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本书结合中国科技大学微电子研究室多年研究设计实践,参阅了国内外集成电路许多有关著作和相关文献编写而成。其宗旨意在加强基础,强调实用,力求简明浅出。
本书以集成电路运算放大器和模拟集成锁相环为代表讨论模拟集成电路原理、设计和应用。集成稳压源、D/A、A/D转换器也在应用一章略加介绍。在集成电路运算放大器方面,既讨论双极型集成运放,也讨论MOS型集成运放,构成Bi-Bi-MOS -MOS系统。
本书共有十二章。第一二章讨论理想集成运放和实际运放;第三章讨论双极型集成运放单元电路;在这基础上,作为单元电路的总结,第四章对Bi集成运放典型电路进行分析;第五章讨论双极型模拟集成电路元器件设计;第六章以本单位设计的两种集成运放作为设计实例进行讨论;第七、八章简要讨论集成运放频率特性和参数测试方法;第九章讨论MOS集成运放,从MOS晶体管到MOS集成运放的单元电路,然后再对Bi-MOS集成运放、CMOS集成运放两种典型电路进行分析;第十章讨论模拟集成锁相环。在讨论单元电路的基础上,以本单位设计的一种模拟集成锁相环为例进行分析;第十一章介绍模拟集成电路应用;第十二章习题。
在本书编写过程中,李名复教授、易波副教授、赵特秀教授给予热情帮助并提出许多宝贵的建议;在编写锁相环一章时,还得到赵天鹏、谢家纯副教授的许多帮助,特此表示衷心感谢。
第一章 理想集成运放
第二章 实际集成运放模型
第三章 Bi集成运放单元电路
第四章 Bi集成运放典型电路
第五章 Bi模拟集成电路中的元器件
第六章 模拟集成电路设计实例
第七章 集成运放频率特性
第八章 集成运放参数测试
第九章 MOS集成运放
第十章 模拟集成锁相环
第十一章 模拟集成电路应用
第十二章 习题
主要参考文献
模拟集成电路与数字集成电路设计差别很大,主要为以下方面:1 用到的背景知识不同,数字目前主要是CMOS逻辑设计,模拟的则偏向于实现某个功能的器件。2 设计流程不同,数字集成电路设计输入为RTL,模拟设...
这书有的是。
模拟集成电路设计主要是通过有经验的设计师进行手动的电路调试模拟而得到,与此相对应的数字集成电路设计大部分是通过使用硬件描述语言在eda软件的控制下自动的综合产生。数字集成电路和模拟集成电路的区别在于数...
“集成电路原理与应用”课程实践教学改革探索
围绕应用型、创新型集成电路相关人才的培养目标,本文详细阐述了\"集成电路原理与应用\"课程实践教学所存在的主要问题,并结合自身实践,介绍了该课程教学内容和教学方法的改革措施.实践证明,通过按照全定制模拟集成电路设计流程进行强化训练和实验考核等措施,能够有效地提高学生的实践能力、创新能力和综合能力.
