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微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究结题摘要

微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究结题摘要

薄膜晶体管（TFT）是主动驱动平板显示的核心元件，微晶硅TFT性能优于非晶硅，制作工艺比多晶硅简单，是实现AM-OLED的方案之一。我们的研究由单个TFT器件，到TFT器件的集成，最终实现7英寸的TFT-OLED 显示屏。主要结果如下。一．微晶硅TFT 器件的研究 1.有源层的研究；（a）研究了生长条件如氢稀释浓度、衬底温度、功率密度和反应气体压强对微晶硅晶化率的影响。（b）采用PECVD双倍频（27.12MHz）直接生长微晶硅薄膜：采用双倍频技术提升微晶硅薄膜的沉积速率，改善薄膜的晶化率，直接生长出高质量的微晶硅薄膜。 2.绝缘层的研究:(a)通过优化工艺参数从而调节表面的粗糙度及薄膜的折射率。将SiNx的折射率控制在1.85-1.90之间，有利于生长高质量的微晶硅薄膜.(b)SiNx绝缘层采用沉积速率“先快后慢”两步沉积工艺，改善绝缘层/有源层之间的界面态， 3.界面的改善:(a) SiNx绝缘层表面采用plasma处理，改善了器件的关态电流，提高开关比，降低了阈值电压。（b）双有源层结构：采用a-Si/uc-Si复合结构薄膜代替uc-Si薄膜作为有源层，改善了关态电流，由6x10-10 A 降到 6x10-12 A. 4．基于无重掺杂的新型源漏电极的微晶硅TFT研究：为了避免传统重掺杂电极使用磷烷硼烷等有毒气体，研制安全的欧姆电极.(a)采用铝合金作为源漏电极我们采用铝合金作用源漏电极。(b)制备 Al/LiF源漏电极。在Al电极与μc-Si之间插入LiF薄层，制成Al/LiF源漏电极，其电子注入势垒由Al电极的0.512eV降到0.12eV。优化后TFT性能：迁移率0.5cm2/V.s，阈值电压0.59V，开关比大于106 。二．TFT 基板的制作：（a）像素采用2T1C 结构设计。基板尺寸：7英寸。分辨率：VGA 640×RGB（H）×480（V）。驱动电压：6-13V。像素大小：222um×74um。（b）工艺：6 MASK 工艺：制作栅极；形成硅岛；制作源漏电极及沟道；接触孔；制作像素电极 (ITO)；制作平坦化层。三．TFT-OLED显示屏的制作。在TFT基板上制备OLED 得到7inch AMOLED彩色显示屏。分辨率：640X480；亮度：165 cd/m2；NTSC：65.5%。项目圆满完成.

微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究造价信息

市场价
信息价
询价

微型光管

规格型号：
8W WG-8 NFL08-T4
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
雷士
材料税率：
13%
供应商：
雷士照明有限公司(广州办事处)
报价时间：
2022-12-07

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微型光管

规格型号：
8W WG-8 NFL08-T4
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
雷士
材料税率：
13%
供应商：
雷士照明海南海口办事处
报价时间：
2022-12-07

查看价格

微型光管

规格型号：
16W WG-16 NFL16-T4
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
雷士
材料税率：
13%
供应商：
雷士照明有限公司(广州办事处)
报价时间：
2022-12-07

查看价格

微型光管

规格型号：
16W WG-16 NFL16-T4
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
雷士
材料税率：
13%
供应商：
雷士照明海南海口办事处
报价时间：
2022-12-07

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微波灯管

规格型号：
品种:LED灯;产品编码:RJE0H402200183004J;工作电压(V):220;说明1:1.2M微博感应双端标准25×1;灯体尺寸(
价格行情：
材料单位：
套
材料品牌：
佛山照明
材料税率：
13%
供应商：
安徽智荟欣兴商贸有限责任公司
报价时间：
2022-12-07

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多乐士ICI家的丽

规格型号：
价格行情：
材料单位：
L
材料税率：
地区时间：
清远市英德市2008年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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风化程度较低的片石

规格型号：
粒径大于15CM
价格行情：
材料单位：
m³
材料税率：
地区时间：
揭阳市揭西县2018年2月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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风化程度较低的片石

