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微电子概论图书目录

微电子概论图书目录

第1章概论 1.1 微电子技术和集成电路的发展历程 1.1.1 电子技术与半导体集成电路 1.1.2 发展历程 1.1.3 发展特点和技术经济规律 1.2 集成电路的分类 1.2.1 按电路功能分类 1.2.2 按电路结构分类 1.2.3 按有源器件结构和工艺分类 1.2.4 按电路的规模分类 1.3 集成电路制造特点和本书学习要点 1.3.1 电路系统设计 1.3.2 版图设计和优化 1.3.3 集成电路的加工制造 1.3.4 集成电路的封装 1.3.5 集成电路的测试和分析 第2章集成器件物理基础 2.1 半导体及其能带模型 2.1.1 半导体及其共价键结构 2.1.2 半导体的能带模型 2.1.3 费米分布函数 2.2 半导体的导电性 2.2.1 本征半导体 2.2.2 非本征载流子 2.2.3 半导体中的漂移电流 2.2.4 半导体中的扩散电流 2.2.5 半导体中的电流 2.2.6 半导体基本方程 2.3 PN结和晶体二极管 2.3.1 平衡状态下的PN结 2.3.2 PN结的单向导电性 2.3.3 理想PN结模型及其伏－安特性 2.3.4 PN结电容 2.3.5 PN结击穿 2.3.6 二极管等效电路模型和二极管应用 2.3.7 PN结应用 2.3.8 其他半导体二极管 2.4 双极型晶体管 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 2.4.2 影响晶体管直流特性的其他因素 2.4.3 晶体管的击穿电压 2.4.4 晶体管的频率特性 2.4.5 晶体管模型和模型参数 2.4.6 异质结双极晶体管（HBT） 2.5 JFIZT与MESFET器件基础 2.5.1 器件结构与电流控制原理 2.5.2 JFET直流轮出特性的定性分析 2.5.3 JFET的直流转移特性 2.5.4 JFET的器件类型和电路符号 2.5.5 JFET直流特性定量表达式 2.5.6 JFET等效电路和模型参数 2.6 MOS场效应晶体管 2.6.1 MOS晶体管结构 2.6.2 MOS晶体管工作原理 2.6.3 MOS晶体管直流伏安特性定量结果 2.6.4 MOS晶体管的阈值电压 2.6.5 MOS晶体管特点 2.6.6 MOS晶体管模型和模型参数 2.6.7 硅栅MOS结构和自对准技术 2.6.8 高电子迁移率晶体管（HEMT） 习题 第3章集成电路制造工艺 3.1 硅平面工艺基本流程 …… 第4章集成电路设计 第5章微电子系统设计 第6章集成电路计算机辅助设计 第7章 IC设计举例与设计实践

微电子概论造价信息

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电子电源线

规格型号：
RV 0.12mm2 (7/0.15)
价格行情：
材料单位：
km
材料品牌：
利路通
材料税率：
13%
供应商：
深圳利路通科技有限公司海南分公司
报价时间：
2022-12-07

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电子电源线

规格型号：
RV 0.3mm2 (16/0.15)
价格行情：
材料单位：
km
材料品牌：
利路通
材料税率：
13%
供应商：
深圳利路通科技有限公司海南分公司
报价时间：
2022-12-07

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电子电源线

规格型号：
RV 0.5mm2 (16/0.2)
价格行情：
材料单位：
km
材料品牌：
利路通
材料税率：
13%
供应商：
深圳利路通科技有限公司海南分公司
报价时间：
2022-12-07

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电子电源线

规格型号：
RV 0.75mm2 (24/0.2)
价格行情：
材料单位：
km
材料品牌：
利路通
材料税率：
13%
供应商：
深圳利路通科技有限公司海南分公司
报价时间：
2022-12-07

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电子电源线

规格型号：
RVS 2×0.5mm2 (2×16/0.2)双绞
价格行情：
材料单位：
km
材料品牌：
利路通
材料税率：
13%
供应商：
深圳利路通科技有限公司海南分公司
报价时间：
2022-12-07

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电动管子胀接机

规格型号：
D2-B
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
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电动管子胀接机

规格型号：
D2-B
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2012年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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电动管子胀接机

规格型号：
D2-B
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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电动管子胀接机

规格型号：
D2-B
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
汕头市2010年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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电动管子胀接机

规格型号：
D2-B
价格行情：
材料单位：
台班
材料税率：
地区时间：
广州市2010年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
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微电子净化器

规格型号：
FAH01M
需求量：
1台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
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不含税费 | 不含运费
询价时间：
2022-06-23

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微电子净化器

规格型号：
FAH03M
需求量：
2台
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 不含运费
询价时间：
2022-06-23

