序号、一个字母加二位数字-表示专用半导体器件的登记序号。

第四部分:用字母对同一类型号器件进行分档。A、B、C、D、E┄┄-表示同一型号的器件按某一参数进行分档的标志。

除四个基本部分外,有时还加后缀,以区别特性或进一步分类。常见后缀如下:

1、稳压二极管型号的后缀。其后缀的第一部分是一个字母,表示稳定电压值的容许误差范围,字母A、B、C、D、E分别表示容许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;其后缀第二部分是数字,表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V,代表小数点,字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。

2、整流二极管后缀是数字,表示器件的最大反向峰值耐压值,单位是伏特。

3、晶闸管型号的后缀也是数字,通常标出最大反向峰值耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。

如:BDX51-表示NPN硅低频大功率三极管,AF239S-表示PNP锗高频小功率三极管。

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半导体器件内容简介

《半导体器件:计算和电信中的应用》从半导体基础开始,介绍了电信和计算产业中半导体器件的发展现状,在器件方面为电子工程提供了坚实的基础。内容涵盖未来计算硬件和射频功率放大器的实现方法,阐述了计算和电信的发展趋势和系统要求对半导体器件的选择、设计及工作特性的影响。

《半导体器件:计算和电信中的应用》首先讨论了半导体的基本特性;接着介绍了基本的场效应器件MODFET和M0SFET,以及器件尺寸不断缩小所带来的短沟道效应和面临的挑战;最后讨论了光波和无线电信系统中半导体器件的结构、特性及其工作条件。

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