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dmos基本简介

dmos基本简介

DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET(vertical double-diffused MOSFET)和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET(lateral double-dif fused MOSFET)。 DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的，DMOS的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的LDMOS器件，其中一个最主要的考察参数是导通电阻，用R ds(on)表示。导通电阻是指在器件工作时，从漏到源的电阻。对于 LDMOS器件应尽可能减小导通电阻，就是BCD(Bipolar-CMOS-DMOS，双极-互补金属氧化物半导体-双重扩散金属氧化物半导体)工艺流程所追求的目标。当导通电阻很小时，器件就会提供一个很好的开关特性，因为漏源之间小的导通电阻，会有较大的输出电流，从而可以具有更强的驱动能力。DMOS的主要技术指标有:导通电阻、阈值电压、击穿电压等。 在功率应用中，由于DMOS技术采用垂直器件结构(如垂直NPN双极晶体管)，因此具有很多优点，包括高电流驱动能力、低Rds导通电阻和高击穿电压等。

dmos造价信息

市场价
信息价
询价

公园简介及地图

规格型号：
公园简介及地图(户外高清喷涂广告画) 有专业公司制作及安装具体内容有业主确定
价格行情：
材料单位：
m²
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
佛山市南海区美锦广告有限公司
报价时间：
2022-12-06

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公园简介及地图

规格型号：
公园简介及地图(户外高清喷涂广告画) 有专业公司制作及安装具体内容有业主确定
价格行情：
材料单位：
m²
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
佛山市铭策广告工艺有限公司
报价时间：
2022-12-06

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基本膜

规格型号：
品种:软膜天花;龙骨类型:铝合金龙骨
价格行情：
材料单位：
m2
材料品牌：
巴力星
材料税率：
13%
供应商：
锦绣欣诚软膜天花公司
报价时间：
2022-12-06

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基本膜

规格型号：
品种:软膜天花;龙骨类型:PVC龙骨
价格行情：
材料单位：
m2
材料品牌：
巴力星
材料税率：
13%
供应商：
锦绣欣诚软膜天花公司
报价时间：
2022-12-06

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人文社科科学系简介更换内容

规格型号：
2400mm×1200mm，室外高精度写真画面，带背胶
价格行情：
材料单位：
m2
材料品牌：
材料税率：
13%
供应商：
成都市众之艺展览展示有限公司
报价时间：
2022-12-06

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MSTP光设备STM-4

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2021年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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MSTP光设备STM-1

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2021年1季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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MSTP光设备STM-1

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2020年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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MSTP光设备STM-1

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2020年1季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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MSTP光设备STM-1

规格型号：
基本单元(不含光接口、以太网接口单元、2Mb/s板)
价格行情：
材料单位：
套
材料税率：
地区时间：
广东2019年4季度信息价
所属行业：
电网工程
备注说明：

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公园简介及地图

规格型号：
公园简介及地图(户外高清喷涂广告画) 有专业公司制作及安装具体内容有业主确定
需求量：
6.4m²
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2015-11-19

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人物简介

规格型号：
1.内容:方形人物简介2.方形尺寸与个数:360×180mm×10个3.底板材质:10mm厚亚克力板雕刻成型4.表面加工:喷漆后UV喷印,上光油5.黏结方式:玻璃胶粘贴6.安装方式:机具、人工、制作安装
需求量：
10个
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2019-12-18

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场地基本清表

规格型号：
场地基本清表
需求量：
1场地基本清表
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2010-06-30

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四级标题字(简介)

规格型号：
1、材料品种、规格、颜色:专业定制四级标题字(简介)
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
无
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2016-07-19

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四级标题字(简介)

规格型号：
1、材料品种、规格、颜色:专业定制四级标题字(简介)
需求量：
1套
报价数：
1
材料品牌：
无
材料档次：
高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2016-07-19

