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使用时只需添加纯净水作为抛光介质。在抛光过程中,抛光膜的纳米涂层会逐渐地释放出抛光颗粒,参与抛光作用,使光纤端面达到高度光滑。抛光膜可以重复使用多次,但是根据抛光机的类型、抛光条件、抛光质量要求的不同,使用次数也不相同。
1) 确定D1
精磨后的光纤端面没有任何异常深划伤或者缺陷;
2) 彻底清洁研磨机夹具和橡胶垫等部位,尤其保证橡胶垫表面完好,没有异物;
3) 向橡胶垫表面喷洒适量得纯净水,用无尘纸均匀擦试,当表面初干后,马上把抛光膜贴在上面;
4) 向抛光膜表面均匀喷洒少量的纯净水,用无尘纸均匀擦试,赶出抛光膜下面的空气;
5) 用压缩空气吹扫抛光膜表面,除去灰尘或者异物;
6) 再向抛光膜表面均匀喷洒适量的纯净水;
7) 轻放连接器夹具,使连接器端面与抛光膜均匀接触,再施加适当压力,设定抛光时间,启动研磨机开始抛光;
8) 研磨机停止工作后,小心地取下夹具,取出抛光膜,擦干以备再次使用。
由于抛光原始颗粒细微、粒度尺寸小于可见光的波长,所以均匀地分布后形成外观透明或半透明的抛光膜。专门为光纤连接器的最终超精密抛光设计开发的,使用后连接器端面没有任何划伤或缺陷,光纤高度和反射衰减指标均达到国际标准。
抛光片就是把一块铁板经过打磨等等工艺后最后出来的东西一些建筑上面用得很多的
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超薄硅双面抛光片抛光工艺技术
MEMS器件、保护电路、空间太阳电池等的制作需要使用硅双面抛光片,并且要求抛光片的厚度很薄,传统的硅抛光片加工工艺已经不能满足这一要求。介绍了一种用于超薄硅单晶双面抛光片加工的抛光工艺方法。通过对硅片抛光机理[1]、抛光方式、抛光工艺的研究和对抛光工艺试验结果的分析,解决了超薄硅单晶双面抛光片在加工过程中碎片率高、抛光片背面表面质量不易控制的技术难题,研制出了高质量的超薄硅单晶双面抛光片。
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地板砖抛光使用方法 地板砖抛光注意事项 我们家常的地板砖是很平整光滑的,在日常活动中它会有脏污压伤压折伤等,这 时候我们该怎么办?可不要因为这点小事而苦恼,为了保持地板砖的整洁,人们 就想到这样一个问题能不能给地板砖抛光,介于存在这样的问题,小编就带大家 去了解下地板砖抛光使用方法及地板砖抛光注意事项,希望可以帮助到大家。 一、地板砖抛光使用方法 1、抛光前: 所有陶瓷、石材饰面和缝隙在施工前均应无尘、污染物、脱屑、蜡状物。 2、抛光中: 本剂由 A、B二种组份配合一起使用, A适合做晶面增硬增亮处理, B做底面的填 充处理,有防水、防油、防污效果。 把调 B剂用喷壶或直接倒入要抛光的物表面进行抛光,建议使用中、高密度的羊 毛抛光垫,喷洒 1-2 次抛光剂,直到抛出晶莹的效果为止。 二、地板砖抛光注意事项 1、用剩 A、B的药剂不能与其它药剂混合在一起,以免产生其它不良的化学反应。 2、施
包括目检、几何尺寸检测和热氧化层错检测等。目检是在正面高强度光或大面积散射光照射下目测抛光片上的原生缺陷和二次缺陷。这些缺陷包括边缘碎裂、沾污、裂纹、弧坑、鸦爪、波纹、槽、雾、嵌入磨料颗粒、小丘、桔皮、浅坑、划道、亮点、退刀痕和杂质条纹等。几何尺寸的检测包括硅片的厚度、总厚度变化、弯曲度和平整度的检测。厚度为硅片中心上、下表面两个对应点之间的距离;总厚度变化为同一硅片上厚度最大值与最小值之差;弯曲度为硅片的中线面与参考平面之间距离的最大值与最小值之差;平整度指硅片表面上最高点与最低点的高度差,用总指示读数表征。硅片的热氧化层错检测是指硅抛光片表面的机械损伤、杂质沾污和微缺陷等在硅片热氧化过程中均会产生热氧化层错,经择优腐蚀后,在金相显微镜下观测热氧化层错的密度,以此鉴定硅片表面的质量。2100433B
2005年度国家科学技术进步奖二等奖。 2100433B
主要完成人:屠海令、周旗钢、王 敬、方 峰、万关良、张果虎、常 青、李铁柱、刘 斌、戴小林
主要完成单位:北京有色金属研究总院、有研半导体材料股份有限公司、国泰半导体材料有限公司