选择特殊符号

选择搜索类型

热门搜索

首页 > 百科 > 建设工程百科

TDL-GX硅芯生长炉起草单位

TDL-GX硅芯生长炉起草单位

西安电炉研究所有限公司、西安理工晶体科技有限公司等。2100433B

查看详情

TDL-GX硅芯生长炉造价信息

  • 市场价
  • 信息价
  • 询价

单位用跑步机

  • 3.0mm
  • 达创
  • 13%
  • 河北达创体育器材有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

单位用健身车

  • 3.0mm
  • 达创
  • 13%
  • 河北达创体育器材有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

单位用划船器

  • 3.0mm
  • 达创
  • 13%
  • 河北达创体育器材有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

单位木边框

  • 品种:面板框;类别:M系列边框;产品型号:MTN4051-3472;产品组:EAT;库存类型:IND;交货期(工作日):40;最小起订量(个
  • 施耐德
  • 13%
  • 上海随乐贸易有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

锦竹

  • 锦竹;型号、规格:种类:锦竹;规格:育苗盘50×30cm,带土壤厚度5cm;品牌:绿态
  • 绿态
  • 13%
  • 深圳市宸洲环保科技有限公司
  • 2022-12-08
查看价格

加热

  • 箱式RJX-75-9
  • 台班
  • 汕头市2006年1月信息价
  • 建筑工程
查看价格

加热

  • 箱式RJX-45-9
  • 台班
  • 汕头市2005年1季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2012年2季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2012年1季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

混捏加热

  • 台班
  • 汕头市2011年2季度信息价
  • 建筑工程
查看价格

子管

  • 30/25mm子管
  • 3800m
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2019-04-28
查看价格

大隆起草皮机

  • DLQ149
  • 1台
  • 1
  • 含税费 | 含运费
  • 2010-03-04
查看价格

植物生长抑制剂

  • 植物生长抑制剂
  • 1kg
  • 1
  • 中档
  • 不含税费 | 不含运费
  • 2021-03-03
查看价格

喷涂抑制植物生长

  • 喷涂抑制植物生长
  • 100000m²
  • 3
  • 中档
  • 不含税费 | 含运费
  • 2020-07-29
查看价格

  • 私人会所墙面装修
  • 300m²
  • 2
  • 中高端品牌即可
  • 中高档
  • 含税费 | 含运费
  • 2019-04-29
查看价格

TDL-GX硅芯生长炉起草人

陈巨才、朱琳等。

查看详情

TDL-GX硅芯生长炉起草单位常见问题

查看详情

TDL-GX硅芯生长炉起草单位文献

电缆芯线单位长度电阻 电缆芯线单位长度电阻

电缆芯线单位长度电阻

格式:pdf

大小:14KB

页数: 1页

电缆芯线单位长度电阻( 20℃时) (Ω /km) 线芯标称截 面(mm2) 铜芯电缆 铝锌电缆 线芯标称截 面(mm2) 铜芯电缆 铝锌电缆 16 25 35 50 70 1.15 0.75 0.53 0.37 0.26 1.94 1.24 0.89 0.62 0.44 95 120 150 180 240 0.19 0.15 0.12 0.10 0.08 0.33 0.26 0.21 0.17 0.13

长度单位_长度单位 长度单位_长度单位

长度单位_长度单位

格式:pdf

大小:14KB

页数: 3页

长度单位_长度单位

单晶硅生长炉江南公司介绍

江南电力光伏科技有限公司,公司引进消化吸收国外先进技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种,具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)

单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)

TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权,是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg~150Kg,可拉制6"~12"电路级和太阳能级单晶硅棒。

查看详情

单晶硅生长炉原理

首先,把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚,通过石墨加热器产生的高温将其熔化;然后,对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长;接着,控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3~5mm的细颈,用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程就是引晶;随后,放大晶体直径到工艺要求的大小,一般为75~300mm,这个过程称为放肩;接着,突然提高拉速进行转肩操作,使肩部近似直角;然后,进入等径工艺,通过控制热场温度和晶体提升速度,生长出一定直径规格大小的单晶柱体;最后,待大部分硅溶液都已经完成结晶时,再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体,称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程就基本完成,进行一定的保温冷却后就可以取出。

直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。

查看详情

单晶硅生长炉特点

HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动,便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计,提高稳定性。支撑柱安装在炉体支撑平台的上面,便于平台下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术,简便干净。

全自动控制系统采用模块化设计,维护方便,可靠性高,抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选,保证控温精度。质量流量计精确控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用,即可满足转动所需的扭矩,又可实现转速的精确控制。质量流量计精确控制氩气流量。

自主产权的控制软件采用视窗平台,操作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具提供了工艺实时监控的平台。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。

加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。

特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。

查看详情

相关推荐

立即注册
免费服务热线: 400-888-9639