选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
薄膜材料。
(1) 极限真空为3×10-4 Pa;在真空室下方设一个气体截流阀,截流阀连续可调,控制反应室的工作气压。衬底可升降200mm,衬底旋转,转速为30~60转/分;基片加热为700±1℃; (2) 喷淋头分为三层结构,上部水冷,喷口处要求绝缘;Zn源管可拆卸,便于清洗, Zn源管与O源孔位的加工,必须使布气均匀;四周有石英罩,距样品台边缘距离20-30mm,电离电极侧进口。
等离子体聚合物在结构上与普通的聚合物显著不同,它能形成含有活性基团的高度交联的网络结构,从而具有良好的均匀性及对基质的附着性[1,2].有关采用等离子体聚合膜的TSM传感器的报道不多[3,4],本室已...
等离子体又叫做“电浆”,是由部分电子被剥夺后的原子及原子被电离后产生的正负电子组成的离子化气体状物质 在人工生成等离子体的方法中,气体放电法比加热的办法更加简便高效,如荧光灯、霓虹灯、电弧焊、电晕放电...
低温等离子体:适合的应用材料的表面清洗活化焊接,油漆,打印,密封,起泡,涂覆及硅化前表面活化处理。气体裂解和高效灭菌加速化学反应产品特点:突破低气压限制,可在大气压下引发等离子体;可对材料连续在线处理...
过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传…
介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉成膜系统,对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究,实验观察到,弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高,过滤管道的传输效率越高,但聚焦磁场高过一定阈值时,会出现起弧不稳现象,此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关,过滤管道正偏压在40 ̄60V范围内,管道磁场在7 ̄11mT时传输效率较高,偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高。
低温成膜,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀;等离子体对基片有清洗作用;该设备主要应用等离子体化学气相沉积技术,用来制作SiO2、SiN4、非品Si等介电、半导体及金属膜。
直径450*H400mm,真空极限优于6.7*10-5Pa,频率13.56MHz.低温成,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀,等离子体对基片有清洗作用。
低温工艺,可在温室下进行SiO2淀积。