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电子图书

规格型号：
1.图书数量:中文电子图书镜像安装20000册,提供给采购单位采选的电子书书目≧150万种; 2.图书格式:图书主要以pdf 双文本国际公开标准格式保存,不可为私人模式以保持图书原有的版式,电子
需求量：
2000册
报价数：
1
材料品牌：
中版行知 XZTS V6.0/弘文 HWST V5.0/匡九羽 JYZY-V1.0
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-03-02

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电子图书

规格型号：
多媒体电子图书馆系统(含30万册图书)
需求量：
1个
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-05-26

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电子图书

规格型号：
30万册专业电子图书软件
需求量：
1套
报价数：
3
材料品牌：
无品牌限制
材料档次：
中高档
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含税费 | 含运费
询价时间：
2020-12-09

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微电子概论内容简介

本书是普通高等教育“十五”国家级规划教材。全书共7章，以硅集成电路为中心，重点介绍集成器件物理基础、集成电路制作工艺、集成电路设计和微电子系统设计、集成电路计算机辅助设计（CAD）。 本书适用于非微电子专业的电子信息科学类和电气信息类的本科生和研究生，也可供从事线路和系统集成化工作的技术人员参考。

微电子概论图书目录常见问题

建筑施工的图书目录

第2版前言第1版前言第1章　土方工程1.1　土的分类与工程性质1.2　场地平整、土方量计算与土方调配1.3　基坑土方开挖准备与降排水1.4　基坑边坡与坑壁支护1.5　土方工程的机械化施工复习思考题第2...
绿色建筑的图书目录

第一篇综合篇第一章绿色建筑的理念与实践第二章绿色建筑评价标识总体情况第三章发挥“资源”优势，推进绿色建筑发展第四章绿色建筑委员会国际合作情况第五章上海世博会园区生态规划设计的研究与实践第六...
世界现代设计史的图书目录

前言第一章现代设计和现代设计教育现代设计的发展现代设计教育第二章现代设计的萌芽与“工艺美术”运动工业革命初期的设计发展状况英国“工艺美术”运动第三章 “新艺术”运动“新艺术”运动的背景法国的“新艺...

微电子概论图书目录文献

电厂图书目录

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页数： 40页

柜号序号 G1 1 G1 2 G1 3 G2 4 G2 5 G2 6 G2 7 G2 8 G2 9 G1 10 G2 11 G2 12 G2 13 G2 14 G1 15 G1 16 G1 17 G2 18 G2 19 G2 20 G1 21 G3 22 G3 23 G3 24 G3 25 G3 26 G3 27 G1 28 G1 29 G3 30 G3 31 G2 32 G2 33 G2 34 G2 35 G2 36 G2 37 G2 38 下右 39 下右 40 下右 41 下右 42 下右 43 下右 44 下右 45 下右 46 下右 47 下右 48 下右 49 下右 50 下右 51 下右 52 下右 53 下左 54 下左 55 下左 56 下左 57 下左 58 下左 59 下左 60 下左 61 下左 62 下左 63 下左 64 下左 65 下左 66 下左 67 下

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工程常用图书目录

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页数： 5页

1 工程常用图书目录（电气、给排水、暖通、结构、建筑）序号图书编号图书名称价格（元）备注 JTJ-工程 -24 2009JSCS-5 全国民用建筑工程设计技术措施－电气 128 JTJ-工程 -25 2009JSCS-3 全国民用建筑工程设计技术措施－给水排水 136 JTJ-工程 -26 2009JSCS-4 全国民用建筑工程设计技术措施－暖通空调 ?动力 98 JTJ-工程 -27 2009JSCS-2 全国民用建筑工程设计技术措施－结构（结构体系） 48 JTJ-工程 -28 2007JSCS-KR 全国民用建筑工程设计技术措施节能专篇－暖通空调 ?动力 54 JTJ-工程 -29 11G101-1 混凝土结构施工图平面整体表示方法制图规则和构造详图（现浇混凝土框架、剪力墙、框架 -剪力墙、框支剪力墙结构、现浇混凝土楼面与屋面板） 69 代替 00G101

