严利人，先后从事集成电路工艺参数测试、氧化扩散、光刻、工艺设备、流程管理等VLSl制造实践工作。目前主要的研究方向为工艺分析诊断、光刻工艺设备及工艺技术、VLSl自动化制造等，并在VLSl自动化制造系统的研究和工艺流程开发规律、自动流程卡生成、高效率工艺调度等方面取得阶段性成果。

第1章 集成电路制造技术概论

1.1 集成电路的发展历史与趋势

1.2 微结构的概念

1.3 微结构制造流程举例

小结

参考文献

第2章 新材料生成类工艺

2.1 化学气相淀积

2.2 物理淀积

2.3 硅外延和多晶硅的化学气相淀积

2.4 化学气相淀积SiO2薄膜

2.5 化学气相淀积氮化硅薄膜

2.6 金属化

2.7 薄膜的台阶覆盖

2.8 薄膜测量

2.9 真空技术

小结

参考文献

第3章 改变材料层属性的工艺（I）

3.1 热氧化

3.2 杂质扩散

3.3 离子注入

3.4 金属硅化物

小结

参考文献

第4章 改变材料层属性的工艺（II）

4.1 刻蚀

4.2 刻蚀设备

4.3 刻蚀机的操作编程

4.4 其他的材料去除工艺

小结

参考文献

第5章 定位工艺技术

5.1 光刻工艺过程

5.2 曝光原理

5.3 光刻机的结构组成

5.4 光刻机的使用维护

5.5 其他光刻工艺设备

小结

参考文献

第6章 流程运行调度技术

6.1 调度问题概述

6.2 流水线式调度

6.3 流水线式调度特点及应用的讨论

小结

参考文献

第7章 新颖性工艺技术前瞻

7.1 SiGe材料、器件与电路

7.2 应变硅材料与器件

7.3 ALD工艺技术

7.4 激光退火与超浅结制作

小结

参考文献

本书介绍和描述了集成电路工艺制造的成套工艺流程和各工艺单步的技术内容。对于流程的介绍，除举例和说明一般性流程特点之外，专有一章说明了流程调度实施的技术与算法；对于各工艺单步，首先根据各单项工艺技术的作用进行了粗略分类，在此基础上，从工艺原理、工艺设备技术特点、实践操作等不同侧面，进行了略做扩展的描述。

本书可作为集成电路制造相关专业的本科生和研究生教材，也可供相关专业人士参考。

第1章 概论

1.1 微电子技术和集成电路的发展历程

1.1.1 微电子技术与半导体集成电路

1.1.2 发展历程

1.1.3 发展特点和技术经济规律

1.2 集成电路的分类

1.2.1 按电路功能分类

1.2.2 按电路结构分类

1.2.3 按有源器件结构和工艺分类

1.2.4 按电路的规模分类

1.3 集成电路制造特点和本书学习要点

1.3.1 电路系统设计

1.3.2 版图设计和优化

1.3.3 集成电路的加工制造

1.3.4 集成电路的封装

1.3.5 集成电路的测试和分析

第2章 集成器件物理基础

2.1 半导体及其能带模型

2.1.1 半导体及其共价键结构

2.1.2 半导体的能带模型

2.1.3 费米分布函数

2.2 半导体导电性与半导体方程

2.2.1 本征半导体

2.2.2 非本征载流子

2.2.3 半导体中的电流

2.2.4 非平衡载流子与载流子寿命

2.2.5 半导体基本方程

2.3 pn结和pn结二极管

2.3.1 平衡状态下的pn结

2.3.2 pn结的单向导电性

2.3.3 pn结直流伏安特性

2.3.4 pn结二极管的交流小信号特性

2.3.5 pn结击穿

2.3.6 二极管等效电路模型和二极管应用

2.3.7 pn结应用

2.3.8 其他半导体二极管

2.4 双极型晶体管

2.4.1 双极晶体管的直流放大原理

2.4.2 影响晶体管直流特性的其他因素

2.4.3 晶体管的击穿电压

2.4.4 晶体管的频率特性

2.4.5 晶体管的功率特性

2.4.6 晶体管模型和模型参数

2.5 JFET与MESFET器件基础

2.5.1 器件结构与电流控制原理

2.5.2 JFET直流输出特性的定性分析

2.5.3 JFET的直流转移特性

2.5.4 JFET直流特性定量表达式

2.5.5 JFET的器件类型和电路符号

2.5.6 JFET等效电路和模型参数

2.6 MOS场效应晶体管

2.6.1 MOS晶体管结构

2.6.2 MOS晶体管工作原理

2.6.3 MOS晶体管直流伏安特性定量结果

2.6.4 MOS晶体管的阈值电压

2.6.5 4种类型MOS晶体管的对比分析

2.6.6 MOS晶体管模型和模型参数

2.6.7 影响MOSFET器件特性的非理想因素

2.6.8 CMOS晶体管

2.6.9 现代IC中的先进MOS结构

2.7 异质结半导体器件

2.7.1 异质结

2.7.2 异质结双极晶体管(HBT)