规格型号：
粒径大于15cm
价格行情：
材料单位：
m³
材料税率：
地区时间：
揭阳市揭西县2017年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

查看价格

风化程度较低的片石

规格型号：
粒径大于15cm
价格行情：
材料单位：
m³
材料税率：
地区时间：
揭阳市揭西县2017年4月信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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风化程度较低的片石

规格型号：
粒径大于15cm
价格行情：
材料单位：
m³
材料税率：
地区时间：
揭阳市揭西县2017年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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充氩气(在中空处理的基础上增加的费用)(在普通白玻基础上)

规格型号：
充氩气(在中空处理的基础上增加的费用)(在普通白玻基础上)
需求量：
1000m²
报价数：
1
材料品牌：
信义
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-03-16

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π中的数字

规格型号：
展项通过触摸屏的方式循环播放π的数列,参观者可以输入自己的生日,在π的数列中找到自己的生日.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-10-24

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π中的数字

规格型号：
展项通过触摸屏的方式循环播放π的数列,参观者可以输入自己的生日,在π的数列中找到自己的生日.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-16

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π中的数字

规格型号：
展项通过触摸屏的方式循环播放π的数列,参观者可以输入自己的生日,在π的数列中找到自己的生日.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-14

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π中的数字

规格型号：
展项通过触摸屏的方式循环播放π的数列,参观者可以输入自己的生日,在π的数列中找到自己的生日.
需求量：
1项
报价数：
1
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2022-08-15

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微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究中文摘要

薄膜晶体管（TFT）是主动驱动平板显示的核心元件，微晶硅TFT由于性能优于非晶硅，其制作工艺又与非晶硅基本相同，比多晶硅便宜，因此是当前最具竞争力的AM-OLED 的控制元件。我们将开展以下研究（1）微晶硅薄膜的新的制备和晶化研究。它具双层结构，先生长一层很薄微晶硅子晶层然后是非晶硅层；再用液相加热晶化的方法进行晶化的以期得到高质量，适合于量产的工艺。（2）欧姆接触层的研究：以插入超薄的绝缘层来代替传统n a-Si:H来实现欧姆接触；并探索其他制欧姆接触层的可能性。（3）绝缘层的研究：研究Si3N4和SiO2 绝缘层制备条件与深能级的浓度和深度，表面粗糙度的关系。（4）界面层的研究。（5）新型TFT器件结构的研究，如顶栅结构的微晶硅TFT器件的研制等。（6）微晶硅TFT与OLED的集成的研究。寻找最佳的参数及最合适的器件结构如底栅或顶栅TFT，微腔顶发射或微腔底发射OLED等。

微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究结题摘要常见问题

关于基础的若干问题？

础梁顶标高与筏板基础一平，就套满堂基础（无梁式）。若基础梁顶标高高于筏板基础，就要套有梁式满堂基础。
关于板的若干问题

按照设计走，图上画的板底受力筋伸到了支座外边线也按设计
飘窗问题若干

一，雨篷、飘窗、空调板的一般抹灰（20厚1:2水泥砂浆）套3-17，压顶的一般抹灰套2-54是正确的；二，雨篷、飘窗、空调板现实施工中的抹灰一般是板顶面、底面、侧面全抹灰的；三，雨篷工程量表达式中...

微晶硅TFT-OLED的若干基础问题的研究结题摘要文献

房地产经济若干问题的研究

房地产经济若干问题的研究

房地产经济若干问题的研究

格式：pdf

大小：109KB

页数：未知

随着我国房地产业的飞速发展，房地产业已经成为我国国民经济的支柱性产业，房地产市场成为社会主义市场体系不可或缺的重要组成部分。房地产经济的安全性关系着国家最基本的物质生活保障，以及国家整体经济发展的安全性。因此研究房地产经济对保障我国房地产业健康、快速、平稳发展，以及对确保国民经济安全性都是具有重要意义。本文通过对我国房地业的发展、房地产业发展所出现的问题，以及国家宏观调控等方面的研究，为我国房地产业的健康发展提出了若干建议。

