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主要起草单位:昆山双桥传感器测控技术有限公司、沈阳仪表科学研究院、传感器国家工程研究研究中心、国家仪器仪表元器件质量监督检验中心。
主要起草人:尤彩红、刘沁、王冰、王文襄、刘波、徐秋玲、徐长伍等。 2100433B
2011年7月29日,《硅压阻式动态压力传感器》发布。
2011年12月1日,《硅压阻式动态压力传感器》实施。
微型、薄型动态压力传感器
微型、薄型动态压力传感器 一、CYG502型超微型压力传感器 (绝压 ) 标称尺寸外径 2mm的超微型压力传感器 CYG502是专为流体力学实验中要求更小安装尺 寸的用途而设计的。是目前我公司推出产品中尺寸最小的压力传感器。 CYG502的压力敏感元件采用当代最先进的 MEMS(Miro Electronic Machinical Systems) 技术设计与制造。 三维集成、 双面加工的硅压阻压力敏感元件具有优秀的线性精度。 离子注 入、精细光刻技术制作的惠斯顿应变电桥的高度一致性使其具有很小的温度漂移。 采用硅硅 直接键合技术、 倒 V型槽设计、 从而实现了可利用芯片薄膜尺寸的最佳化, 为超微型传感器 的实现取得关键突破。 使用了硅–硅键合技术,改善了热匹配效果,减少了应力带来的零位不稳定性。 目前已面市品种有绝压型测量模式产品,表压型正在研制中。 二、CYG503型微型压力传感器(
基于世界领先的MEMS硅微加工技术,压阻式加速度传感器具有体积小、低功耗等特点,易于集成在各种模拟和数字电路中,广泛应用于汽车碰撞实验、测试仪器、设备振动监测等领域。加速度传感器网为客户提供压阻式加速度传感器/压阻加速度计各品牌的型号、参数、原理、价格、接线图等信息。
压电式加速度传感器的性能和参数与压阻式加速度传感器的性能和参数一样,包括灵敏度、频率响应、精度误差等。但是,两者性能有较大差别,例如压电式加速度传感器是电容性的,高阻抗,而压阻式加速度传感器是电阻性,低阻抗;压电式加速度传感器的频响范围较窄,在恒定方向加速度下压电式加速度传感器不输出信号,通常其频响范围为2~270Hz;压电式加速度传感器的误差较小,通常约为压阻式加速度传感器的一半。
压阻式传感器是根据半导体材料的压阻效应在半导体材料的基片上经扩散电阻而制成的器件。其基片可直接作为测量传感元件,扩散电阻在基片内接成电桥形式。当基片受到外力作用而产生形变时,各电阻值将发生变化,电桥就会产生相应的不平衡输出。用作压阻式传感器的基片(或称膜片)材料主要为硅片和锗片,硅片为敏感 材料而制成的硅压阻传感器越来越受到人们的重视,尤其是以测量压力和速度的固态压阻式传感器应用最为普遍。