在广泛的石油化工、医药、试剂、油漆、涂料等工业生产中，易燃、易爆品的盛装、仓储、转运、搅拌、取用过程，料斗料桶、物料架、槽车、混料机、移动容器等器械需要全程、可靠、便捷接地，以杜绝因静电诱发的引燃、引爆风险。
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行业实际采用较多的静电夹主要有如下几种:
1.纯铝压铸虎式夹
2.耐高强度腐蚀不锈钢夹
3.自粘式磁力夹
4.铲式塑柄铝夹
用以防静电的接地夹需遵循如下标准: GB3836.1-2000 GB3836.4-2000
静电夹是能用以导出上述器械上静电的专用工具。通常与金属接地桩(接地铜排)或接地网相连，夹体通过高强度恒力弹簧夹持在需导静电物体上，并通过尖锐的破漆、透锈顶针穿透物体表层的油漆、污渍等绝缘层，使得物体上积聚的静电能被实时导走，确保作业安全。静电夹一般配备直线或弹簧电缆使用。
当前, 在我国市场上的过胶机, 按调节方式可分为调温型和调速型两种，如果按胶水种类可分为液态胶和固态胶两种，液态胶有黄胶、白胶，亚莫尼亚胶、树脂。固态胶是指热熔胶、热熔压敏胶。这两不同的设备又有齿轮泵...
一、文具事务用品：1、文件档案管理类：有孔文件夹（两孔、三孔文件夹）、无孔文件夹（单强力夹、双强力夹、长押夹等）、报告夹、板夹、分类文件夹、挂劳夹、电脑夹、票据夹、档案盒、资料册、档案袋、文件套、名片...
文件档案管理类：有孔文件夹（两孔、三孔文件夹）、无孔文件夹（单强力夹、双强力夹、长押夹等）、报告夹、板夹、分类文件夹、挂劳夹、电脑夹、票据夹、档案盒、资料册、档案袋、文件套、名片盒/册、CD包/册、公...
在广泛的石油化工、医药、试剂、油漆、涂料等工业生产中，易燃、易爆品的盛装、仓储、转运、搅拌、取用过程，料斗料桶、物料架、槽车、混料机、移动容器等器械需要全程、可靠、便捷接地，以杜绝因静电诱发的引燃、引爆风险。
上海卯金刀电子科技有限公司的 KD-1201G 不锈钢静电接地夹 是KD系列静电接地夹 中的一款。
阀门常见分类
阀门常见分类
常见阀门分类 温州展利阀门有限公司 1 阀门常见分类 阀门是流体输送系统中的控制部件，具有截止、调节、导流、防止逆流、 稳压、分流或溢流泄压等功能。 用于流体控制系统的阀门， 从最简单的截止阀到 极为复杂的自控系统中所用的各种阀门， 其品种和规格相当繁多。 阀门可用于控 制空气、水、蒸汽、各种腐蚀性介质、泥浆、油品、液态金属和放射性介质等各 种类型流体的流动。阀门根据材质还分为铸铁阀门，铸钢阀门，不锈钢阀门，铬 钼钢阀门，铬钼钒钢阀门，双相钢阀门，塑料阀门，非标订制等阀门材质。 随着社会的发展， 阀门的应用范围也越来越广， 随之增多的就是阀门的种 类，千变万化，制造商可以根据客户的要求制造出符合使用标准的阀门。 以下是 根据不同的使用特点对阀门进行了划分： 一、阀门总的可分两大类： 第一类自动阀门： 依靠介质（液体、气体）本身的能力而自行动作的阀门。 如止回阀、安全阀、调节阀、疏水阀、减
真石漆常见分类
真石漆常见分类
真石漆的常见分类 随着市场上对油漆涂料的需求的扩大，同时新需求的出现，催发出许多新品 种油漆涂料的出现，真石漆便是这其中的一种。 真石漆，从它的名字上就可以看 出这类的油漆涂料使用后的效果会像一些石材， 多是大理石及花岗岩， 干燥后会 有这些石材的样子。因为这样的效果， 近年来真石漆也受到了许多人的青睐， 那 么真石漆有什么种类，它适用哪些地方呢？ 按饰面效果划分，真石漆可以分为单彩真石漆、多彩真石漆、岩片真石漆及 仿面砖真石漆四类。 1、单彩真石漆 单彩真石漆，采用一种彩砂，颜色单一，仿石效果相对多彩和岩片真石漆要 低，由于价格相对较低，市场需要也大，适合中档住宅小区、厂房、办公楼等。 2、多彩真石漆 多彩真石漆，采用两种以及两种以上的天然彩砂配合乳液和助剂调制而成， 色彩丰富，仿石效果更为逼真，属于高档类真石漆，适合高档酒店、写字楼、别 墅等建筑。 3、岩片真石漆 岩片真石漆是由天然彩
使用时，先将静电夹所配电缆接地端子可靠连接于接地网或专用接地装置，然后用夹钳张口夹持需要接地的罐车、容器即可安全放电。
1、一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置，所述边缘电极连接有第二射频电源；移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源，用于控制第一射频电源和第二射频电源的电压差，以抑制电弧放电和打火。
2、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
3、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
4、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
5、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和第二射频电源具有同样的或不同样的频率。
6、根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源大于13兆赫兹。
7、根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
8、根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源小于13兆赫兹。
9、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述第二射频电源和所述边缘电极之间还依次连接有第二匹配电路和第二高频滤波器。
10、根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
11、根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
12、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，第一射频电源产生的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），第二射频电源产生的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
13、一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置；移相器，其连接于所述第一射频电源，其中，在所述第一射频电源和所述下电极之间还连接有功率分配器，其中，所述功率分配器连接于所述移相器，所述移相器进一步连接所述边缘电极。
14、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
15、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
16、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
17、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源大于13兆赫兹。
18、根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
19、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
20、根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
21、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，耦合于所述基片中心区域的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
22、一种用于权利要求1至21任一项所述的等离子体处理装置的调节基片边缘区域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在制程过程中，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的相位差，以调整基片边缘区域制程速率。
23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的Δφ，使得耦合于所述基片中央区域的射频能量的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域的射频能量的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
针对专利背景中的问题，《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》提出了一种等离子体处理装置。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第一方面提供了一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置，所述边缘电极连接有第二射频电源；移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源。
进一步地，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
进一步地，所述第一射频电源和第二射频电源具有同样的或不同样的频率。
进一步地，所述第二射频电源大于13兆赫兹。
进一步地，所述第二射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
进一步地，所述第二射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，在所述第二射频电源和所述边缘电极之间还依次连接有第二匹配电路和第二高频滤波器。
进一步地，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
进一步地，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，第一射频电源产生的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），第二射频电源产生的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第二方面提供了一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置；移相器，其连接于所述第一射频电源，其中，在所述第一射频电源和所述下电极之间还依次连接有第一匹配网络和功率分配器，其中，所述功率分配器连接于所述移相器，所述移相器进一步连接所述边缘电极。
进一步地，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
进一步地，所述第一射频电源大于13兆赫兹。
进一步地，所述第一射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
进一步地，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
进一步地，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，耦合于所述基片中心区域的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第三方面提供了一种用于《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第一方面或第二方面所述的等离子体处理装置的调节基片边缘区域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在制程过程中，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的相位差，以调整基片边缘区域制程速率。
具体地，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的Δφ，使得耦合于所述基片中央区域的射频能量的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域的射频能量的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》提供的等离子体处理装置能够有效地补偿边缘效应，并且，避免了由于施加于基片中心区域和基片边缘区域的电压距离较近产生的电弧放电和打火。
防静电接地夹使用方法