选择特殊符号
选择搜索类型
请输入搜索
将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路——源极输出器。
栅极简称为G，源极简称为S，漏极简称为D 。
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区（N区一般做得很薄），形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管 。
一般的晶体管是由两种极性的载流子，即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电，因此称为双极型晶体管，而FET仅是由多数载流子参与导电，它与双极型相反，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高(10^8~10^9Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者
在两个高掺杂的P区中间，夹着一层低掺杂的N区(N区一般做得很薄)，形成了两个PN结。在N区的两端各做一个欧姆接触电极，在两个P区上也做上欧姆电极，并把这两P区连起来，就构成了一个场效应管。
N型导电沟道结型场效应管的电路符号。
将两个P区的引出线连在一起作为一个电极，称为栅极，在N型硅片两端各引出一个电极，分别称为源极和漏极，很薄的N区称为导电沟道。共漏极放大电路--源极输出器
栅极简称为G ,源极简称为S,漏极简称为D。
区分方法：场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为∞
原理：两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电，N沟道的多数载流子是电子，p沟道是空穴，当沟道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路，，电场消失，沟道消失。增强型场效应管是高电平导通（高电平时形成沟...
如果要通用要把原理搞清楚，如果是做开关管用，它就相当于一个开关，打开方式是控制栅极电压，n MOS需要Vgs大于导通电压时管子才导通，换成P MOS则相反，需要Vgs小于导通电压，漏源两极才导通。栅极...
1.利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动， 或驱动比芯片电源电压高的负载。
2.可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。通过一只上拉电阻，在不增加任何器件的情况下，形成“与逻辑”关系。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3.由于漏级开路，所以后级电路必须接一上拉电阻，上拉电阻的电源电压就可以决定输出电平。这样就可以进行任意电平的转换了。
4.源极开路提供了灵活的输出方式，但是也有其弱点，就是带来上升沿的延时。因为上升沿是通过外接上拉无源电阻对负载充电，所以当电阻选择小时延时就小，但功耗大；反之延时大功耗小。所以如果对延时有要求，则建议用下降沿输出 。2100433B
55V沟槽型功率场效应管设计
55V沟槽型功率场效应管设计
设计了一款55V N沟道沟槽型功率器件。通过对元胞与边端进行理论分析,结合实际工艺,对元胞与边端进行合理优化。通过对流片测试数据的分析,最终实现击穿电压为69.562V、阈值电压2.85V、特征导通电阻537.8 mΩ·cm2的功率器件设计。仿真与流片的击穿电压偏差1.5%、阈值电压偏差2.4%、导通电阻偏差0.83%,器件具有较高的可靠性。
几款不错的场效应管功放电路图
几款不错的场效应管功放电路图
几款不错的场效应管功放电路图 几款不错的场效应管功放电路图 场效应管多管并联输出， 500W。 场管跟普功率最大不同就是场管是用电压驱动， 在驱动级上有些不一样， 没弄过场管功放， 音质怎要看你设计和工艺！ IRFB33N15D 是一颗非常好的 MOS 管，其导通内阻低达 56m，最大电流为 33A，耐压却 有 150V，常用于 DC/DC 的变换器中，当然，在数字功放中，也经常应用。 其也有不足的地方，其输入电容为 2020pF，和常见的 MOS 管一样，在驱动它时，就要采 用特殊电路来驱动，如同你的电路中的 R29和 D3 并联电路，也是业界惯用手法，其作用 是： 当没有 R29时，Q7的栅极直接接前面的 IC 引脚，其内部都是图腾柱电路， 由于是容性负 载，都会有振荡产生，从而使驱动波形出现振铃现象，产生的后时是， MOS 管开启不够， 内阻大，效率低。 串入 R29可以消除这种振荡
开漏极就是漏极开路，漏极开路是驱动电路的输出三极管的集电极开路，可以通过外接的上拉电阻提高驱动能力。
特点
组成开漏形式的电路有以下几个特点
1. 利用外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC流经R pull-up ，MOSFET到GND。IC内部仅需很小的栅极驱动电流。
2. 可以将多个开漏输出的Pin，连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。当PIN_A、PIN_B、PIN_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。
3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。
4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平。
5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。2100433B
除跨导Gfs、开启电压UT以及td(on)、tr、td(off)和tf之外还有：
(1)漏极电压UDS——电力MOSFET电压定额
(2)漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM——电力MOSFET电流定额
(3)栅源电压UGS—— UGS>20V将导致绝缘层击穿 。
(4)极间电容——极间电容CGS、CGD和CDS
间加正向电压使N型半导体中的多数载流子-电子由源极出发，经过沟道到达漏极形成漏极电流ID。
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压大于参数手册中给定的Vgs就可以了，漏极D接电源，源极S接地。需要注意的是Vgs指的是栅极G与源极S的压差，所以当NMOS作为高端驱动时候，当漏极D与源极S导通时，漏极D与源极S电势相等，那么栅极G必须高于源极S与漏极D电压，漏极D与源极S才能继续导通。2100433B
开漏极简介