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等离子体增强化学气相沉积系统

等离子体增强化学气相沉积系统是一种用于化学、材料科学领域的工艺试验仪器,于2015年1月30日启用。

等离子体增强化学气相沉积系统基本信息

等离子体增强化学气相沉积系统主要功能

薄膜材料。

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等离子体增强化学气相沉积系统造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-1500 490×380×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
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等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-6000 980×760×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
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等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-9000 980×1140×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
查看价格

等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-22500 2000×1500×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
查看价格

等离子体静电空气净化装置

  • VBK-Z-33000 2000×2000×210
  • 伟一(V1)
  • 13%
  • 东莞市伟一环境科技有限公司
  • 2022-12-07
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8000火灾报警系统

  • 64点LED显示面板三卡
  • 湛江市2005年1月信息价
  • 建筑工程
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8000火灾报警系统

  • 65点LED显示面板
  • 湛江市2005年1月信息价
  • 建筑工程
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消防电源监控模块

  • 智能型
  • 韶关市2022年3月信息价
  • 建筑工程
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消防电源监控模块

  • 智能型
  • 韶关市2021年12月信息价
  • 建筑工程
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消防电源监控模块

  • 智能型
  • 韶关市2021年11月信息价
  • 建筑工程
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等离子体净化装置

  • 1.型号:VBK-HD-13B2.规格:风量=1360/h
  • 3台
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-09-29
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等离子体净化装置

  • 1.型号:VBK-HD-13B2.规格:风量=1360/h
  • 3台
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-10-15
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电感耦合等离子体质谱仪

  • 参数配置详见附件
  • 1台
  • 1
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-09-21
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等离子体空气净化消毒机

  • 等离子体空气净化消毒机1.型式:等离子体空气净化消毒机2.规格:积≤60m3
  • 20只
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2022-07-04
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光氢等离子体空气净化消毒机

  • (1)名称:光氢等离子体空气净化消毒机UVP-20-50(2)规格:风量:8000-14000m3/h功率:20W/220V
  • 5台
  • 1
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2021-05-08
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等离子体增强化学气相沉积系统技术指标

(1) 极限真空为3×10-4 Pa;在真空室下方设一个气体截流阀,截流阀连续可调,控制反应室的工作气压。衬底可升降200mm,衬底旋转,转速为30~60转/分;基片加热为700±1℃; (2) 喷淋头分为三层结构,上部水冷,喷口处要求绝缘;Zn源管可拆卸,便于清洗, Zn源管与O源孔位的加工,必须使布气均匀;四周有石英罩,距样品台边缘距离20-30mm,电离电极侧进口。

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等离子体增强化学气相沉积系统常见问题

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等离子体增强化学气相沉积系统文献

气相沉积 气相沉积

气相沉积

格式:pdf

大小:423KB

页数: 1页

气相沉积

过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传… 过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传…

过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传…

格式:pdf

大小:423KB

页数: 5页

介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉成膜系统,对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究,实验观察到,弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高,过滤管道的传输效率越高,但聚焦磁场高过一定阈值时,会出现起弧不稳现象,此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关,过滤管道正偏压在40 ̄60V范围内,管道磁场在7 ̄11mT时传输效率较高,偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高。

等离子体增强化学气相沉积设备主要功能

低温成膜,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀;等离子体对基片有清洗作用;该设备主要应用等离子体化学气相沉积技术,用来制作SiO2、SiN4、非品Si等介电、半导体及金属膜。

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等离子体增强化学气相沉积设备技术指标

直径450*H400mm,真空极限优于6.7*10-5Pa,频率13.56MHz.低温成,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀,等离子体对基片有清洗作用。

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感应耦合式等离子体增强型化学气相沉积系统主要功能

低温工艺,可在温室下进行SiO2淀积。

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