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高压晶体炉 TDR-GY系列液封直拉法高压晶体炉

《高压晶体炉 TDR-GY系列液封直拉法高压晶体炉》是2007年8月28日发布的一项行业标准。

高压晶体炉 TDR-GY系列液封直拉法高压晶体炉基本信息

高压晶体炉 TDR-GY系列液封直拉法高压晶体炉简介

备案信息

备案号:21734-20072100433B

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高压晶体炉 TDR-GY系列液封直拉法高压晶体炉造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

旋翼湿式液封水表

  • LXS-40F(DN40)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
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旋翼湿式液封水表

  • LXS-50F(DN50)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

旋翼湿式液封水表

  • LXS-32F(DN32)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

旋翼湿式液封水表

  • LXS-15F (DN15)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

旋翼湿式液封水表

  • LXS-20F(DN20)
  • 宁波
  • 13%
  • 宁波水表股份有限公司
  • 2022-12-08
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加热

  • 箱式RJX-75-9
  • 台班
  • 汕头市2006年1月信息价
  • 建筑工程
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加热

  • 箱式RJX-45-9
  • 台班
  • 汕头市2005年1季度信息价
  • 建筑工程
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混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2012年2季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2012年1季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2011年2季度信息价
  • 建筑工程
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石材表面结晶体处理

  • 石材表面结晶体处理
  • 5000m²
  • 3
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2018-03-23
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晶体的结构

  • 1200×800×1150
  • 1项
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2022-09-21
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晶体硅光伏组件

  • 1、外形尺寸:2094mm×1038mm×35mm2、峰值功率(Pmax)阅45Wp3、玻璃盖板:3.2 mm布纹钢化玻4、输出582块电缆:1×mmm2 ,长约1.0米5、组件重量(kg):23.3.
  • 582块
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2022-07-04
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三用熔快淬

  • 产量:感应快淬喷0.5kg-5kg/,电弧快淬喷带2kg-50kg/,铸片2kg-10kg/、最大充气压力:0.03MPa(相对压力)、抽真空时间:≤40min
  • 1台
  • 3
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-09-04
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微波

  • 微波
  • 24个
  • 1
  • 老板
  • 中高档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2020-03-15
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高压晶体炉 TDR-GY系列液封直拉法高压晶体炉常见问题

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高压晶体炉 TDR-GY系列液封直拉法高压晶体炉文献

人造石英晶体高压釜实验应力分析 人造石英晶体高压釜实验应力分析

人造石英晶体高压釜实验应力分析

格式:pdf

大小:573KB

页数: 5页

对某厂生产的300mm人造石英晶体高压釜进行了应力应变实体测试,实测结果与理论计算结果比较吻合。对结果进行了分析,得出了沿釜体外壁轴向应力与周向应力的分布规律,给出了典型点轴向、周向εP关系图。

焦炉炉门高压水自动清扫装置的研制 焦炉炉门高压水自动清扫装置的研制

焦炉炉门高压水自动清扫装置的研制

格式:pdf

大小:573KB

页数: 2页

研制了高压水自动清扫炉门装置,可彻底清除焦炉炉门上耐火砖及不锈钢刀边上的焦油及焦碳等结垢,保证炉门与焦炉本体的密封性,杜绝炉内有害气体及烟尘的外泄,达到了保护环境、降低操作工人的劳动强度、改善焦炉现场工作环境的效果。

高压液封直拉法简介

由于Ⅲ一V族化合物半导体中的磷化铟、磷化镓等在熔点时具有很高的离解压,因此从熔体中生长单晶的工艺变得十分困难。自从出现液封直拉法后,又进一步改进炉子的机械结构强度,解决了由于炉内充高压惰性气氛带来的高压气体密封问题。采用氧化硼为密封剂,进行磷化镓等直拉单晶生长,这种技术称为高压液封直拉法。

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高压液封直拉法工艺特点

目前用于制备磷化镓的高压单晶炉可充100-200大气压的惰性气体。这种工艺的拉晶技术大体上和液封直拉法相同,只是因为炉内惰性气体压力很大,因此引起强烈的对流,从而给单晶生长带来更多的困难。但它目前仍然是从熔体中生长大直径磷化物单晶的最好方法之一。

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高压液封直拉法制备砷化镓单晶

高压液封直拉法是用高压单晶炉拉制GaAs单晶,拉晶时炉内惰性气体压力为3-6兆帕,B2O3覆盖层的厚度为10-20毫米。由于其合成温度低,时间短,则可有效地控制硅及其他杂质的污染,使半绝缘GaAs堆晶的迁移率大幅度提高。而且,这一方法还可制取较大直径的圆形<100>晶片。工艺中控制砷/镓比是获得半绝缘不掺杂质单晶的关键。

高压液封直拉法,可提高单晶纯度,扩大<100>单晶圆片直径,简化生产工艺,降低成本。比水平法和常压直拉法的单晶,更能符合微波场效应器件和超高速大容量集成电路的需要。

2100433B

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