在物体中形成电流的必要条件是要存在导电载流子。金属的导电载流子是自由电子，电解质溶液的导电载流子是正、负离子，半导体材料的导电载流子是电子与空穴，气体中的导电载流子是带电离子。接触时，不同物体间载流子的运动、相互作用会发生变化，形成各种效应。例如：“金属-金属”接触的一个重要效应就是热电偶效应，可以用来测量温度；MOS接触效应可被用作电荷耦合器件（CCD），利用大规模集成技术将感光器件和控制逻辑电路同经离子注入、高掺杂或交叠栅等改善CCD性能的微细加工过的CCD集成在一起，构成摄像的固体器件，广泛地用作图像的固态传感器等 。

两块金属中逸出功大的一个具有较低的电位。此电位差即接触电位差。用光电效应法与热电发射法分别测出的一些金属的逸出功的值。利用此表即可求出其中任二种金属间的接触电位差以及哪一金属具有较低电势。

值得注意的是，金属A、B所带的电荷都分布在其表面上，金属内的电子密度不变，在两金属接触面上正负电荷形成一偶电层。两块金属的接触电位差实质上就是这偶电层产生的 。

接触电效应在一些物理过程中起着重要作用。例如半导体与金属接触时所产生的接触电位差（或称肖脱基电位差）将在半导体表面附近形成一个阻挡层。E0为位于材料外表面电子的位能；Eσ为导带底部的能级；EV为价带顶部的能级；分别为半导体和金属的费密能级，两种材料的逸出功之差是eV。接触时电子将从半导体流向金属，导致半导体中电子能级下降(相对金属)，但由于N型半导体中自由电子的密度比金属小得多，半导体所能荷带的正电荷密度很有限，从而能级的下降将是逐渐的，正电荷分布在半导体表面的一个有限厚度(10^-7～10^-8米)的层内。这一层由于自由电子密度降到很小（耗尽层）而具有很高电阻。它对电流成为一个阻挡层。当外电压加在这种半导体－金属结上时，阻挡层的厚度发生变化，若N型半导体是在负电位，则阻挡层厚度将减小，反之阻挡层厚度将增加。这样，电流的大小就同电压的方向有关，从而显示出整流作用。类似地，当N型半导体与P型半导体接触时，接触电效应亦将在接触面两侧附近形成一个势垒区，这就是通常所谓的半导体的PN结 。2100433B

接触电效应在一些物理过程中起着重要作用。例如半导体与金属接触时所产生的接触电位差（或称肖脱基电位差）将在半导体表面附近形成一个阻挡层。E0为位于材料外表面电子的位能；Eσ为导带底部的能级；EV为价 带顶部的能级；分别为半导体和金属的费密能级，两种材料的逸出功之差是eV。接触时电子将从半导体流向金属，导致半导体中电子能级下降(相对金属)，但由于N型半导体中自由电子的密度比金属小得多，半导体所能荷带的正电荷密度很有限，从而能级的下降将是逐渐的，正电荷分布在半导体表面的一个有限厚度(10-7～10-8米)的层内。这一层由于自由电子密度降到很小（耗尽层）而具有很高电阻。它对电流成为一个阻挡层。当外电压加在这种半导体－金属结上时，阻挡层的厚度发生变化，若N型半导体是在负电位，则阻挡层厚度将减小，反之阻挡层厚度将增加。这样，电流的大小就同电压的方向有关，从而显示出整流作用。类似地，当N型半导体与P型半导

体接触时，接触电效应亦将在接触面两侧附近形成一个势垒区，这就是通常所谓的半导体的PN结。 2100433B

直接触电可分为：

单相触电：指人站在地面或其他接地体上，人体的某一部位触及一相带电体所引起的触电。 其危害程度与电压高度、电网中性点的接地方式、带电体对地绝缘等有关。单相触电事故占触电事故的70%以上。

两相触电：指人体有两处同时接触带电的任何两处电源时发生的触电。2100433B

这种类型的触电，触电者受到的电击电压为系统的工作电压，其危险性较大。

确切的说，应该是直接接触电击和间接接触电击 。

直接接触电击：直接接触电击是触及设备和线路正常运行时的带电体发生的电击(如误触接线端子发生的电击)，也称为正常状态下的电击。

间接接触电击：间接接触电击是触及正常状态下不带电，而当设备或线路故障时意外带电的导体发生的电击(如触及漏电设备的外壳发生的电击)，也称为故障状态下的电击。