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光纤连接器用插芯已经使用陶瓷注射成型技术进行大批量的生产,而所使用的陶瓷材料就是氧化锆。在各种金属氧化物陶瓷材料中,氧化锆的高温热稳定性、隔热性能最好,最适宜做陶瓷涂层和高温耐火制品;以氧化锆为主要原料的锆英石基陶瓷颜料,是高级釉料的重要成分;氧化锆的热导率在常见的陶瓷材料中最低,而热膨胀系数又与金属材料较为接近,成为重要的结构陶瓷材料;特殊的晶体结构,使之成为重要的电子材料;氧化锆的相变增韧等特性,成为塑性陶瓷材料的宠儿;良好的机械性能和热物理性能,使它能够成为金属基复合材料中性能优异的增强相。所以光纤连接器陶瓷插芯材料采用钇稳定的纳米氧化锆粉体原料(Y- PSZ)。
光纤连接器陶瓷插芯作为光通信技术配件,陶瓷粉末注射成型模具配套使用的插芯芯
PIN针属于高精密的产品,公差要求是±0.001—±0.0005。陶瓷粉末注射成型生产陶瓷插芯的作业中,要求芯针耐酸、耐腐蚀、耐高温等一系列高要求环境,对于硬质合金这样的工业牙齿来说,完全胜任这样的高温腐蚀环境作业。硬质合金芯针在陶瓷粉末注射成型模具生产纳米氧化锆的过程中,适应其高温工作环境,长效持久作业使陶瓷插芯的规模化、批量化生产作业成为最直接的体现形式。
根据不同设备搭配作业的不同芯针型号不同,可以根据要求订做陶瓷插芯芯针、PIN针,按照陶瓷粉末注射成型模具配套要求定制加工插芯针。由于陶瓷插芯芯针要求精密,通常按照图纸要求订做为主。
PIN针材料为“碳化钨”原料也就是硬质合金:硬质合金具有很高的硬度、强度、耐磨性和耐腐蚀性,被誉为“工业牙齿”,用于制造切削工具、刀具、钴具和耐磨零部件,广泛应用于军工、航天航空、机械加工、冶金、石油钻井、矿山工具、电子通讯、建筑等领域,伴随下游产业的发展,硬质合金市场需求不断加大。并且未来高新技术武器装备制造、尖端科学技术的进步以及核能源的快速发展,将大力提高对高技术含量和高质量稳定性的硬质合金产品的需求。
你好,CPU风扇3pin和4pin的区别,3pin就是有3个针脚接在主板上的,4pin就是有4个针脚接在主板上,大部分3pin的风扇是不支持smart fan &n...
你好,不可以,具体理由如下,因为他俩有很多不同, 电话线采用RJ11水晶头,无线序要求: RJ11接口和RJ45接口很类似,但只有4根针脚(RJ45为8根)。在计算机系统中,RJ11主要用来联接m...
白色5PIN线,线长1米,线径3.5MM,4芯,7/0.1MM 纯铜线,采用28AWG 2725线加工,适用于手机充电器,MP3,MP4,数码产品的充电...
是光通信网络的一个重要部件,是陶瓷粉末注射成型(Ceramic Injection Molding, CIM)的产品。光纤连接器是光纤通信系统中不可缺少的无源器件,主要用于实现系统中设备间、设备与仪表间、设备与光纤间以及光纤与光纤间的非永久性两个端面精密地对接起来,使发射光纤输出的光能量最大限度地耦合到接收光纤中。大多数的光纤连接器由三部分组成:两个配合插头(插芯)和一个耦合套筒。两个插芯装进两根光纤尾端;耦合套筒起对准的作用,套筒多配有金属或非金属法兰,以便于连接器的安装固定。
了解了以上的三点,在这里,PIN针在连接器中的作用是什么?相信就不难解决了。一般,PIN针在连接器中,最为明显的两个作用是完成电(信号)的导电(传输)。2100433B
一种PIN开关高速驱动器的设计
收稿日期 :2006 203216 ; 定稿日期 :2006 205226 一种 PIN 开关高速驱动器的设计 陈爱华 , 陈永任 (中国电子科技集团公司 第二十四研究所 , 重庆 400060 ) 摘 要 : 介绍了一种用于驱动 PIN 开关的高速驱动器的设计 。该电路的传输延时为 5 ns ,工作 电压范围 ±5~ ±12 V。文章详细介绍了高速驱动器加速电路和偏置电路的设计方法 ,分析了影 响高速驱动器传输速度和工作稳定性的一些因素 ,提出了克服这些影响的措施 。 关键词 : PIN 开关驱动器 ; 传输延时 ; 加速电路 ; 偏置电路 中图分类号 : TN431. 1 文献标识码 : A 文章编号 :1004 23365 (2006 ) 0420492203 Design of a High2Speed Driver for PIN
一种新颖双馈电型PIN开关
微波光电二极管(PIN)开关速度和功率容量是相互矛盾的2个指标,为同时兼顾改善2个指标,结合半导体器件特性,采取PIN管芯两极同时馈电的设计形式(即双馈电型开关),经过优化设计,研制出2 GHz~6 GHz单刀双掷PIN开关。与传统型开关电路相比,开关速度和功率容量都得到较好提升,为后续的工程应用奠定了基础。
由于PIN二极管可以根据不同的射频微波信号表现出不同阻抗特性,因此,利用直流电平信号对射频微波信号进行控制,从而控制PIN二极管的阻抗,实现电路开关的功能。实际中,PIN二极管用作射频开关均会产生一定的电抗和损耗电阻,应用中要求将降低这些影响。
衰减器的主要作用是探知系统插损的电路,例如Pi型T型插损探知衰减电路,电阻网络即可作为简单的衰减器。衰减器在射频电路中广泛使用,不仅可以隔离两个放大级,而且可以通过对衰减器的控制从而达到信道APC和AGC的功能。
