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陈巨才、朱琳等。
西安电炉研究所有限公司、西安理工晶体科技有限公司等。2100433B
读“通信用不间断电源——UPS标准(2008版)”有感——与起草人商榷
原信息产业部于2008年7月发布YD/T1095-2008《通信用不间断电源——UPS》标准整整一周年了,这个标准是2001年发布的同一名称标准的修订版,原标准有一些不妥之处,这次修改得如何呢?我国UPS技术专家王鸿藻高级工程师提出一些不同意见,现刊登出来。本刊认为这是件好事,是一种认真负责任的态度,也希望UPS技术界同仁都来参加讨论,以供研发、生产、检验及使用UPS的人士参考。
江南电力光伏科技有限公司,公司引进消化吸收国外先进技术研发环保清洁可再生新能源产品——太阳能光伏发电站和风力发电站的相关设备。其中硅单晶生长炉设备有两大系列三个品种,具有自主知识产权。生产的单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN)
单晶硅生长炉(TDR85/95/105-JN) |
TDR—JN系列全自动晶体生长炉具有自主知识产权,是采用直拉法生长P型或N型单晶硅材料的专用设备。装料量从95Kg~150Kg,可拉制6"~12"电路级和太阳能级单晶硅棒。
首先,把高纯度的多晶硅原料放入高纯石英坩埚,通过石墨加热器产生的高温将其熔化;然后,对熔化的硅液稍做降温,使之产生一定的过冷度,再用一根固定在籽晶轴上的硅单晶体(称作籽晶)插入熔体表面,待籽晶与熔体熔和后,慢慢向上拉籽晶,晶体便会在籽晶下端生长;接着,控制籽晶生长出一段长为100mm左右、直径为3~5mm的细颈,用于消除高温溶液对籽晶的强烈热冲击而产生的原子排列的位错,这个过程就是引晶;随后,放大晶体直径到工艺要求的大小,一般为75~300mm,这个过程称为放肩;接着,突然提高拉速进行转肩操作,使肩部近似直角;然后,进入等径工艺,通过控制热场温度和晶体提升速度,生长出一定直径规格大小的单晶柱体;最后,待大部分硅溶液都已经完成结晶时,再将晶体逐渐缩小而形成一个尾形锥体,称为收尾工艺。这样一个单晶拉制过程就基本完成,进行一定的保温冷却后就可以取出。
直拉法,也叫切克劳斯基(J.Czochralski)方法。此法早在1917年由切克劳斯基建立的一种晶体生长方法,用直拉法生长单晶的设备和工艺比较简单,容易实现自动控制,生产效率高,易于制备大直径单晶,容易控制单晶中杂质浓度,可以制备低电阻率单晶。据统计,世界上硅单晶的产量中70%~80%是用直拉法生产的。
HD系列硅单晶炉的炉室采用3节设计。上筒和上盖可以上升并向两边转动,便于装料和维护等。炉筒升降支撑采用双立柱设计,提高稳定性。支撑柱安装在炉体支撑平台的上面,便于平台下面设备的维护。炉筒升降采用丝杠提升技术,简便干净。
全自动控制系统采用模块化设计,维护方便,可靠性高,抗干扰性好。双摄像头实时采集晶体直径信息。液面测温确保下籽晶温度和可重复性。炉内温度或加热功率控制方式可选,保证控温精度。质量流量计精确控制氩气流量。高精度真空计结合电动蝶阀实时控制炉内真空度。上称重传感器用于晶棒直径的辅助控制。伺服电机和步进电机的混合使用,即可满足转动所需的扭矩,又可实现转速的精确控制。质量流量计精确控制氩气流量。
自主产权的控制软件采用视窗平台,操作方便简洁直观。多种曲线和数据交叉分析工具提供了工艺实时监控的平台。完整的工艺设定界面使计算机可以自动完成几乎所有的工艺过程。
加热电源采用绿色纵向12脉冲直流电源。比传统直流电源节能近15%。
特殊的温场设计使晶体提拉速度提高20-30%。