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(1) 极限真空为3×10-4 Pa;在真空室下方设一个气体截流阀,截流阀连续可调,控制反应室的工作气压。衬底可升降200mm,衬底旋转,转速为30~60转/分;基片加热为700±1℃; (2) 喷淋头分为三层结构,上部水冷,喷口处要求绝缘;Zn源管可拆卸,便于清洗, Zn源管与O源孔位的加工,必须使布气均匀;四周有石英罩,距样品台边缘距离20-30mm,电离电极侧进口。
薄膜材料。
国内外企业利用低温等离子体技术在环保方面开发出了“低温等离子体有机废气净化设备”、“低温等离子体废水净化设备”及“低温等离子体汽车尾气净化技术”。1、低温等离子体在保鲜、杀菌、除臭等方面产品开发,目前...
低温等离子体物理与技术经历了一个由60年代初的空间等离子体研究向80年代和90年代以材料为导向研究领域的大转变,高速发展的微电子科学、环境科学、能源与材料科学等,为低温等离子体科学发展带来了新的机遇和...
等离子体聚合物在结构上与普通的聚合物显著不同,它能形成含有活性基团的高度交联的网络结构,从而具有良好的均匀性及对基质的附着性[1,2].有关采用等离子体聚合膜的TSM传感器的报道不多[3,4],本室已...
过滤真空弧等离子体沉积成膜系统的磁过滤管道传…
介绍了采用90°螺旋管的过滤真空弧等离子体沉成膜系统,对磁过滤管道的传输特性进行了实验研究,实验观察到,弧源聚焦磁场和过滤管道正偏压越高,过滤管道的传输效率越高,但聚焦磁场高过一定阈值时,会出现起弧不稳现象,此阈值的大小同过滤管道磁场及偏压的大小有关,过滤管道正偏压在40 ̄60V范围内,管道磁场在7 ̄11mT时传输效率较高,偏压越高达到最佳传输效率所需的过滤管道磁场越高。
低温成膜,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀;等离子体对基片有清洗作用;该设备主要应用等离子体化学气相沉积技术,用来制作SiO2、SiN4、非品Si等介电、半导体及金属膜。
直径450*H400mm,真空极限优于6.7*10-5Pa,频率13.56MHz.低温成,温度对基片影响小,可制备厚膜,膜层成分均匀,等离子体对基片有清洗作用。
低温工艺,可在温室下进行SiO2淀积。