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1.利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。
2.可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3.由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样就可以进行任意电平的转换了。
4.源极开路提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降沿输出 。2100433B
将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器。
栅极简称为G，源极简称为S，漏极简称为D 。
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管 。
在开关电源中，通常的设计会在MOS管的漏极或者IGBT的C如你所说的加电阻并二极管（应该还要串一电容）至电源的正极。此电路是缓冲电路，吸收电路尖峰，避免开关过程中产生的高压尖峰击穿开关管导致损坏。在不...
一，漏电原因分析 漏电通常是市电相线（也称火线）与家电外壳（包括某些外露的零部件）之间存在一条或多条电流泄漏通路，根据电流泄漏路径不同，主要有以下三种： 1短路性漏电：指市电相线（包括与相线相连的电...
一般TT、TN-C系统采用漏电保护器，漏电空开我没见过单匹的（只断开相线），之所以要断开零线，是怕设备漏电后，沿着零线传输到其他设备外壳去，防止漏电范围扩大
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者
在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄)，形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。
N型导电沟道结型场效应管的电路符号。
将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路--源极输出器
栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。
共漏极双功率MOSFET封装研究
共漏极双功率MOSFET封装研究
针对适用于锂电池保护电路特点要求的共漏极功率MOSFET的封装结构进行了研发和展望。从传统的TSSOP-8发展到替代改进型SOT-26,一直到芯片级尺寸的微型封装外形,其封装效率越来越高,接近100%。同时,在微互连和封装结构的改进方面,逐渐向短引线或焊球无引线、平坦式引脚、超薄型封装和漏极焊盘散热片暴露的方向发展,增强了封装的电性能和热性能。
涟钢CSP开浇漏钢的形式和预防
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本文详述了涟钢CSP自2004年投产以来的各种开浇漏钢的形式，分析了CSP连铸机各种开浇漏钢原因，并针对不同的开浇漏钢原因列举了相应的预防措施。
开漏极就是漏极开路，漏极开路是驱动电路的输出三极管的集电极开路，可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。
特点
组成开漏形式的电路有以下几个特点
1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。
2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。
5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。2100433B
除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：
(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额
(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额
(3)栅源电压UGS—— UGS>20V将导致绝缘层击穿 。
(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS
间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。2100433B
开漏极简介