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dmos简介

DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的，DMOS的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的LDMOS器件，其中一个最主要的考察参数是导通电阻，用R ds（on）表示。导通电阻是指在器件工作时，从漏到源的电阻。对于 LDMOS器件应尽可能减小导通电阻，就是BCD(Bipolar-CMOS-DMOS，双极—互补金属氧化物半导体—双重扩散金属氧化物半导体)工艺流程所追求的目标。当导通电阻很小时，器件就会提供一个很好的开关特性，因为漏源之间小的导通电阻，会有较大的输出电流，从而可以具有更强的驱动能力。DMOS的主要技术指标有：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。
在功率应用中，由于DMOS技术采用垂直器件结构(如垂直NPN双极晶体管)，因此具有很多优点，包括高电流驱动能力、低Rds导通电阻和高击穿电压等。2100433B 解读词条背后的知识 酷扯儿 《酷扯儿》官方帐号
SiC-DMOS转移特性和输出IV特性
「来源: ｜半导体技术人 ID：semiconductor_device」（1）SiC-DMOS结构（2）SiC-DMOS转移特性和输出IV特性...
2021-06-240阅读35

dmos基本简介常见问题

通草的基本简介

通草为五加科植物通脱木的茎髓，归肺、胃经，清势利水；通乳，用于淋症涩痛；小便不利；水肿；黄疸；湿温病；小便短赤；产后乳少；经闭；带下。药草属性【药名】：通草【拼音】：tong cao【英文】：Rice...
T接端子的基本简介

建筑电气配电常用插接式母线槽，母线槽的优点很多，但是在实践应用上暴露出来的占用空间大、系统接点多、安全可靠性差、造价昂贵的缺点却是显而易见的。近年来预分支电缆的应用正在逐步推广中，然而因其设计上的麻烦...
异径管的基本简介

reducer又称大小头。化工管件之一，用于两种不同管径的管子的连接。又分为同心大小头和偏心大小头。参见管件。异径管材质包括不锈钢异径管，合金钢，异径管碳钢大小头，异径管20号钢q234q345等...

dmos基本简介文献

防腐木基本简介

防腐木基本简介

防腐木基本简介

格式：pdf

大小：14KB

页数： 7页

防腐木基本简介防腐木分类：松木类：樟子松、欧洲赤松（芬兰木）、美国南方松、铁杉、红雪松（红崖柏）等。硬木类：印尼菠萝格、柳桉、山樟木、银口树等。防腐木特点：自然、环保、安全（木材成原本色，略显青绿色）、无特殊气味、不易吸水、含水率低、耐潮湿、不易变形、加工性能好、防腐、防霉、防蛀、防白蚁侵袭等可保持 10-30 年以上不变。防腐木用途：适用于桑拿房及浴室、装饰墙板、游泳池地板、园艺小品、庭院、厨房、阳台、玄关、花圃、露台、亲水河岸、屋顶、家具等。防腐木制作：在真空状态下，将木材浸注于防腐剂中，通过高压使得药剂浸入木材组织细胞中，紧密地与其细胞纤维组织混合，并且药剂不再被释放，从而彻底改变木材纤维中原有的“养料”成分，使得原先导致木材腐烂的真菌及孢子植物无法寄居生存，并防止齿木类动物的侵袭。防腐木品种介绍：红柏介绍：西部红柏，生长于不列颠哥

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消防工程：气体灭火系统基本简介[工程类精品文档]

消防工程：气体灭火系统基本简介[工程类精品文档]

消防工程：气体灭火系统基本简介[工程类精品文档]

格式：pdf

大小：14KB

页数： 1页

消防工程：气体灭火系统基本简介 [工程类精品文档 ] 本文内容极具参考价值 ,如若有用 ,请打赏支持 ,谢谢 ! 大于大于大于气体灭火系统是指平时灭火剂以液体、液化气体或气体状态存贮于压力容器内，灭火时以气体（包括蒸汽、气雾）状态喷射作为灭火介质的灭火系统。并能在防护区空间内形成各方向均一的气体浓度，而且至少能保持该灭火浓度达到规范规定的浸渍时间，实现扑灭该防护区的空间、立体火灾。二十世纪八十年代初有关专家研究表明，包括哈龙灭火剂在内的氯氟烃类物质在大气中的排放，将导致对大气臭氧层的破坏，危害人类的生存环境， 1990年 6月在英国伦敦由 57个国家共同签定了蒙特利尔议定书（修正案），决定逐步停止生产和逐步限制使用氟里昂、哈龙灭火剂。我国于 1991年 6月加入了《蒙特利尔议定书》（修正案）缔约国行列，承诺 2005年停止生产哈龙 1211灭火剂， 2010年停

