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可变电阻式存储器非易失性存储器

可变电阻式存储器非易失性存储器

非易失性存储器(英语:non-volatile memory,缩写为NVM)是指当电流关掉后,所存储的数据不会消失者的电脑存储器。非易失性存储器中,依存储器内的数据是否能在使用电脑时随时改写为标准,可分为二大类产品,即ROM和Flash memory。

类型

非易失性存储器主要有以下类型:

  • ROM(Read-only memory,只读内存)

    • PROM(Programmable read-only memory,可编程只读内存)

    • EAROM(Electrically alterable read only memory,电可改写只读内存)

    • EPROM(Erasable programmable read only memory,可擦可编程只读内存)

    • EEPROM(Electrically erasable programmable read only memory,电可擦可编程只读内存)

  • Flash memory(闪存)

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可变电阻式存储器造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

分布存储设备

  • 192 TB
  • 分布式存储设备
  • 13%
  • 江苏海通交通集团有限公司南宁分公司
  • 2022-12-07
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视频存储器

  • 型号:DS-AS80216S;
  • 海康
  • 13%
  • 辽宁宇维建筑工程技术有限公司
  • 2022-12-07
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爱国者存储器

  • 加速度感应III代(P758)60G
  • 13%
  • 江门市君信办公设备有限公司
  • 2022-12-07
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程序与组态存储器

  • CF FLASH 2GB
  • 菲尼克斯
  • 13%
  • 长沙市泽菲电气有限公司
  • 2022-12-07
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图像存储器

  • 3TB(硬盘)
  • 慧利创达
  • 13%
  • 北京慧利创达科技有限责任公司
  • 2022-12-07
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低端路由

  • 包转发率不低于IMpps,盒
  • 广东2019年3季度信息价
  • 电网工程
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低端路由

  • 包转发率不低于 1Mpps,盒
  • 广东2022年2季度信息价
  • 电网工程
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低端路由

  • 包转发率不低于1Mpps,盒
  • 广东2021年2季度信息价
  • 电网工程
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低端路由

  • 包转发率不低于1Mpps,盒
  • 广东2020年2季度信息价
  • 电网工程
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低端路由

  • 包转发率不低于1Mpps,盒
  • 广东2019年4季度信息价
  • 电网工程
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数据存储器

  • DS3018XS 6盘位nas存储网络存储器
  • 1台
  • 3
  • 高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2020-12-22
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存储器单元

  • 用于输线路分布故障诊断装置(SX-TUM)
  • 6台
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2020-07-17
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NVR存储器

  • "标准机架式IP存储,嵌入处理,嵌入软硬件设计;≧64路,8盘位,配置应满足当前配置摄像头数量的需要;包含硬盘,硬盘容量应能满足当前项目以3个月回放数据的储存,储存视频数据分辨率为720P或
  • 1台
  • 2
  • 中档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-11-22
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后台存储器

  • 8U机架式48盘位;64位多核处理;16GB缓存;冗余源;支持SATA硬盘;2个千兆网口;1个系统SSD盘. 支持视音频、图片、直接写入,支持视频高速预览、回放、下载,支持云内容灾备份,支持
  • 1套
  • 1
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2022-06-06
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终端存储器

  • 【16T硬盘】 硬件规格 网络接口:2个10/100/100
  • 6套
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2022-05-30
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可变电阻式存储器忆阻器

忆阻器(英语:memristor/ˈmɛmrɨstər/),又名记忆电阻(英语:memory resistors),是一种被动电子元件。如同电阻器,忆阻器能产生并维持一股安全的电流通过某个装置。但是与电阻器不同的地方在于,忆阻器可以在关掉电源后,仍能“记忆”先前通过的电荷量。两组的忆阻器更能产生与晶体管相同的功能,但更为细小。最初于1971年,加州大学伯克利分校的蔡少棠教授根据电子学理论,预测到在电阻器、电容器及电感元件之外,还存在电路的第四种基本元件,即是忆阻器。 正在开发忆阻器的团队包括惠普、SK海力士、HRL实验室。

之后从2000年始,研究人员在多种二元金属氧化物和钙钛矿结构的薄膜中发现了电场作用下的电阻变化,并应用到了下一代非挥发性内存-阻抗存储器(RRAM 或 ReRAM)中。2008年4月,惠普公司公布了基于TiO2的RRAM器件,并首先将RRAM和忆阻器联系起来。但仍然有专家认为,这些实作出的电路,并不是真正的忆阻器。

