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中国电力科学研究院、山东迪生电气股份有限公司等
邓占峰、孙士民。
串联电抗器是为了抑制高次谐波,或者是为了抑制涌流,他是一个抑制的作用,并联电抗器呢,是和电容串联并联在电路里面,不同的参数设置分为滤波作用和无功补偿作用。。。
并联电抗器无功补偿原理是利用电抗器的感性无功电流抵消线间电容的容性无功电流,从而保证线路的正常运行。电网中的电力负荷如电动机、变压器等大部分属于感性负荷,这些感性负载在实际运行中均需向电源索取滞后无功...
高压并联电抗应装设: (1) 高阻抗差动保护:保护电抗器绕组和套管的相间和接地故障。 (2) 匝间保护:保护电抗器的匝间短路故障。 (3) 瓦斯保护和温度保护:保护...
超高压可控并联电抗器保护研究
1 超高压可控并联电抗器保护研究 岳 雷,刘建飞 (华北电力大学四方研究所,北京, 102206) 摘 要: 本文介绍了超高压可控并联电抗器的主要功 能、分类以及磁阀式和变压器式可控电抗器的基本工 作原理、主要工作特性和国内外研究现状,并分析了 在超高压可控电抗器保护中存在的问题。 关键词: 可控并联电抗器;磁阀式;变压器式;继电 保护 0 引言 在超高压、大容量电网中,由于受发电能 力和电力负荷变化的制约,导致电网电压的控 制非常困难。通常,综合采用普通超高压并联 电抗器、可投切低压并联电抗器、发电机进相 运行和一定数量的静止无功补偿器来解决上述 问题。但是普通超高压电抗器容量不可控,低 压电抗器只能分组投切,存在受变压器容量限 制和出力严重不足的问题。现有的相控静止补 偿装置只能用在低压侧补偿, 且价格十分昂贵, 不可能大量采用 [1] 。 为了解决远距离、 大容量电能输送的问题, 紧
磁阀式可控电抗器的优化设计
对提高磁阀式可控电抗器(magnetic control reactor,MCR)响应速度进行了研究,提出通过控制MCR的晶闸管触发角来提高响应速度,通过控制续流二极管的关断使MCR快速退出运行的方案,并给出具体的设计方法。模拟实验结果验证了该方案可行,具有实际应用价值。
MCR(magnetic control reactor),全称是磁阀式可控电抗器,简称MCR,是一种容量可调的并联电抗器,主要用于电力系统的无功补偿。
包装清单
由于电力系统的需求,可控电抗器一直以来就是一个研究热点,其中前苏联科学家提出的借助直流控制的磁饱和型可控电抗器得到了推广和应用。该类电抗器是借助控制回路直流控制电流的激磁改变铁心的磁饱和度,从而达到平滑调节无功输出的目的。它是在磁放大器的基础上发展起来的。
磁控电抗器由控制部分和电抗器本体组成,原理图(单相)如下,该电抗器的主铁芯中间部分是长度为L的小截面段,上下两个半芯柱上分别对称地绕有匝数为N/2的绕组;每一铁芯柱的上(下)绕组有一抽头比为δ=N2/N的抽头,它们与各自铁芯柱的下(上)绕组的首(末)端之间接有晶闸管K1和K2,不同铁芯的上、下两个绕组交叉联接后并至电网,二极管D则横跨在交叉端点用于续流。当晶闸管K1、K2均不导通时,可控电抗器相当于空载变压器,容量很小;若在电源电压的正负半周内轮流触发导通K1、K2,则可在绕组回路中产生一定大小的直流偏磁电流,其在两并联绕组中自成回路,不流向外部电路。该控制电流所产生的直流磁通使工作铁芯柱饱和,可控电抗器等值容量增大。调节晶闸管触发延迟角的大小可以改变铁芯磁饱和度,从而达到控制电抗器容量的目的。2100433B
2016年2月24日,《超高压分级式可控并联电抗器晶闸管阀》发布。
2016年9月1日,《超高压分级式可控并联电抗器晶闸管阀》实施。
可控硅有多种分类方法。
(一)按关断、导通及控制方式分类:可控硅按其关断、导通及控制方式可分为普通可控硅、双向可控硅、逆导可控硅、门极关断可控硅(GTO)、BTG可控硅、温控可控硅和光控可控硅等多种。
(二)按引脚和极性分类:可控硅按其引脚和极性可分为二极可控硅、三极可控硅和四极可控硅。
(三)按封装形式分类:可控硅按其封装形式可分为金属封装可控硅、塑封可控硅和陶瓷封装可控硅三种类型。其中,金属封装可控硅又分为螺栓形、平板形、圆壳形等多种;塑封可控硅又分为带散热片型和不带散热片型两种。
(四)按电流容量分类:可控硅按电流容量可分为大功率可控硅、中功率可控硅和小功率可控硅三种。通常,大功率可控硅多采用金属壳封装,而中、小功率可控硅则多采用塑封或陶瓷封装。
(五)按关断速度分类:可控硅按其关断速度可分为普通可控硅和高频(快速)可控硅。
(六)过零触发-一般是调功,即当正弦交流电交流电电压相位过零点触发,必须是过零点才触发,导通可控硅。
(七)非过零触发-无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过改变正弦交流电的导通角(角相位),来改变输出百分比。