在广泛的石油化工、医药、试剂、油漆、涂料等工业生产中，易燃、易爆品的盛装、仓储、转运、搅拌、取用过程，料斗料桶、物料架、槽车、混料机、移动容器等器械需要全程、可靠、便捷接地，以杜绝因静电诱发的引燃、引爆风险。
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静电夹是导出器械上静电的专用工具。
用以防静电的接地夹需遵循如下标准: GB3836.1-2000 GB3836.4-2000
行业实际采用较多的静电夹主要有如下几种:
1.纯铝压铸虎式夹
2.耐高强度腐蚀不锈钢夹
3.自粘式磁力夹
4.铲式塑柄铝夹
在广泛的石油化工、医药、试剂、油漆、涂料等工业生产中，易燃、易爆品的盛装、仓储、转运、搅拌、取用过程，料斗料桶、物料架、槽车、混料机、移动容器等器械需要全程、可靠、便捷接地，以杜绝因静电诱发的引燃、引爆风险。
车间内表面上是用了不少防静电产品，极少客户能定期对防静电产品进行检测，总以为购进来的产品是好的，一定可以达效果。 二、消除设备没有定期保养。 三、没有做好静电接地，电子加工行业，有过半的企业是没有...
常见的静电消除器是通过高压放电针将空气电离，产生正负离子，然后使用风扇将大量正负离子吹向可能产生静电的表面，中和可能存在的静电荷，同时风扇会将带电的离子和静电荷吹走，从而避免了静电放电的产生。
静电夹是能用以导出上述器械上静电的专用工具。通常与金属接地桩(接地铜排)或接地网相连，夹体通过高强度恒力弹簧夹持在需导静电物体上，并通过尖锐的破漆、透锈顶针穿透物体表层的油漆、污渍等绝缘层，使得物体上积聚的静电能被实时导走，确保作业安全。静电夹一般配备直线或弹簧电缆使用。
上海卯金刀电子科技有限公司的 KD-1201G 不锈钢静电接地夹 是KD系列静电接地夹 中的一款。
相关静电标准
相关静电标准
标准集团（香港）有限公司 Standard International Group(HK) Limited 标准集团（香港）有限公司 IEC-ISO 相 关静 电 标 准 IEC/ISO 相关静电标准 IEC 60236 阴极射线管静电偏转电极的命名方法 IEC 60255-22-2继电器 .第 22部分 :测量继电器和保护设备的电干扰试验 .第 2节 :静电放射试 验 IEC 60297-5-103-电子设备的机械结构 .482,6mm(19in)系列的机械结构的尺寸 .第5-103部分 : 静电放电保护 IEC 60749-27-半导体器件 .机械和气候试验方法 .第 27部分 :静电放电灵敏度测试 .机器模型 IEC 60801-2 Electromagnetic compatibility for industrial-process measurement a
防静电
防静电
1、凡有静电危害的工序、设备场所，必须采取相应的安全措施。 2、在可能出现爆炸性气体的区域，必须加强通风措施使其浓度控制在爆炸下限 以下。 3、危险场所作业人员，应根据需要，穿 防静电的鞋和工作服，或设置易于导除 人体静电的设施， 如安装接地栏杆等； 严禁在上述区域穿脱衣服和穿易产生经典 的服装进入该区域；严禁在上述区域，用易燃溶剂（二甲苯等）擦搓衣服，操作 区地面应铺设导电地面，并保证其导电性能。 4、在有经典产生的场所操作、检查，不得携带与工作无关的金属物品，如钥匙、 手表、戒指等。 5、严禁将易产生静电的易燃易爆液体用塑料容器装贮。 6、禁止在装易燃易爆液体的过程中取样、检尺或将金属物品置入罐（槽车）内， 检尺取样应在装料完毕经静置后进行。 7、禁止使用喷射蒸汽加热易燃液体。 8、禁止使用绝缘软管插入易燃液体罐内进行移液作业。 9、在机器发生故障、液体渗漏、改变工艺条件或物料用量改变
使用时，先将静电夹所配电缆接地端子可靠连接于接地网或专用接地装置，然后用夹钳张口夹持需要接地的罐车、容器即可安全放电。
1、一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置，所述边缘电极连接有第二射频电源；移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源，用于控制第一射频电源和第二射频电源的电压差，以抑制电弧放电和打火。
2、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
3、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
4、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
5、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和第二射频电源具有同样的或不同样的频率。
6、根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源大于13兆赫兹。
7、根据权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
8、根据权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二射频电源小于13兆赫兹。
9、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，在所述第二射频电源和所述边缘电极之间还依次连接有第二匹配电路和第二高频滤波器。
10、根据权利要求9所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
11、根据权利要求10所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
12、根据权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，第一射频电源产生的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），第二射频电源产生的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
13、一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置；移相器，其连接于所述第一射频电源，其中，在所述第一射频电源和所述下电极之间还连接有功率分配器，其中，所述功率分配器连接于所述移相器，所述移相器进一步连接所述边缘电极。
14、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