2.7.3 高电子迁移率晶体管(HEMT)

练习

第3章 集成电路制造工艺

3.1 硅平面工艺基本流程

3.1.1 平面工艺的基本概念

3.1.2 pn结隔离双极IC工艺基本流程

3.1.3 平面工艺中的基本工艺

3.2 氧化工艺

3.2.1 SiO2薄膜在集成电路中的作用

3.2.2 SiO2生长方法

3.2.3 氮化硅薄膜的制备

3.2.4 SiO2膜质量要求和检验方法

3.2.5 氧化技术面临的挑战

3.3 掺杂方法之一——扩散工艺

3.3.1 扩散原理

3.3.2 常用扩散方法简介

3.3.3 扩散层质量检测

3.3.4 扩散工艺与集成电路设计的关系

3.4 掺杂方法之二——离子注入技术

3.4.1 离子注入技术的特点

3.4.2 离子注入设备

3.4.3 离子注入退火

3.4.4 离子注入杂质分布

3.5 光刻和刻蚀工艺

3.5.1 光刻工艺的特征尺寸——工艺水平的标志

3.5.2 光刻和刻蚀工艺基本过程

3.5.3 超微细图形的光刻技术

3.6 制版工艺

3.6.1 集成电路生产对光刻版的质量要求

3.6.2 制版工艺过程

3.6.3 光刻掩膜版的检查

3.7 外延工艺

3.7.1 外延生长原理

3.7.2 外延层质量要求

3.7.3 分子束外延生长技术

3.8 金属化工艺

3.8.1 金属材料的选用

3.8.2 金属化互连系统结构

3.8.3 金属层淀积工艺

3.8.4 平面化

3.8.5 合金化

3.9 引线封装

3.9.1 后工序加工流程

3.9.2 超声键合

3.9.2 封装

3.10 隔离技术

3.10.1 MOS IC的隔离

3.10.2 双极IC中的基本隔离技术

3.11 绝缘物上硅

3.11.1 SOI技术

3.11.2 注氧隔离技术(Seperation by Implantation of Oxygen SIMOX)

3.11.3 硅片粘合技术(Wafer Bonding Technique)

