传统的硅局部氧化(Local Oxidation of Sillicon, LOCOS)隔离技术是利用光刻刻蚀技术在硅基板上的氮化硅上开出氧化窗口，利用氮化硅的掩模作用在大约1000摄氏度的高温下对没有氮化硅覆盖的场区进行氧化。氧化后氧化层表面将高出硅基板表面，高度大约是氧化膜厚度的55%，形成一定程度的不平坦表面，给后续工艺带来不利影响。再者，氧化生长时，横向的氧化生长将向器件的有源区延伸，形成所谓的“鸟嘴”现象。“鸟嘴”的出现，不但占据了一定的有源区面积，而且在极小尺寸下，使得漏电流问题越来越突出，极大地影响到器件的性能 。

沟槽(Shallow Trench Isolation, STI)隔离技术起源于80年代，由于它的高成本和工艺的不成熟性，直到最近一两年才被人们所接受。该工艺是一种完全平坦的、完全无“鸟嘴”现象的新型隔离技术。其工艺流程如图3所示,隔离技术完全回避了高温工艺；严格保证器件有源区的面积；硅基板表面与隔离介质表面完全在同一平面上；改善了最小隔离间隔和结电容。同时，低温工艺也可以潜在地增加产量，降低成本。这些优点使得STI隔离成为深亚微米时代器件不可或缺的隔离技术。STI隔离主要适应极小尺 寸器件对极小特征尺寸、器件可靠性的要求。在 极小尺寸下，要求场区和有源区的面积非常小； 同时，对器件的漏电流也极为敏感。STI隔离工艺 主要有以下各关键工艺：氧化和氮化硅生长、沟壑光刻刻蚀、HDP High Density Plasma，高密度等离子体）二氧化硅生长、二氧化硅CMP Chemical Mechanical Planarization)、氮化硅去除 等工艺步骤 。

pn结隔离是集成电路生产中比较常用的方法，特别是在一些无特殊要求的小规模集成电路中。它是利用pn结反向偏置时呈高电阻性，来达到各元件互相绝缘隔离的目的。实现隔离有多种方法，但用得最多的还是一次外延、二次扩散pn结隔离工艺，简称标准pn结隔离或pn结隔离 。

为了实现pn结隔离，衬底材料必须选用p型单晶，以便和n型外延层之间形成pn结。这一pn结击穿电压的大小主要取决于衬底电阻率的高低。从提高击穿电压和减小隔离结寄生电容考虑，衬底的电阻率高一点好。但选得过高，在长时间的隔离扩散中，会增加外延层向衬底的推移，使隔离时间加长。同时高阻的单晶较贵，因此电阻率不能取得太高，在一般电路中为8到13欧姆厘米。为了得到平坦均匀的扩散结面，还应选用 晶向的硅单晶。厚度一般为300到350微米，应选用位错密度较低（一般应小于3000个/平方厘米），有害杂质少的硅单晶片 。

光隔离器件是一种只允许光沿一个方向通过而在相反方向阻挡光通过的光无源器件。它的作用是防止光路中由于各种原因产生的后向传输光对光源以及光路系统产生的不良影响。例如，在半导体激光源和光传输系统之间安装一个光隔离器，可以在很大程度上减少反射光对光源的光谐输出功率稳定性产生的不良影响，在高速直接调制和直接检测的光纤通信系统中，后向传输光会产生附加噪声，使系统的性能劣化，这也需要用光隔离器来消除。

在光纤放大器中的掺杂光纤的两端装上光隔离器，可以提高光纤放大器的工作稳定性，如果没有它，那么后向反射光将进入信号源（激光器）中，引起信号源的剧烈波动。在相干光长距离光纤通信系统中，每隔一段距离安装一个光隔离器，可以减少受激布里渊散射引起的功率损失，因此，光隔离器在光纤通信系统、光信息处理系统、光纤传感系统以及精密光学测量系统中具有重要的作用。2100433B

反向隔离是对加到器件输出端的信号与其输入端隔离程度的量度。反向隔离的测量类似于正向增益的测量，但有下述不同：

1.激励信号被加到放大器的输出端口

2.响应在放大器的输入端口被测量

其等效的S参数是S12。

光电耦合器件是把发光器件(如发光二极管)和光敏器件(如光敏三极管)集成在一起，通过光线实现耦合构成电一光和光一电的转换器件 。