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DMOS电路简介

DMOS电路2100433B

DMOS和LDMOS器件DMOS/LDMOS器件

DMOS与CMOS器件结构类似，也有源、漏、栅等电极，但是漏端击穿电压高。 DMOS主要有两种类型，垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管VDMOSFET（vertical double-diffused MOSFET）和横向双扩散金属氧化物半导体场效应管LDMOSFET（lateral double-diffused MOSFET）。 DMOS器件是由成百上千的单一结构的DMOS 单元所组成的。这些单元的数目是根据一个芯片所需要的驱动能力所决定的，DMOS的性能直接决定了芯片的驱动能力和芯片面积。对于一个由多个基本单元结构组成的LDMOS器件，其中一个最主要的考察参数是导通电阻，用R ds（on）表示。导通电阻是指在器件工作时，从漏到源的电阻。对于 LDMOS器件应尽可能减小导通电阻，就是BCD工艺流程所追求的目标。当导通电阻很小时，器件就会提供一个很好的开关特性，因为漏源之间小的导通电阻，会有较大的输出电流，从而可以具有更强的驱动能力。DMOS的主要技术指标有：导通电阻、阈值电压、击穿电压等。 在功率应用中，由于DMOS技术采用垂直器件结构(如垂直NPN双极晶体管)，因此具有很多优点，包括高电流驱动能力、低Rds导通电阻和高击穿电压等。 LDMOS由于更容易与CMOS工艺兼容而被广泛采用。LDMOS器件结构如图1所示，LDMOS是一种双扩散结构的功率器件。这项技术是在相同的源/漏区域注入两次，一次注入浓度较大（典型注入剂量 1015cm-2）的砷（As），另一次注入浓度较小（典型剂量1013cm-2）的硼（B）。注入之后再进行一个高温推进过程，由于硼扩散比砷快，所以在栅极边界下会沿着横向扩散更远（图1中P阱），形成一个有浓度梯度的沟道，它的沟道长度由这两次横向扩散的距离之差决定。为了增加击穿电压，在有源区和漏区之间有一个漂移区。LDMOS中的漂移区是该类器件设计的关键，漂移区的杂质浓度比较低，因此，当LDMOS 接高压时，漂移区由于是高阻，能够承受更高的电压。图1所示LDMOS的多晶扩展到漂移区的场氧上面，充当场极板，会弱化漂移区的表面电场，有利于提高击穿电压。场极板的作用大小与场极板的长度密切相关。要使场极板能充分发挥作用，一要设计好SiO2层的厚度，二要设计好场极板的长度。 LDMOS制造工艺结合了BPT和砷化镓工艺。与标准MOS工艺不同的是，在器件封装上，LDMOS没有采用BeO氧化铍隔离层，而是直接硬接在衬底上，导热性能得到改善，提高了器件的耐高温性，大大延长了器件寿命。由于LDMOS管的负温效应，其漏电流在受热时自动均流，而不会象双极型管的正温度效应在收集极电流局部形成热点，从而管子不易损坏。所以LDMOS管大大加强了负载失配和过激励的承受能力。同样由于LDMOS管的自动均流作用，其输入－输出特性曲线在1dB 压缩点（大信号运用的饱和区段）下弯较缓，所以动态范围变宽，有利于模拟和数字电视射频信号放大。LDMOS在小信号放大时近似线性，几乎没有交调失真，很大程度简化了校正电路。MOS器件的直流栅极电流几乎为零，偏置电路简单，无需复杂的带正温度补偿的有源低阻抗偏置电路。 对LDMOS而言，外延层的厚度、掺杂浓度、漂移区的长度是其最重要的特性参数。我们可以通过增加漂移区的长度以提高击穿电压，但是这会增加芯片面积和导通电阻。高压DMOS器件耐压和导通电阻取决于外延层的浓度、厚度及漂移区长度的折中选择。因为耐压和导通阻抗对于外延层的浓度和厚度的要求是矛盾的。高的击穿电压要求厚的轻掺杂外延层和长的漂移区，而低的导通电阻则要求薄的重掺杂外延层和短的漂移区，因此必须选择最佳外延参数和漂移区长度，以便在满足一定的源漏击穿电压的前提下，得到最小的导通电阻。

DMOS和LDMOS器件LDMOS在以下方面具有出众的性能

1.热稳定性；2.频率稳定性；3.更高的增益；4.提高的耐久性；5.更低的噪音；6.更低的反馈电容；7.更简单的偏流电路；8.恒定的输入阻抗；9.更好的IMD性能；10.更低的热阻；11.更佳的AGC能力。LDMOS器件特别适用于CDMA、W-CDMA、TETRA、数字地面电视等需要宽频率范围、高线性度和使用寿命要求高的应用。2100433B

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