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微电子概论（第2版）目录

第1章概论 1.1 微电子技术和集成电路的发展历程 1.1.1 微电子技术与半导体集成电路 1.1.2 发展历程 1.1.3 发展特点和技术经济规律 1.2 集成电路的分类 1.2.1 按电路功能分类 1.2.2 按电路结构分类 1.2.3 按有源器件结构和工艺分类 1.2.4 按电路的规模分类 1.3 集成电路制造特点和本书学习要点 1.3.1 电路系统设计 1.3.2 版图设计和优化 1.3.3 集成电路的加工制造 1.3.4 集成电路的封装 1.3.5 集成电路的测试和分析 第2章集成器件物理基础 2.1 半导体及其能带模型 2.1.1 半导体及其共价键结构 2.1.2 半导体的能带模型 2.1.3 费米分布函数 2.2 半导体导电性与半导体方程 2.2.1 本征半导体 2.2.2 非本征载流子 2.2.3 半导体中的电流 2.2.4 非平衡载流子与载流子寿命 2.2.5 半导体基本方程 2.3 pn结和pn结二极管 2.3.1 平衡状态下的pn结 2.3.2 pn结的单向导电性 2.3.3 pn结直流伏安特性 2.3.4 pn结二极管的交流小信号特性 2.3.5 pn结击穿 2.3.6 二极管等效电路模型和二极管应用 2.3.7 pn结应用 2.3.8 其他半导体二极管 2.4 双极型晶体管 2.4.1 双极晶体管的直流放大原理 2.4.2 影响晶体管直流特性的其他因素 2.4.3 晶体管的击穿电压 2.4.4 晶体管的频率特性 2.4.5 晶体管的功率特性 2.4.6 晶体管模型和模型参数 2.5 JFET与MESFET器件基础 2.5.1 器件结构与电流控制原理 2.5.2 JFET直流输出特性的定性分析 2.5.3 JFET的直流转移特性 2.5.4 JFET直流特性定量表达式 2.5.5 JFET的器件类型和电路符号 2.5.6 JFET等效电路和模型参数 2.6 MOS场效应晶体管 2.6.1 MOS晶体管结构 2.6.2 MOS晶体管工作原理 2.6.3 MOS晶体管直流伏安特性定量结果 2.6.4 MOS晶体管的阈值电压 2.6.5 4种类型MOS晶体管的对比分析 2.6.6 MOS晶体管模型和模型参数 2.6.7 影响MOSFET器件特性的非理想因素 2.6.8 CMOS晶体管 2.6.9 现代IC中的先进MOS结构 2.7 异质结半导体器件 2.7.1 异质结 2.7.2 异质结双极晶体管(HBT) 2.7.3 高电子迁移率晶体管(HEMT) 练习 第3章集成电路制造工艺 3.1 硅平面工艺基本流程 3.1.1 平面工艺的基本概念 3.1.2 pn结隔离双极IC工艺基本流程 3.1.3 平面工艺中的基本工艺 3.2 氧化工艺 3.2.1 SiO2薄膜在集成电路中的作用 3.2.2 SiO2生长方法 3.2.3 氮化硅薄膜的制备 3.2.4 SiO2膜质量要求和检验方法 3.2.5 氧化技术面临的挑战 3.3 掺杂方法之一——扩散工艺 3.3.1 扩散原理 3.3.2 常用扩散方法简介 3.3.3 扩散层质量检测 3.3.4 扩散工艺与集成电路设计的关系 3.4 掺杂方法之二——离子注入技术 3.4.1 离子注入技术的特点 3.4.2 离子注入设备 3.4.3 离子注入退火 3.4.4 离子注入杂质分布 3.5 光刻和刻蚀工艺 3.5.1 光刻工艺的特征尺寸——工艺水平的标志 3.5.2 光刻和刻蚀工艺基本过程 3.5.3 超微细图形的光刻技术 3.6 制版工艺 3.6.1 集成电路生产对光刻版的质量要求 3.6.2 制版工艺过程 3.6.3 光刻掩膜版的检查 3.7 外延工艺 3.7.1 外延生长原理 3.7.2 外延层质量要求 3.7.3 分子束外延生长技术 3.8 金属化工艺 3.8.1 金属材料的选用 3.8.2 金属化互连系统结构 3.8.3 金属层淀积工艺 3.8.4 平面化 3.8.5 合金化 3.9 引线封装 3.9.1 后工序加工流程 3.9.2 超声键合 3.9.2 封装 3.10 隔离技术 3.10.1 MOS IC的隔离 3.10.2 双极IC中的基本隔离技术 3.11 绝缘物上硅 3.11.1 SOI技术 3.11.2 注氧隔离技术(Seperation by Implantation of Oxygen SIMOX) 3.11.3 硅片粘合技术(Wafer Bonding Technique) 3.12 CMOS集成电路工艺流程 3.12.1 CMOS工艺 3.12.2 典型N阱CMOS工艺流程 第4章集成电路设计 4.1 集成电路版图设计规则 4.1.1 λ设计规则 4.1.2 微米设计规则 4.2 集成电路中的无源元件 4.2.1 集成电阻 4.2.2 集成电容 4.2.3 片上电感 4.2.4 互连线 4.3 双极集成器件和电路设计 4.3.1 双极晶体管结构 4.3.2 双极晶体管的寄生参数 4.3.3 NPN晶体管纵向结构设计 4.3.4 NPN晶体管横向结构设计 4.3.5 双极集成电路版图设计 4.3.6 版图设计实例 4.4 CMOS集成器件和电路设计 4.4.1 硅栅CMOS器件 4.4.2 CMOS电路中的寄生效应 4.4.3 CMOS版图设计实例 4.5 双极和CMOS集成电路比较 习题 第5章微电子系统设计 5.1 双极数字电路单元电路设计 5.1.1 TTL电路 5.1.2 ECL电路和I2L电路 5.2 CMOS数字电路单元电路设计 5.2.1 静态CMOS电路 5.2.2 CMOS有比电路和动态电路 5.3 半导体存储器电路 5.3.1 只读存储器 5.3.2 随机存取存储器 5.4 专用集成电路（ASIC）设计方法 5.4.1 全定制设计方法 5.4.2 半定制设计方法 5.4.3 可编程逻辑设计方法 5.5 SoC设计方法 5.5.1 SoC的设计过程 5.5.2 SoC的设计问题 习题 第6章电子设计自动化 6.1 EDA的基本概念 6.1.1 电子设计自动化 6.1.2 EDA技术的优点 6.1.3 现代集成电路设计方法 6.2 数字系统EDA技术 6.2.1 传统ASIC设计流程 6.2.2 并行交互式数字集成电路设计流程 6.2.3 IP核 6.3 数字集成电路设计平台 6.3.1 EDA工具软硬件平台 6.3.2 数字集成电路设计关键工具简介 6.3.3 版图数据文件生成 6.4 数字集成电路设计实例 6.4.1 UART IP功能规划 6.4.2 系统规划 6.4.3 UART IP核工作过程 6.4.4 代码设计 6.4.5 仿真验证 6.4.6 电路综合 6.4.7 可测性设计 6.5 模拟与射频集成电路CAD技术 6.5.1 模拟集成电路和系统的特点 6.5.2 模拟集成电路设计流程 6.5.3 模拟电路和系统设计平台 6.5.4 模拟集成电路的模拟仿真 6.5.5 模拟CAD技术研究方向 6.5.6 射频集成电路设计工具简介 6.6 模拟集成电路设计实例 6.6.1 电路图设计与参数估算 6.6.2 电路仿真 6.6.3 版图设计 6.7 工艺和器件模拟以及统计分析 6.7.1 工艺模拟 6.7.2 器件模拟 6.7.3 集成电路的统计模拟 6.7.4 集成电路的统计设计 思考题 参考文献

