选择特殊符号

选择搜索类型

热门搜索

首页 > 百科 > 建设工程百科

TDL-GX硅芯生长炉

《TDL-GX硅芯生长炉》是2014年11月1日实施的一项行业标准。 

TDL-GX硅芯生长炉基本信息

TDL-GX硅芯生长炉起草单位

西安电炉研究所有限公司、西安理工晶体科技有限公司等。2100433B

查看详情

TDL-GX硅芯生长炉造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

燃气供暖锅小容积热水

  • XRRS-Q80,输出功率:80KW,750×620×1200,70kg
  • 自由能
  • 13%
  • 佛山自由能电器有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

50金属面岩夹

  • 品种:50金属面岩夹板;宽度:1150;厚度:50;防火等级:B1级;
  • m2
  • 京广源
  • 13%
  • 京广源净化科技(天津)有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

50金属面岩夹

  • 宽度(mm):1150;品种:金属面岩夹板;厚度(mm):50;防火等级:B1级;
  • m2
  • 京广源
  • 13%
  • 北京京广源净化设备有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

燃气采暖锅天然气锅

  • XRRS-Q65,输出功率:65KW,670×540×1200,60kg
  • 自由能
  • 13%
  • 佛山自由能电器有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

壁挂

  • L1P50-J/V6,制热功率:50KW,733×524×333,50kg
  • 自由能
  • 13%
  • 佛山自由能电器有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

加热

  • 箱式RJX-75-9
  • 台班
  • 汕头市2006年1月信息价
  • 建筑工程
查看价格

加热

  • 箱式RJX-45-9
  • 台班
  • 汕头市2005年1季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2012年2季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2012年1季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2011年2季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

子管

  • 30/25mm子管
  • 3800m
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2019-04-28
查看价格

植物生长抑制剂

  • 植物生长抑制剂
  • 1kg
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2021-03-03
查看价格

喷涂抑制植物生长

  • 喷涂抑制植物生长
  • 100000m²
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2020-07-29
查看价格

微波

  • 微波
  • 24个
  • 1
  • 老板
  • 中高档
  • 含税费 | 不含运费
  • 2020-03-15
查看价格

TDL款护栏

  • 附CAD图纸
  • 1m
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2020-08-20
查看价格

TDL-GX硅芯生长炉起草人

陈巨才、朱琳等。

查看详情

TDL-GX硅芯生长炉常见问题

查看详情

TDL-GX硅芯生长炉文献

杭州国芯(NationalChip)国标地面芯片GX1501满足各种市场应用需求 杭州国芯(NationalChip)国标地面芯片GX1501满足各种市场应用需求

杭州国芯(NationalChip)国标地面芯片GX1501满足各种市场应用需求

格式:pdf

大小:59KB

页数: 未知

继凌讯科技、上海高清两家国标地面标准起草者之后,杭州国芯科技有限公司(NationalChip)率先推出其高性能的双模国标地面解调芯片——GX1501。

杭州国芯(NationalChip~(TM))国标地面芯片GX1501满足各种市场应用需求 杭州国芯(NationalChip~(TM))国标地面芯片GX1501满足各种市场应用需求

杭州国芯(NationalChip~(TM))国标地面芯片GX1501满足各种市场应用需求

格式:pdf

大小:59KB

页数: 1页

继凌讯科技、上海高清两家国标地面标准起草者之后,杭州国芯科技有限公司(NationalChipTM)率先推出其高性能的双模国标地面解调芯片——GX1501。GX1501是完全支持中国地面数字电视广播传输标准GB20600-

单晶硅生长炉江南公司介绍

江南电力光伏科技有限公司,公司引进消化吸收国外先进技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种,具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)

单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)

TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权,是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg~150Kg,可拉制6"~12"电路级和太阳能级单晶硅棒。

查看详情

单晶硅生长炉原理

首先,把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚,通过石墨加热器产生的高温将其熔化;然后,对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长;接着,控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3~5mm的细颈,用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程就是引晶;随后,放大晶体直径到工艺要求的大小,一般为75~300mm,这个过程称为放肩;接着,突然提高拉速进行转肩操作,使肩部近似直角;然后,进入等径工艺,通过控制热场温度和晶体提升速度,生长出一定直径规格大小的单晶柱体;最后,待大部分硅溶液都已经完成结晶时,再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体,称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程就基本完成,进行一定的保温冷却后就可以取出。

直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。

查看详情

单晶硅生长炉特点

HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动,便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计,提高稳定性。支撑柱安装在炉体支撑平台的上面,便于平台下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术,简便干净。

全自动控制系统采用模块化设计,维护方便,可靠性高,抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选,保证控温精度。质量流量计精确控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用,即可满足转动所需的扭矩,又可实现转速的精确控制。质量流量计精确控制氩气流量。

自主产权的控制软件采用视窗平台,操作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具提供了工艺实时监控的平台。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。

加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。

特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。

查看详情

相关推荐

立即注册
免费服务热线: 400-888-9639