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材料介绍
微电子材料与器件是微电子产业的基础。微电子器件通常分为集成电路器件、分立器件、光电器件和传感器等, 其中集成电路器件又分为微处理器、逻辑电路、模拟电路和存储器等器件。多晶硅、集成电路常用的硅抛光片、外延片、SOI片, 以及IC 制造过程中的氧化、涂光刻胶、掩模对准、曝光、显影、腐蚀、清洗、扩散、封装等工艺所需的引线框架、塑封料、键合金丝、超净高纯化学试剂、超高纯气体等均属于微电子材料。
微电子材料 主要是大直径(400mm)硅单晶及片材技术,大直径(200mm)硅片外延技术,150mmGaAs和100mmInP晶片及其以它们为基的III-V族半导体超晶格、量子阱异质结构材料制备技术,GeSi合金和宽禁带半导体材料等。2100433B
微电子材料与器件是微电子产业的基础。微电子器件通常分为集成电路器件、分立器件、光电器件和传感器等, 其中集成电路器件又分为微处理器、逻辑电路、模拟电路和存储器等器件。多晶硅、集成电路常用的硅抛光片、外延片、SOI片, 以及IC 制造过程中的氧化、涂光刻胶、掩模对准、曝光、显影、腐蚀、清洗、扩散、封装等工艺所需的引线框架、塑封料、键合金丝、超净高纯化学试剂、超高纯气体等均属于微电子材料。
微电子材料 主要是大直径(400mm)硅单晶及片材技术,大直径(200mm)硅片外延技术,150mmGaAs和100mmInP晶片及其以它们为基的III-V族半导体超晶格、量子阱异质结构材料制备技术,GeSi合金和宽禁带半导体材料等。
tvs管是一种限压型瞬态电压保护二级管,tvs管是并联在线路中,当线路中的电压达到tvs的击穿电压时器件雪崩击穿,tvs击穿工作把大的浪涌电压控制在一定的安全值内,通过地线泄放,从而保护线路和设备不被...
一般电子料包括: 介电材料、半导体材料、压电与铁电材料、导电金属及其合金材料、磁性材料、光电子材料、电磁波材料以及其他相关材料。电子材料是现代电子工业和科学技术发展的物质基础,...
不同厂家喷码样式不同,现在喷码两种分类:油墨喷码和激光钢印打码。以下图为例只要没有涂改的痕迹,就是出厂时或出库时喷的码,表示的是2012年8月1日生产日期。根据喷码机工作原理的区别,可将喷吗机分为以下...
微电子材料化学机械平坦化加工中的材料去除率模型
采用有限元数值方法分析微电子材料化学机械平坦化(CMP)工艺过程中材料的变形和去除机理,得到作用在磨料颗粒上的力与名义压力、磨粒含量以及垫板几何和力学特性之间的关系,进而建立起一个材料去除率(MRR)模型。利用该模型预测得到的材料去除率与悬浮液中磨料颗粒含量以及压力间的关系与已有的实验结果相吻合,合理解释了实验观察到的现象。
一般用于材料及产品的应力释放,特别是晶圆或者微电子材料的应力释放。在高温环境中,半导体及金属材料极易氧化,所以需要抽真空与充氮气联动加以保护。同样的这些材料也更容易受到灰尘污染,100级甚至更高的洁净度可保护这些材料不被污染。
铝碳化硅(AlSiC)是铝和碳化硅复合而成的金属基热管理复合材料,是电子元器件专用封装材料,主要是指将铝与高体积分数的碳化硅复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的封装材料,以解决电子电路的热失效问题。在中国,西安明科微电子材料有限公司与西北工业大学是最早合作开发这种材料的。
钨铜合金综合了金属钨和铜的优点,其中钨熔点高(钨熔点为3410℃,铜的熔点1080℃),密度大(钨密度为19.25g/cm,铜的密度为8.92/cm3) ;铜导电导热性能优越,钨铜合金(成分一般范围为WCu7~WCu50)微观组织均匀、耐高温、强度高、耐电弧烧蚀、密度大;导电、导热性能适中,广泛应用于军用耐高温材料、高压开关用电工合金、电加工电极、微电子材料,做为零部件和元器件广泛应用于航天、航空、电子、电力、冶金、机械、体育器材等行业。
性能 |
密度g/cm |
热膨胀系数10-6/℃ |
热导率w/(m·k) |
热容J/(kg·℃) |
弹性模量GPa |
泊松密度 |
熔点℃ |
强度MPa |
钨 |
19. 25 |
4. 5 |
174 |
136 |
411 |
0. 28 |
3410 |
550 |
铜 |
8. 92 |
16. 6 |
403 |
385 |
145 |
0. 34 |
1083 |
120 |
钨铜合金在航天航空中用作导弹、火箭发动机的喷管、燃气舵、空气舵、鼻锥,主要要求是要求耐高温(3000K~5000K)、耐高温气流冲刷能力,主要利用铜在高温下挥发形成的发汗制冷作用(铜熔点1083℃),降低钨铜表面温度,保证在高温极端条件下使用。
牌 号 |
铜 Cu |
钨 W |
杂质总和 |
密度 g/cm3(20 ℃) |
电导率 %IACS |
溶化温度 (℃) |
抗弯强度Mpa |
硬 度 |
CuW70 |
28-32 |
余量 |
< 0.5 |
13.8-14 |
≥ 42 |
≥ 700 |
≥ 667 |
≥ 184 |
牌号 |
铜含量 |
钨骨架 相对密度 |
材料密度 g/cm |
相对 密度 |
抗拉强度MPa |
断裂韧性 MPa m |
|
室温 |
800℃ |
||||||
WCu10 |
8~12% |
77~82% |
16.5~17.5 |
≥97 |
≥300 |
≥150 |
15~18 |
WCu7 |
6~9% |
82~86% |
17~18 |
≥97 |
≥300 |
≥150 |
13~15 |