微电子概论（第2版）图书内容

本书系普通高等教育“十一五”国家级规划教材。全书共6章，以硅集成电路为中心，重点介绍半导体集成器件物理基础、集成电路制造基本工艺及其发展、集成电路设计和微电子系统设计、集成电路计算机辅助设计(CAD)。 本书适用于非微电子专业的电子信息科学类和电气信息类的本科生和研究生的教材，也可供从事线路和系统集成化工作的技术人员参考，特别是对于将要从事集成化工作的非微电子专业毕业的工程技术人员，本书更是一本合适的入门教材。 读者对象：本书适用于非微电子专业的电子信息科学类和电气信息类的本科生和研究生的教材，也可供从事线路和系统集成化工作的技术人员参考，特别是对于将要从事集成化工作的非微电子专业毕业的工程技术人员。

微电子制造技术概论图书目录

第1章集成电路制造技术概论 1.1 集成电路的发展历史与趋势 1.2 微结构的概念 1.3 微结构制造流程举例 小结 参考文献 第2章新材料生成类工艺 2.1 化学气相淀积 2.2 物理淀积 2.3 硅外延和多晶硅的化学气相淀积 2.4 化学气相淀积SiO2薄膜 2.5 化学气相淀积氮化硅薄膜 2.6 金属化 2.7 薄膜的台阶覆盖 2.8 薄膜测量 2.9 真空技术 小结 参考文献 第3章改变材料层属性的工艺（I） 3.1 热氧化 3.2 杂质扩散 3.3 离子注入 3.4 金属硅化物 小结 参考文献 第4章改变材料层属性的工艺（II） 4.1 刻蚀 4.2 刻蚀设备 4.3 刻蚀机的操作编程 4.4 其他的材料去除工艺 小结 参考文献 第5章定位工艺技术 5.1 光刻工艺过程 5.2 曝光原理 5.3 光刻机的结构组成 5.4 光刻机的使用维护 5.5 其他光刻工艺设备 小结 参考文献 第6章流程运行调度技术 6.1 调度问题概述 6.2 流水线式调度 6.3 流水线式调度特点及应用的讨论 小结 参考文献 第7章新颖性工艺技术前瞻 7.1 SiGe材料、器件与电路 7.2 应变硅材料与器件 7.3 ALD工艺技术 7.4 激光退火与超浅结制作 小结 参考文献

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