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本征层的引入,明显增大了p 区的耗尽层的厚度,这有利于缩短载流子的扩散过程。耗尽层的加宽,也可以明显减少结电容,从而使电路常数减小。同时耗尽加宽还有利于对长波区的吸收。性能良好的PIN光电二极管,扩散和漂移时间一般在10-10s数量级,频率响应在千兆赫兹。实际应用中决定光电二极管的频率响应的主要因素是电路的时间常数。合理选择负载电阻是一个很重要的问题。
1、光电二极管和它的负载电阻RC的时间常数。
2、载流子在度越区的耗尽时间。
3、耗尽区外产生的载流子由于扩散而产生的时间延迟。
在上述的光电二极管的PN结中间掺入一层浓度很低的I型半导体,就可以增大耗尽区的宽度,达到减小扩散运动的影响,提高响应速度的目的。由于这一掺入层的掺杂浓度低,近乎本征(Intrinsic)半导体,故称I层,因此这种结构成为PIN光电二极管。I层较厚,几乎占据了整个耗尽区。绝大部分的入射光在I层内被吸收并产生大量的电子-空穴对。在I层两侧是掺杂浓度很高的P型和N型半导体,P层和N层很薄,吸收入射光的比例很小。因而光产生电流中漂移分量占了主导地位,这就大大加快了响应速度。
简单来说,光电二极管不能放大信号,光电倍增管能放大信号,因此一般用作微弱光的检测。 1.首先原理是不同的。 光电二极管是利用的半导体的能带理论,当光照射光电二极管时,光的能量大于带隙能量时,价电子带的...
深圳市力宝兴业电子有限公司的半导体激光二极管650~980nm价格是1.2元。 宁波慧亮光电有限公司供应的 光电高压贴片二极管 贴片开关二极管价格是70...
Vce=10V H=100lx时,光电流典型值IL=1.5mA Vce =10V时,暗电流最大值ID=100nA 这是我公司...
在P型半导体和N型半导体之间夹着一层本征半导体。因为本征层相对于P区和N区是高阻区,这样PN结的内电场就基本上全集中于 I 层中。
频带宽(可达10GHz)
灵敏度高
线性输出范围宽
噪声低2100433B
一、光电二极管前置放大器设计
一、光电二极管前置放大器设计
由光电二极管和前置放大器组成
由光电二极管和前置放大器组成
了解了以上的三点,在这里,PIN针在连接器中的作用是什么?相信就不难解决了。一般,PIN针在连接器中,最为明显的两个作用是完成电(信号)的导电(传输)。2100433B
p-i-n光电二极管, p-i-n Photo-Diode (pin-PD):
这是一种灵敏度比一般p-n结光(电)二极管(PD)要高的光检测二极管,它是针对一般PD的不足、在结构上加以改进而得到的一种光电二极管。
由于PIN二极管可以根据不同的射频微波信号表现出不同阻抗特性,因此,利用直流电平信号对射频微波信号进行控制,从而控制PIN二极管的阻抗,实现电路开关的功能。实际中,PIN二极管用作射频开关均会产生一定的电抗和损耗电阻,应用中要求将降低这些影响。
衰减器的主要作用是探知系统插损的电路,例如Pi型T型插损探知衰减电路,电阻网络即可作为简单的衰减器。衰减器在射频电路中广泛使用,不仅可以隔离两个放大级,而且可以通过对衰减器的控制从而达到信道APC和AGC的功能。
将两个相同的PIN二极管串联,相当于衰减模型的串联电阻,这样使得衰减电路的动态范围明显增加,偶次失真被消除。另外,也简化了匹配和偏置电路,但是也增加了插入电路的耗损。在此电路中,控制衰减电压幅度,可以实现控制射频信号的衰减。
PIN二极管对于射频信号可以表现出不同的衰减程度,可以利用这一特性设计出AM调制电路。由RF或微波单频信号等射频载波信号以及低频调制信号(一般在DC-10MHz范围内)共同完成其调制过程。PIN二极管偏置电流由低频调制信号进行控制,通过PIN二极管的载波幅度大小的变化而产生调制波形。 2100433B