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水利基础产业需要研究的若干问题

水利基础产业需要研究的若干问题

水利基础产业需要研究的若干问题

格式：pdf

大小：109KB

页数： 1页

“建立水利基础产业良性运行机制高级研修班”于1991年12月在哈尔滨举办。由人事部、水利部主持。该班主要围绕水利基础产业的理论、政策、体制改革和良性运行机制等课题进行了研讨。水利部严克强副部长提出关于水利基础产业需要研究的若干问题,都是实际工作中急待解决的具体政策问题。现摘录与农田水利关系较密切的25个问题以供研究讨论。

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电法勘探若干方法理论问题的研究成果摘要

“电法勘探若干方法理论问题的研究”包括两本专著：《论电法勘探若干方法、《磁电勘探法原理》。《论电法勘探若干方法理论的研究》包括论电法勘探深度；②论垂直聚焦法；③论补偿法：在以上三个问题的研单纯通过增大次极参数值（ρs、ηs等）不能提高勘探深度和地质效能以地质探测目标产生的纯异常信息值大小为基础以提高找矿效能。原理》主要包括：磁电勘探法的物理化学基础；对常见产状的矿体；系磁电异常场空间分布规律的理论曲线；阐明了异常场的正演特征和反演评审意见 1．对电法勘探深度的研究，澄清了自法国学者umberger等半个世纪以来国际间存在的混乱概念，正确解决了关于电法勘探深算方法问题，提出了关于电法勘探深度较全面、合理的新定义，指出了的三大要素，并给出了具体算例。 2．对垂直聚焦法的研究，以充依据，否定了四十年代苏联学者提出的所谓“Эаборовский效能，澄清了近半个世纪以来国内外许多研究者的错误理论（即认为垂提高电法勘探深度和克服低阻覆盖层影响），正确指出了各种垂直聚焦立找矿方法时所存在的理论问题和实际问题。运用电动力学理论（叠加理），提出了用二极（AM）法取代聚焦电位（AMA′）法及用三极联合、MNB）法取代聚焦梯度（AMNA′）法的新理论，并用实验结果予以佐证。种取代法具有异常信息大、观测精度高、生产效率和经济效益高等优点依此提高找矿效能的理论依据。3．对补偿法的研究，通过理论分析，三十年代苏联学者M·K·Овничинков提出的用补偿法在电阻化法中提高勘探深度的错误理论，否定了同向和反向变流测深法的理论反向分流法作为一种独立找矿方法时存在的严重理论问题和实际问题，对称四极法取代反向分流法或类补偿法的新理论和新方案。同时还指出提高ρs、ηs等次级参数值的各类纯异常法和资料整理方法，难以在较高电法勘探深度和地质效能的理论依据和实际问题。 4、对磁电勘探专著中除系统论述了这类方法的原理外，还以严谨的理论研究结果为基国学者S.J．Pirson等在六十年代中期发明的所谓直接找油气的新方法积分法”（U.S．Patent，3943436,March9.1976），提出了观测磁场和方案。

超高层建筑风荷载规范若干基础问题的研究基本信息

批准号 91015002 项目名称 超高层建筑风荷载规范若干基础问题的研究 项目类别 重大研究计划 申请代码 E0810 项目负责人 顾明 负责人职称 教授 依托单位 同济大学 研究期限 2010-01-01 至 2010-12-31 支持经费 50（万元）

图上若干基本NP难问题的算法研究项目摘要

本项目主要从参数算法、精确算法和近似算法的角度来研究计算机中一些基本的图问题，其中包括被称之为六个基本NP难问题的独立集和点覆盖问题，以及经典的最大流最小割问题的扩展- - 图多分割问题。这些问题非常基础，且应用相当广泛，在整个计算机学科中影响深远，同时这些问题也被研究得非常透彻，任何改进都将在计算机学科内受到强烈关注。项目申请者在这些问题上具有较强的科研基础，近两年研究获得七个当前最优的参数算法、精确算法和近似算法，并解决一个近二十年的公开难题。.参数计算是本项目主要研究方法之一，研究的是一个很难的问题在某个参数较小的时候是否存在有效算法（参数算法）。基于申请人提出的最远最小割技术和新的分支理论，本项目将有望进一步改进并简化图多分割问题的参数算法，3度图及稀疏图上独立集和点覆盖问题的各项算法。在新理论下参数计算中另一个公开难题还有望被解决。目前以上科研进展顺利，预计3年完成。

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