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可变电阻式存储器可编程金属化单元

可编程金属化单元(英语:programmable metallization cell,缩写为PMC),一种新的非挥发性内存技术,由亚利桑那州立大学开发,这项专利已授权并转移给Axon Technologies公司。它有可能取代快闪存储器。

英飞凌在2004年取得PMC技术的授权,并用来开发导电桥接随机存取内存(conductive-bridging RAM,CBRAM),NEC称为Nanobridge,Sony称其为electrolytic memory。但这些公司都没有做出实际应用成果。

最主要推动 CBRAM 装置的公司是Adesto Technologies,最快有可能在2011年第一季推出首款 CBRAM 样品。

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可变电阻式存储器非易失性存储器常见问题

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可变电阻式存储器相变化内存

相变化内存(英语:Phase-change memory,英语:Ovonic Unified Memory,英语:Chalcogenide RAM,简称PCM,PRAM,PCRAM,CRAM),又译为相变位内存,是一种非易失性存储器装置。PRAM 使用含一种或多种硫族化物的玻璃(Chalcogenide glass)制成。硫属玻璃的特性是,经加热可以改变它的状态,成为晶体(Crystalline)或非晶体(Amorphous)。这些不同状态具有相应的电阻值。因此 PRAM 可以用来存储不同的数值。 它是可能取代快闪存储器的技术之一。 2100433B

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可变电阻式存储器非易失性存储器文献

数字射频存储器模块电路设计 数字射频存储器模块电路设计

数字射频存储器模块电路设计

格式:pdf

大小:66KB

页数: 3页

数字射频存储器(DRFM)经过近30年的发展,已成为大多数现代电子干扰系统的核心控制部件。介绍了数字射频存储器(DRFM)在干扰机中的应用,总结了DRFM的工作原理、实现结构、性能参数及国内外应用现状和发展趋势,特别是在DRFM的基本结构上提出加入调相处理模块的设想,可以优化干扰机,达到有效干扰的目的。

可变电阻的外形特征

可变电阻与普通电阻在外形上有很大的区别,它具有下列一些特征,根据这些特征可以在线路板中识别可变电阻: (1)可变电阻的体积比一般电阻的体积大些,同时电路中可变电阻较少,在线路板中能方便地找到它。 (2)可变电阻共有三根引脚,这三根引脚有区别,一根为动片引脚,另两根是定片引脚,一般两个定片引脚之间可以互换使用,而定片与动片引脚之间不能互换使用。 (3)可变电阻上有一个调整口,用一字螺丝刀伸入此调整口中,转动螺丝刀可以改变动片的位置,进行阻值的调整。 (4)在可变电阻上可以看出它的标称阻值,这一标称阻值是指两个定片引脚之间的阻值,也是某一个定片引脚与动片引脚之间的最大阻值。 (5)立式可变电阻主要使用于小信号电路中,它的三根引脚垂直向下,垂直安装在线路板上,阻值调节口在水平方向。 (6)卧式可变电阻也使用于小信号电路中,它的三根引脚与电阻平面成90°,垂直向下,平卧地安装在线路板上,阻值调节口朝上。 (7)小型塑料外壳的可变电阻体积更小,呈圆形结构,它的三根引脚向下,阻值调节口朝上。 (8)用于功率较大场合下的可变电阻(线绕式结构),体积很大,动片可以左右滑动,进行阻值调节。

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固态存储器内容提要

固态存储器是相对于磁盘、光盘一类的,不需要读写头、不需要存储介质移动(转动)读写数据的存储器。

固态存储器是通过存储芯片内部晶体管的开关状态来存储数据的,由于固态存储器没有读写头、不需要转动,所以固态存储器拥有耗电少、抗震性强的优点。由于成本较高,多以目前大容量存储中仍然使用机械式硬盘;但在小容量、超高速、小体积的电子设备中,固态存储器拥有非常大的优势。

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场效应管可变电阻区可变电阻区的参数特点

在可变电阻区内,当U(GS)不变时,I(D)随U(DS)的增加近似直线上升,且U(GS)越小,该段输出特性曲线斜率越小。此时,场效应管可视作一个受U(GS)控制的压控电阻,且U(GS)越小,等效电阻值越大。也正因此,该区域叫做“可变电阻区”。

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