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薄膜材料刻蚀与加工。 2100433B
1、可加工片子尺寸:Ф150mm以内。 2、均匀性:±5% (4英寸硅片内)。
TEGAL421等离子刻蚀机射频电源的维修及调整
TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的维 修及调整 TEGAL421 等离子刻蚀机射频电源的电路图如下: 各部分电路的作用, DC Power Supply Board 板是一块电源板提供射频源 工作所需的各路电源,包括电子管工作的高低压。 OSICLACTOR Board 板提供 射频源的激励信号, Q1是震荡管,Q4是推动管,Q3,Q2组成脉宽功率调节电路。 V1和 V2是两个输出电子管,提供所需的射频功率。其中 Lv 是低压变压器,机 器一通电,该变压器就被通电。而 BV 是高压变压器,只有在需要射频输出时才 被通电。 Power Coupler 是入射功率和反射功率检测模块。主机背面的电位器 R5 和 R6 用于矫正入射和反射功率的偏差。 Test Port 测试端口用于检测射频电 源的工作参数。 射频电源的调整 射频电源调整的步骤如下: 1. 关闭交流电源。 2. 移除射频电源
高密度电法.-井下高密度电法
高密度电法.-井下高密度电法
感应耦合等离子体刻蚀法(Inductively Coupled Plasma Etch,简称ICPE)是化学过程和物理过程共同作用的结果。它的基本原理是在真空低气压下,ICP 射频电源产生的射频输出到环形耦合线圈,以一定比例的混合刻蚀气体经耦合辉光放电,产生高密度的等离子体,在下电极的RF 射频作用下,这些等离子体对基片表面进行轰击,基片图形区域的半导体材料的化学键被打断,与刻蚀气体生成挥发性物质,以气体形式脱离基片,从真空管路被抽走。
ICP 设备主要包括预真空室、刻蚀腔、供气系统和真空系统四部分。
(1)预真空室
预真空室的作用是确保刻蚀腔内维持在设定的真空度,不受外界环境(如:粉尘、水汽)的影响,将危险性气体与洁净厂房隔离开来。它由盖板、机械手、传动机构、隔离门等组成。
(2)刻蚀腔体
刻蚀腔体是ICP 刻蚀设备的核心结构,它对刻蚀速率、刻蚀的垂直度以及粗糙度都有直接的影响。刻蚀腔的主要组成有:上电极、ICP 射频单元、RF 射频单元、下电极系统、控温系统等组成。
(3)供气系统
供气系统是向刻蚀腔体输送各种刻蚀气体,通过压力控制器(PC)和质量流量控制器(MFC)精准的控制气体的流速和流量。气体供应系统由气源瓶、气体输送管道、控制系统、混合单元等组成。
(4)真空系统
真空系统有两套,分别用于预真空室和刻蚀腔体。预真空室由机械泵单独抽真空,只有在预真空室真空度达到设定值时,才能打开隔离门,进行传送片。刻蚀腔体的真空由机械泵和分子泵共同提供,刻蚀腔体反应生成的气体也由真空系统排空。
1、 硅片水平运行,机片高(等离子刻蚀去PSG槽式浸泡甩干,硅片受冲击小);
2、下料吸笔易污染硅片(等离子刻蚀去PSG后甩干);
3、传动滚轴易变形(PVDF,PP材质且水平放置易变形);
4、成本高(化学品刻蚀代替等离子刻蚀成本增加)。
此外,有些等离子刻蚀机,如SCE等离子刻蚀机还具备“绿色”优势:无氟氯化碳和污水、操作和环境安全、排除有毒和腐蚀性的液体。SCE等离子刻蚀机支持以下四种平面等离子体处理模式:
直接模式——基片可以直接放置在电极托架或是底座托架上,以获得最大的平面刻蚀效果。
定向模式——需要非等向性刻蚀(anisotropic etching)的基片可以放置在特制的平面托架上。
下游模式——基片可以放置在不带电托架上,以便取得微小的等离子体效果。
定制模式——当平面刻蚀配置不过理想时,特制的电极配置可以提供。
等离子刻蚀机的组成一般包括等离子发生器(工业上常用RF激发法),真空室,和电极。
其工作原理是用等离子体中的自由基(radical)去轰击(bombard)或溅射(sputter)被刻蚀材料的表面分子,形成易挥发物质,从而实现刻蚀的目的。也有部分等离子刻蚀机采用反应离子刻蚀技术(Reactive Ion Etching)。