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在广泛的石油化工、医药、试剂、油漆、涂料等工业生产中，易燃、易爆品的盛装、仓储、转运、搅拌、取用过程，料斗料桶、物料架、槽车、混料机、移动容器等器械需要全程、可靠、便捷接地，以杜绝因静电诱发的引燃、引爆风险。
静电夹是能用以导出上述器械上静电的专用工具。通常与金属接地桩(接地铜排)或接地网相连，夹体通过高强度恒力弹簧夹持在需导静电物体上，并通过尖锐的破漆、透锈顶针穿透物体表层的油漆、污渍等绝缘层，使得物体上积聚的静电能被实时导走，确保作业安全。静电夹一般配备直线或弹簧电缆使用。
用以防静电的接地夹需遵循如下标准: GB3836.1-2000 GB3836.4-2000
接地电阻肯定是越小越好,设备不同要求不同。 在1000v以下中性点直接接地系统中，接地电阻小于或等于4欧，重复接地电阻小于或等于10欧。而电压1000V以下的中性点不接地系统中...
不安全，如果不接地线，会有触电的可能。 接地漏电保护装置常用的有三种 A 一个是单相的，有两个输入，两个输出，两个输入端子中有一个接相线，再一个接N（也就是零线） B &nbs...
防雷接地安全措施： 接闪 接闪装置就是我们常说的避雷针、避雷带、避雷线或避雷网，接闪就是让在一定程度范围内出现的闪电放电不能任意地选择放电通道，而只能按照人们事先设计的防雷系统...
行业实际采用较多的静电夹主要有如下几种:
1.纯铝压铸虎式夹
2.耐高强度腐蚀不锈钢夹
3.自粘式磁力夹
4.铲式塑柄铝夹
上海卯金刀电子科技有限公司的 KD-1201G 不锈钢静电接地夹 是KD系列静电接地夹 中的一款。
质量问题无小事!装修建材小沙子藏大隐患
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用电设施接地安全技术规范
用电设施接地安全技术规范
用电设施接地安全技术规范 第一条 主题内容与适应范围 本规范规定了用电设施接地系统技术管理。 本规范适用于完成公司内部一般用电设施接地检查。 凡属于基建项目的接地，不属于本文件之内，但其技术管理，可参照执行。 第二条 引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。在本标准批准实施时，所示版本均为有效。 所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GB 50057 – 1994 建筑物防雷设计规范 GB 50169 – 1992 电气装置安装工程接地装置施工及验收规范 第三条 名词术语 本标准采用下列定义： 一、保护接地 保护接地是为了保证人身安全和设备安全，将电气设备在正常运行中不带电的金属外壳和金属构件，通过接地装置 与大地或船体的连接。 二、保护接零 保护接零是在三相四线制系统中，将电气设备的金属外壳和金属构件用导线与中性线的连接
使用时，先将静电夹所配电缆接地端子可靠连接于接地网或专用接地装置，然后用夹钳张口夹持需要接地的罐车、容器即可安全放电。
1、一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置，所述边缘电极连接有第二射频电源；移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源，用于控制第一射频电源和第二射频电源的电压差，以抑制电弧放电和打火。
2、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
3、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
4、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
5、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和第二射频电源具有同样的或不同样的频率。
6、根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源大于13兆赫兹。
7、根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
8、根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源小于13兆赫兹。
9、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述第二射频电源和所述边缘电极之间还依次连接有第二匹配电路和第二高频滤波器。
10、根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
11、根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
12、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，第一射频电源产生的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），第二射频电源产生的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
13、一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置；移相器，其连接于所述第一射频电源，其中，在所述第一射频电源和所述下电极之间还连接有功率分配器，其中，所述功率分配器连接于所述移相器，所述移相器进一步连接所述边缘电极。
14、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
15、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
16、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
17、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源大于13兆赫兹。
18、根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
19、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
20、根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
21、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，耦合于所述基片中心区域的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
22、一种用于权利要求1至21任一项所述的等离子体处理装置的调节基片边缘区域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在制程过程中，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的相位差，以调整基片边缘区域制程速率。
23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的Δφ，使得耦合于所述基片中央区域的射频能量的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域的射频能量的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
针对专利背景中的问题，《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》提出了一种等离子体处理装置。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第一方面提供了一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置，所述边缘电极连接有第二射频电源；移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源。
进一步地，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
进一步地，所述第一射频电源和第二射频电源具有同样的或不同样的频率。
进一步地，所述第二射频电源大于13兆赫兹。
进一步地，所述第二射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
进一步地，所述第二射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，在所述第二射频电源和所述边缘电极之间还依次连接有第二匹配电路和第二高频滤波器。
进一步地，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
进一步地，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，第一射频电源产生的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），第二射频电源产生的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第二方面提供了一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置；移相器，其连接于所述第一射频电源，其中，在所述第一射频电源和所述下电极之间还依次连接有第一匹配网络和功率分配器，其中，所述功率分配器连接于所述移相器，所述移相器进一步连接所述边缘电极。
进一步地，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
进一步地，所述第一射频电源大于13兆赫兹。
进一步地，所述第一射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
进一步地，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
进一步地，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，耦合于所述基片中心区域的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第三方面提供了一种用于《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第一方面或第二方面所述的等离子体处理装置的调节基片边缘区域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在制程过程中，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的相位差，以调整基片边缘区域制程速率。
具体地，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的Δφ，使得耦合于所述基片中央区域的射频能量的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域的射频能量的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》提供的等离子体处理装置能够有效地补偿边缘效应，并且，避免了由于施加于基片中心区域和基片边缘区域的电压距离较近产生的电弧放电和打火。
防静电接地夹使用方法