3.12 CMOS集成电路工艺流程

3.12.1 CMOS工艺

3.12.2 典型N阱CMOS工艺流程

第4章 集成电路设计

4.1 集成电路版图设计规则

4.1.1 λ设计规则

4.1.2 微米设计规则

4.2 集成电路中的无源元件

4.2.1 集成电阻

4.2.2 集成电容

4.2.3 片上电感

4.2.4 互连线

4.3 双极集成器件和电路设计

4.3.1 双极晶体管结构

4.3.2 双极晶体管的寄生参数

4.3.3 NPN晶体管纵向结构设计

4.3.4 NPN晶体管横向结构设计

4.3.5 双极集成电路版图设计

4.3.6 版图设计实例

4.4 CMOS集成器件和电路设计

4.4.1 硅栅CMOS器件

4.4.2 CMOS电路中的寄生效应

4.4.3 CMOS版图设计实例

4.5 双极和CMOS集成电路比较

习题

第5章 微电子系统设计

5.1 双极数字电路单元电路设计

5.1.1 TTL电路

5.1.2 ECL电路和I2L电路

5.2 CMOS数字电路单元电路设计

5.2.1 静态CMOS电路

5.2.2 CMOS有比电路和动态电路

5.3 半导体存储器电路

5.3.1 只读存储器

5.3.2 随机存取存储器

5.4 专用集成电路（ASIC）设计方法

5.4.1 全定制设计方法

5.4.2 半定制设计方法

5.4.3 可编程逻辑设计方法

5.5 SoC设计方法

5.5.1 SoC的设计过程

5.5.2 SoC的设计问题

习题

第6章 电子设计自动化

6.1 EDA的基本概念

6.1.1 电子设计自动化

6.1.2 EDA技术的优点

6.1.3 现代集成电路设计方法

6.2 数字系统EDA技术

6.2.1 传统ASIC设计流程

6.2.2 并行交互式数字集成电路设计流程

6.2.3 IP核

6.3 数字集成电路设计平台

6.3.1 EDA工具软硬件平台

6.3.2 数字集成电路设计关键工具简介

6.3.3 版图数据文件生成

6.4 数字集成电路设计实例

6.4.1 UART IP功能规划

6.4.2 系统规划

6.4.3 UART IP核工作过程

6.4.4 代码设计

6.4.5 仿真验证

6.4.6 电路综合

6.4.7 可测性设计

6.5 模拟与射频集成电路CAD技术

6.5.1 模拟集成电路和系统的特点

6.5.2 模拟集成电路设计流程

6.5.3 模拟电路和系统设计平台

6.5.4 模拟集成电路的模拟仿真

6.5.5 模拟CAD技术研究方向

6.5.6 射频集成电路设计工具简介

6.6 模拟集成电路设计实例

6.6.1 电路图设计与参数估算

6.6.2 电路仿真

6.6.3 版图设计

6.7 工艺和器件模拟以及统计分析

6.7.1 工艺模拟

6.7.2 器件模拟

6.7.3 集成电路的统计模拟

6.7.4 集成电路的统计设计

思考题

参考文献

本书是普通高等教育“十五”国家级规划教材。全书共7章，以硅集成电路为中心，重点介绍集成器件物理基础、集成电路制作工艺、集成电路设计和微电子系统设计、集成电路计算机辅助设计（CAD）。

本书适用于非微电子专业的电子信息科学类和电气信息类的本科生和研究生，也可供从事线路和系统集成化工作的技术人员参考。

第1章 概论

1.1 微电子技术和集成电路的发展历程

1.1.1 电子技术与半导体集成电路

1.1.2 发展历程

1.1.3 发展特点和技术经济规律

1.2 集成电路的分类

1.2.1 按电路功能分类

1.2.2 按电路结构分类

1.2.3 按有源器件结构和工艺分类

1.2.4 按电路的规模分类

1.3 集成电路制造特点和本书学习要点

1.3.1 电路系统设计

1.3.2 版图设计和优化

1.3.3 集成电路的加工制造

1.3.4 集成电路的封装

1.3.5 集成电路的测试和分析

第2章 集成器件物理基础

2.1 半导体及其能带模型

2.1.1 半导体及其共价键结构

2.1.2 半导体的能带模型

2.1.3 费米分布函数

2.2 半导体的导电性

2.2.1 本征半导体

2.2.2 非本征载流子

2.2.3 半导体中的漂移电流

2.2.4 半导体中的扩散电流

2.2.5 半导体中的电流

2.2.6 半导体基本方程

2.3 PN结和晶体二极管

2.3.1 平衡状态下的PN结

2.3.2 PN结的单向导电性

2.3.3 理想PN结模型及其伏－安特性

2.3.4 PN结电容

2.3.5 PN结击穿

2.3.6 二极管等效电路模型和二极管应用

2.3.7 PN结应用

2.3.8 其他半导体二极管

2.4 双极型晶体管

2.4.1 双极晶体管的直流放大原理

2.4.2 影响晶体管直流特性的其他因素

2.4.3 晶体管的击穿电压

2.4.4 晶体管的频率特性

2.4.5 晶体管模型和模型参数

2.4.6 异质结双极晶体管（HBT）

2.5 JFIZT与MESFET器件基础

2.5.1 器件结构与电流控制原理

2.5.2 JFET直流轮出特性的定性分析

2.5.3 JFET的直流转移特性

2.5.4 JFET的器件类型和电路符号

2.5.5 JFET直流特性定量表达式

2.5.6 JFET等效电路和模型参数

2.6 MOS场效应晶体管

2.6.1 MOS晶体管结构

2.6.2 MOS晶体管工作原理

2.6.3 MOS晶体管直流伏安特性定量结果

2.6.4 MOS晶体管的阈值电压

2.6.5 MOS晶体管特点

2.6.6 MOS晶体管模型和模型参数

2.6.7 硅栅MOS结构和自对准技术

2.6.8 高电子迁移率晶体管（HEMT）

习题

第3章 集成电路制造工艺

3.1 硅平面工艺基本流程

……

第4章 集成电路设计

第5章 微电子系统设计

第6章 集成电路计算机辅助设计

第7章 IC设计举例与设计实践