15、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
16、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
17、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源大于13兆赫兹。
18、根据权利要求17所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
19、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
20、根据权利要求19所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
21、根据权利要求13所述的等离子体处理装置，其特征在于，耦合于所述基片中心区域的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
22、一种用于权利要求1至21任一项所述的等离子体处理装置的调节基片边缘区域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在制程过程中，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的相位差，以调整基片边缘区域制程速率。
23、根据权利要求22所述的方法，其特征在于，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的Δφ，使得耦合于所述基片中央区域的射频能量的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域的射频能量的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
针对专利背景中的问题，《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》提出了一种等离子体处理装置。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第一方面提供了一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置，所述边缘电极连接有第二射频电源；移相器，其连接于所述第一射频电源和第二射频电源。
进一步地，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
进一步地，所述第一射频电源和第二射频电源具有同样的或不同样的频率。
进一步地，所述第二射频电源大于13兆赫兹。
进一步地，所述第二射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
进一步地，所述第二射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，在所述第二射频电源和所述边缘电极之间还依次连接有第二匹配电路和第二高频滤波器。
进一步地，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
进一步地，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，第一射频电源产生的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），第二射频电源产生的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第二方面提供了一种等离子体处理装置，包括：一腔室；位于所述腔室内的基座，在所述基座的上方设置有静电夹盘，在所述静电夹盘上方放置有基片；位于所述腔室顶部的气体喷淋头，其同时也作为上电极，制程气体通过所述气体喷淋头进入所述腔室；设置于所述基座之中的下电极，并连接有第一射频电源；聚焦环，其设置于所述基片周围；边缘电极，其靠近所述基片的边缘区域设置；移相器，其连接于所述第一射频电源，其中，在所述第一射频电源和所述下电极之间还依次连接有第一匹配网络和功率分配器，其中，所述功率分配器连接于所述移相器，所述移相器进一步连接所述边缘电极。
进一步地，所述边缘电极设置于所述聚焦环之中，其中，所述聚焦环由绝缘材料制成。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括一第一绝缘体，其设置于所述聚焦环下方，其中，所述边缘电极设置于所述第一绝缘体之中。
进一步地，所述等离子体处理装置还包括：边缘环，其位于所述聚焦环外围；第二绝缘体，其位于所述边缘环下方，其中，所述边缘电极设置于所述边缘环或所述第二绝缘体之中。
进一步地，所述第一射频电源大于13兆赫兹。
进一步地，所述第一射频电源为13.56兆赫兹、27兆赫兹、60兆赫兹、110兆赫兹、120兆赫兹之一。
进一步地，所述第一射频电源和下电极之间还连接有第一匹配电路。
进一步地，所述下电极还连接有第三射频电源，在所述第三射频电源和所述下电极之间还连接有第三匹配电路，其中，所述第一射频电源大于13兆赫兹，所述第三射频电源小于13兆赫兹。
进一步地，耦合于所述基片中心区域的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第三方面提供了一种用于《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》第一方面或第二方面所述的等离子体处理装置的调节基片边缘区域制程速率的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：在制程过程中，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的相位差，以调整基片边缘区域制程速率。
具体地，利用所述移相器选择性地调整耦合于所述基片中央区域和边缘区域的射频能量的电压的Δφ，使得耦合于所述基片中央区域的射频能量的电压值为V1＝V10sin（ωHt φ），耦合于所述基片边缘区域的射频能量的电压值为V2＝V20sin（ωHt φ Δφ），且V10>V20。
《等离子体处理装置及调节基片边缘区域制程速率的方法》提供的等离子体处理装置能够有效地补偿边缘效应，并且，避免了由于施加于基片中心区域和基片边缘区域的电压距离较近产生的电弧放电和打火。
防静电接地夹使用方法