“集成电路原理与应用”课程实践教学改革探索
本文主要结合集成电路原理应用要点,开展应用型人才培养原则,并且探究课堂教学中存在的不足之处,结合实践发展要求,介绍必要的改革方式以及改革措施,通过优化课程教学内容、创新教学方法、加设前沿性知识内容,最终提升学生对专业的认知和理解能力。
本书涉及整个模拟集成电路实现过程中的元器件原理分析、电路设计、工艺制备等环节,讲述模拟集成电路中的无源元件、结型栅场效应晶体管、MOSFET和CCD;在电路方面,讲述CMOS单级放大器、集成运算放大器和集成功率放大器的分析和设计;在实现方面,讨论版图设计、制程设计、封装设计、PCB设计和半导体制造工艺等。本书旨在提高学生的芯片设计能力和芯片分析能力。
模拟集成电路的基本电路包括电流源、单级放大器、滤波器、反馈电路、电流镜电路等,由它们组成的高一层次的基本电路为运算放大器、比较器,更高一层的电路有开关电容电路、锁相环、ADC/DAC等。根据输出与输入信号之间的响应关系,又可以将模拟集成电路分为线性集成电路和非线性集成电路两大类。前者的输出与输入信号之间的响应通常呈线性关系,其输出的信号形状与输入信号是相似的,只是被放大了,并且按固定的系数进行放大的。而非线性集成电路的输出信号对输入信号的响应呈现非线性关系,比如平方关系、对数关系等,故称为非线性电路。常见的非线性电路有振荡器、定时器、锁相环电路等。模拟集成电路的典型应用如下图所示,输入温度、湿度、光学、压电、声电等各种传感器或天线采集的外界自然信号,经过模拟电路预处理后,转为合适的数字信号输入到数字系统中;经过数字系统处理后的信号再通过模拟电路进行后处理,转换为声音、图像、无线电波等模拟信号进行输出。
相对于数字集成电路基于标准单元库使用EDA工具软件进行自动化设计的方法,模拟电路却保留了人工设计的方法,当然也有大量的电路画图和仿真软件工具,和一些成熟的电路单元可以使用,但是要设计出好的模拟集成电路,更多的是依靠设计者的经验。因为模拟电路要考虑的因素更多,除了数字集成电路关注的速度、功耗和面积之外,还需要考虑增益、精度等性能指标,考虑噪声、串扰、温度、器件非线性度等对性能的影响。
第1章 模拟集成电路中的无源元件1
1.1 模拟集成电路的工艺基础1
1.2 模拟集成电路中的电阻8
1.3 模拟集成电路中的电容16
1.4 模拟集成电路中的电感24
习题35
第2章 结型栅场效应晶体管36
2.1 JFET的基本原理36
2.2 JFET的伏安特性40
2.3 JFET的直流和交流参数43
2.4 MESFET的特性46
2.5 场相关迁移率特性48
2.6 结型栅场效应管的频率特性53
2.7 器件的噪声特性58
2.8 JFET和MESFET的结构举例61
习题66
第3章 MOSFET67
3.1 MOSFET的结构和类型68
3.2 MOSFET的阈值电压72
3.3 MOSFET的伏安特性80
3.4 MOSFET的交流小信号特性87
3.5 MOSFET的交流小信号等效电路和频率特性96
3.6 MOSFET的噪声特性101
3.7 MOSFET的击穿特性104
3.8 MOSFET的功率特性和功率MOS器件的结构111
3.9 MOSFET的温度特性117
3.10 短沟道效应120
3.11 场效应晶体管的设计129
习题134
第4章 CCD136
4.1 CCD的工作原理136
4.2 CCD的基本参数144
4.3 成像原理148
4.4 CCD的改进方式150
4.5 CCD在模拟电路中的应用151
习题153
第5章 模拟集成电路器件参数的提取154
5.1 欧姆接触的有关参数154
5.2 MOSFET的有关参数提取159
5.3 MESFET的有关参数提取168
习题175
第6章 CMOS放大器176
6.1 模拟电路中的MOS器件模型177
6.2 共源级放大器182
6.3 共源共栅级198
6.4 差分放大器204
习题211
第7章 集成运算放大器212
7.1 集成运算放大器的构建212
7.2 集成运算放大器基本模块分析217
7.3 集成运算放大器的设计223
7.4 集成CMOS运算放大器版图设计227
7.5 集成CMOS运算放大器的实现232
习题237
第8章 集成功率放大器238
8.1 功率放大器的特性和典型电路238
8.2 集成功率放大器实现的制约分析与设计251
8.3 全集成CMOS功率放大器的实现255
8.4 功率放大器的尽限问题261
8.5 功率放大器研制的新进展265
习题268
第9章 半导体制造技术269
9.1 半导体工艺的发展及CMOS工艺流程269
9.2 半导体工艺主要工序280
习题291
附录 常用物理参数292 2100433B