在广泛的石油化工、医药、试剂、油漆、涂料等工业生产中，易燃、易爆品的盛装、仓储、转运、搅拌、取用过程，料斗料桶、物料架、槽车、混料机、移动容器等器械需要全程、可靠、便捷接地，以杜绝因静电诱发的引燃、引爆风险。
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静电夹是能用以导出上述器械上静电的专用工具。通常与金属接地桩(接地铜排)或接地网相连，夹体通过高强度恒力弹簧夹持在需导静电物体上，并通过尖锐的破漆、透锈顶针穿透物体表层的油漆、污渍等绝缘层，使得物体上积聚的静电能被实时导走，确保作业安全。静电夹一般配备直线或弹簧电缆使用。
在广泛的石油化工、医药、试剂、油漆、涂料等工业生产中，易燃、易爆品的盛装、仓储、转运、搅拌、取用过程，料斗料桶、物料架、槽车、混料机、移动容器等器械需要全程、可靠、便捷接地，以杜绝因静电诱发的引燃、引爆风险。
用以防静电的接地夹需遵循如下标准: GB3836.1-2000 GB3836.4-2000
防静电透明胶带 特点： 1、产品透明表面电阻107- 108Ωcm,环保无毒无味； 2、产品表面无静电材料迁移现象. 用途： 包装材料（吸塑盒）,插板,电脑显示器,贴膜等.
德化县
水雨轩功夫茶具电磁炉的特点是：设计独特，重材重艺，用材讲究，质量非常不错。用功夫茶具的时候是要有讲究的，斟茶时壶嘴尽量接近茶杯，可避免茶汤易冷、冲出泡沫或溅出杯外不雅观。茶汤循环往复倒入茶杯，此称“关...
行业实际采用较多的静电夹主要有如下几种:
1.纯铝压铸虎式夹
2.耐高强度腐蚀不锈钢夹
3.自粘式磁力夹
4.铲式塑柄铝夹
上海卯金刀电子科技有限公司的 KD-1201G 不锈钢静电接地夹 是KD系列静电接地夹 中的一款。
静电漆施工合同
静电漆施工合同
共 7页第 1页 抗静电环氧 自流平地坪工程 施工合同 （合同编号： JGSX-ZLFB-2012-007 ） 甲 方（定做方）： 乙 方（承做方）： 签署日期： 2012 年 月 日 共 7页第 2页 环氧地坪工程承揽合同 甲方： 乙方： 根据《中华人民共和国合同法》以及有关规定，为了明确双方在 合同执行中的权利、义务和经济责任，经双方充分协商，同意签订本合 同，共同遵守。 1、 承揽名称、地点、方式 1) 承揽项目名称 :环氧树脂防静电漆自流平地面工程 2) 承揽项目地点 : 3) 承 揽 方 式 : 大包干（包工、包料 、包验收合格） 2、 承揽标的（抗静电环氧自流平地面） 编号 名 称 规 格 颜 色 单 位 数 量 1 实验楼一、二层车 间地面 ≥2mm 灰色 m2 3256 合 计 （M2） 3256 注： 最终按实
电表有功和无功有何区别-
电表有功和无功有何区别-
电表有功和无功有何区别 ? 电能可以转换成各种能量。如：通过电炉转换成热能， 通过电机转换成机械能，通过电灯转换成光能等。在这些转 换中所消耗的电能为有功电能。而记录这种电能的电表为有 功电度表。电工原理告诉我们，有些电器装置在作能量转换 时先得建立一种转换的环境，如：电动机，变压器等要先建 立一个磁场才能作能量转换，还有些电器装置是要先建立一 个电场才能作能量转换。而建立磁场和电场所需的电能都是 无功电能。而记录这种电能的电表为无功电度表。 无功电能在电器装置本身中是不消耗能量的，但会在电 器线路中产生无功电流，该电流在线路中将产生一定的损 耗。无功电度表是专门记录这一损耗的，一般只有较大的电 单位才安装这种电表 有功功率、无功功率、视在功率，可以用直角三角形表 示。 有功功率为底边， 无功功率为直角边， 视在功率为斜边。 用有功和无功的度数即可用勾股定理求出斜边（视在功 率）。 底边
使用时，先将静电夹所配电缆接地端子可靠连接于接地网或专用接地装置，然后用夹钳张口夹持需要接地的罐车、容器即可安全放电。
1、一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置，所述边缘电极连接有第二射频电源；移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源，用于控制第一射频电源和第二射频电源的电压差，以抑制电弧放电和打火。
2、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
3、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
4、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
5、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和第二射频电源具有同样的或不同样的频率。
6、根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源大于13兆赫兹。
7、根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
8、根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源小于13兆赫兹。
9、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述第二射频电源和所述边缘电极之间还依次连接有第二匹配电路和第二高频滤波器。
10、根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
11、根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
12、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，第一射频电源产生的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），第二射频电源产生的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
13、一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置；移相器，其连接于所述第一射频电源，其中，在所述第一射频电源和所述下电极之间还连接有功率分配器，其中，所述功率分配器连接于所述移相器，所述移相器进一步连接所述边缘电极。
14、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
15、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
16、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
17、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源大于13兆赫兹。
18、根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
19、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
20、根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
21、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，耦合于所述基片中心区域的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
22、一种用于权利要求1至21任一项所述的等离子体处理装置的调节基片边缘区域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在制程过程中，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的相位差，以调整基片边缘区域制程速率。
23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的Δφ，使得耦合于所述基片中央区域的射频能量的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域的射频能量的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
针对专利背景中的问题，《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》提出了一种等离子体处理装置。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第一方面提供了一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置，所述边缘电极连接有第二射频电源；移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源。
进一步地，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
进一步地，所述第一射频电源和第二射频电源具有同样的或不同样的频率。
进一步地，所述第二射频电源大于13兆赫兹。
进一步地，所述第二射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
进一步地，所述第二射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，在所述第二射频电源和所述边缘电极之间还依次连接有第二匹配电路和第二高频滤波器。
进一步地，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
进一步地，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，第一射频电源产生的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），第二射频电源产生的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第二方面提供了一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置；移相器，其连接于所述第一射频电源，其中，在所述第一射频电源和所述下电极之间还依次连接有第一匹配网络和功率分配器，其中，所述功率分配器连接于所述移相器，所述移相器进一步连接所述边缘电极。
进一步地，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
进一步地，所述第一射频电源大于13兆赫兹。
进一步地，所述第一射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
进一步地，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
进一步地，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，耦合于所述基片中心区域的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第三方面提供了一种用于《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第一方面或第二方面所述的等离子体处理装置的调节基片边缘区域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在制程过程中，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的相位差，以调整基片边缘区域制程速率。
具体地，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的Δφ，使得耦合于所述基片中央区域的射频能量的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域的射频能量的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》提供的等离子体处理装置能够有效地补偿边缘效应，并且，避免了由于施加于基片中心区域和基片边缘区域的电压距离较近产生的电弧放电和打火。
防静电接地夹使用方法