其在使用过程中的选用原则为:

(1)当三极管使用的环境温度高于30℃时，耗散功率Pcm应降额60-80%使用。

(2)三极管应尽量远离发热元件，以保证三极管能稳定正常地工作。

(3)在三极管的参数中，有一些参数容易受温度的影响如iceo、ubeo和β值。其中iceo和ubeo随温度变化而变化的情况如下:

① 温度每升高6℃，硅管的iceo将增加一倍;

②温度每升高l0℃，锗管的iceo将增加一倍;

③硅管ubeo随温度的变化量约为1·7mv/℃。

⑷如果使用在3V、5V的低电压的情况下，击穿电压不要选择的太大，击穿电压过大(高于15V)，其在低压时的线性就不好，反而影响使用。

⑸输入信号较弱时，建议在初级放大使用插入增益小一些的2SC3356，次级放大选用增益大些的BFQ591或者2SC3357。

⑹选用的高频三极管的特征频率fT应为实际使用频率的六到八倍(至少3倍以上)，以减小使用时的插入噪声以及提高增益。

(7)在高频或微波电路中使用的三极管，为了减小寄生效应，引出线应尽量短，最好使用表面贴封装形式。

(9)为防止功率三极管出现二次击穿，应尽量避免采用电抗成分过大的负载。

(10)在能满足整机要求放大参数的前提下，选用插入增益与直流放大系数hfe合适的三极管，以防产生自激。一般的，初级放大要求插入增益较小，其直流放大系数hfe要选择较大的，次级放大要求插入增益较大，其直流放大系数hfe不宜过大。

(11)高频三极管在接人电路时，应先接通基极。在集电极和发射极有电压时，不要断开基极电路。

(12)高频三极管的种类很多，因此应根据具体电路的要求来确定三极管的类型，然后根据三极管的主要参数进行选用。

现在，国外品牌的高频三极管市场占有量较大。因为其芯片生产技术难度大于大规模集成电路，国内生产高频三极管芯片的厂家很少，下面就进口高频三极管与国产高频三极管对比列表如下:

超高频低噪声功率管是一种基于N型外延层的晶体管，具有高功率增益、低噪声的功率特性以及大动态范围和理想的电流特性。主要应用于VHF，UHF，CATV,无线遥控、射频模块等高频宽带低噪声放大器。

产品型号:MAP198

代替型号:BFG198

封装形式:SOT-223

Ft(GHz):8

电压(v):10

电流I(mA):100

功率(mW):1000

极性:NPN

高频三极管的结构多为扩散型管，它的PN结反向击穿电压较低。低频三极管多采用合金型结构，它的PN结反向击穿电压较高。可以利用这两种三极管在结构上的不同，用万用表不同欧姆挡量程表内电压的不同，通过检测PN结是否击穿来对高、低频三极管进行判断测量。具体方法如下:

将万用表置Rx1k档，测量发射结的反向电阻(对于NPN型三极管，负表笔接发射极，正表笔接基极;对于PNP型三极管，则正表笔接发射极，负表笔接基极)。然后，将万用表改至Rx10k再次测量反向电阻。若此时万用表指针偏转一个较大的角度，则可判断被测三极管是高频管;若万用表指针偏转很小的角度，则可判断被测三极管是低频管。

需要说明的是，由于三极管PN结反向击穿电压大小不同，"再加上不同万用表内的电池电压也不相同，这种判断方法不是很准确的。