将两个相同的PIN二极管串联,相当于衰减模型的串联电阻,这样使得衰减电路的动态范围明显增加,偶次失真被消除。另外,也简化了匹配和偏置电路,但是也增加了插入电路的耗损。在此电路中,控制衰减电压幅度,可以实现控制射频信号的衰减。
PIN二极管对于射频信号可以表现出不同的衰减程度,可以利用这一特性设计出AM调制电路。由RF或微波单频信号等射频载波信号以及低频调制信号(一般在DC-10MHz范围内)共同完成其调制过程。PIN二极管偏置电流由低频调制信号进行控制,通过PIN二极管的载波幅度大小的变化而产生调制波形。 2100433B
加负电压(或零偏压)时,PIN管等效为电容+电阻;加正电压时,PIN管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择PIN二极管参数的方法,使短路的阶梯脊波导的反射相位(基准相位)与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压(或0偏置)的PIN管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反(-164°~+164°之间即可)。
图1给出了PIN二极管在正向导通时的电荷分布情况.为简化起见,我们假设I区域中电子与空穴分布对称且分布密度相同.设x=-d处的空穴分布密度为p1,在[-d,0]区域中的剩余空穴电荷为q2,且位于x=-d/2处,这样此区域的平均空穴密度为:p2=q2/qAd.这里A为结面积,q为单位电荷.
图1 PIN二极管的电荷分布
由于P+区域的空穴密度远大于电子密度,这样在x=-d处的电子电流可以忽略(所引起的误差将在下文讨论).二极管的电流密度可以表示为[9]
其中 Da为扩散常数;Jh为空穴电流密度.
二极管的电流为
电荷q2与电流的关系式为
其中 τa为寿命时间.
式(2)及式(3)描述了二极管的模型,通过定义qE=2q1, qM=2q2及T=d2/2Da,两式可简化为
图2表示了在感性负载时二极管的关断过程.此过程可分为两个阶段:从t=T0到t=T1,二极管处于低阻抗状态,其电压近似为0,在t=T1时刻,二极管中I区域边缘的剩余电荷变为0,二极管开始呈现高阻抗状态.在式(4)、(5)中令qE=0可得t=T1时刻后二极管的电流为
其中 τ?rr由式(7)给出,I?rr为反向恢复电流峰值.
图2 反向恢复电流波形
一般情况下,t?rr、I?rr及测试条件di/dt、I?FM均在器件的产品手册上列出.根据式(6)及测试条件,τ?rr可由下式获得
其中 a=-di/dt.
根据图2所示的反向电流波形,qM在t≤T1阶段的表达式为
当t=T1时,i(T1)=-I?rr=-qM(T1)/T,代入上式得式(10),τa可由此式解出
然后参数T可由τa、T及τ?rr的关系式(7)算出.
从以上的讨论可以看出,该模型的参数可以方便地从产品手册中得到:首先由式(8)计算τ?rr,再从式(10)解得τa,最后由式(7)决定参数T。
加负电压(或零偏压)时,PIN管等效为电容 电阻;加正电压时,PIN管等效为小电阻。用改变结构尺寸及选择PIN二极管参数的方法,使短路的阶梯脊波导的反射相位(基准相位)与加正电压的PIN管控制的短路波导的反射相位相同。还要求加负电压(或0偏置)的PIN管控制的短路波导的反射相位与标准相位相反(-164°~ 164°之间即可)。
图1给出了PIN二极管在正向导通时的电荷分布情况.为简化起见,我们假设I区域中电子与空穴分布对称且分布密度相同.设x=-d处的空穴分布密度为p1,在[-d,0]区域中的剩余空穴电荷为q2,且位于x=-d/2处,这样此区域的平均空穴密度为:p2=q2/qAd.这里A为结面积,q为单位电荷.
图1 PIN二极管的电荷分布
由于P 区域的空穴密度远大于电子密度,这样在x=-d处的电子电流可以忽略(所引起的误差将在下文讨论).二极管的电流密度可以表示为[9]
其中 Da为扩散常数;Jh为空穴电流密度.
二极管的电流为
电荷q2与电流的关系式为
其中 τa为寿命时间.
式(2)及式(3)描述了二极管的模型,通过定义qE=2q1, qM=2q2及T=d2/2Da,两式可简化为
图2表示了在感性负载时二极管的关断过程.此过程可分为两个阶段:从t=T0到t=T1,二极管处于低阻抗状态,其电压近似为0,在t=T1时刻,二极管中I区域边缘的剩余电荷变为0,二极管开始呈现高阻抗状态.在式(4)、(5)中令qE=0可得t=T1时刻后二极管的电流为
其中 τ"para" label-module="para">
图2 反向恢复电流波形
一般情况下,t"para" label-module="para">
其中 a=-di/dt.
根据图2所示的反向电流波形,qM在t≤T1阶段的表达式为
当t=T1时,i(T1)=-I"para" label-module="para">
然后参数T可由τa、T及τ"para" label-module="para">
从以上的讨论可以看出,该模型的参数可以方便地从产品手册中得到:首先由式(8)计算τ"sup--normal" data-sup="2" data-ctrmap=":2,"> [2]