一种液晶玻璃基板的生产方法生产方法
参考图1所示，《一种液晶玻璃基板的生产方法》提供一种液晶玻璃基板的生产方法，该生产方法包括：
a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区1的池炉中进行高温熔融，得到熔融玻璃液；
b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区2的铂金通道中进行净化，得到净化玻璃液；
c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区3的退火炉中进行固化，得到玻璃板；
d、将步骤c所得玻璃板送入热切区4的定型炉中进行切割，然后经过热切外围区5的运输送入半包区6进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品；
其中，控制所述池炉区1操作环境压力高于大气压4-6帕，控制所述铂金区2操作环境压力高于大气压14-16帕，控制所述成型区3操作环境压力高于大气压10.5-12.5帕，控制所述热切区4操作环境压力高于大气压14-16帕，控制所述热切外围区5操作环境压力高于大气压11-13帕，控制所述半包区6操作环境压力高于大气压6-8帕。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，以所述玻璃基板原料总质量为基准，所述玻璃基板原料可以包括56-64重量％的SiO2、7-11重量％的B2O3、14-18重量％的Al2O3、0.01-10重量％的BaO、3-8重量％的CaO、0.5-8重量％的SrO、0-0.5重量％的ZnO、0-4重量％的MgO，0-0.5重量％的ZrO2和0.1-1重量％的澄清剂。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，所述池炉区1、铂金区2、成型区3、热切区4、热切外围区5和半包区6中可以各自独立地设置有压力传感器、静压箱、排风机或调节式风阀；该生产方法还可以包括：通过压力传感器探测压力并通过控制器控制静压箱、排风机或调节式风阀，从而控制所述池炉区1、铂金区2、成型区3、热切区4、热切外围区5和半包区6的操作环境压力。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，以ISO14644-1为标准，控制所述热切区4操作环境和热切外围区5操作环境的洁净等级可以为950-1050，控制所述半包区6操作环境的洁净等级可以为4850-5150。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，控制所述池炉区1操作环境的温度可以为29-31℃，控制所述铂金区2操作环境的温度可以为41-43℃，控制所述成型区3操作环境的温度可以为25-27℃，控制所述热切区4操作环境的温度可以为24-26℃，控制所述热切外围区5操作环境的温度可以为24-26℃，控制所述半包区6操作环境的温度可以为24-26℃。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，控制所述铂金区2操作环境的相对湿度可以为55-65％，控制所述热切区4操作环境的相对湿度可以为45-55％，控制所述热切外围区5操作环境的相对湿度可以为45-55％，控制所述半包区6操作环境的相对湿度可以为45-55％。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，控制所述铂金区2操作环境的露点温度可以为31-33℃。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，可以通过调节各区域总的送风量和总的排风量来控制所述池炉区1、铂金区2、成型区3、热切区4、热切外围区5和半包区6的操作环境压力。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，所述池炉中高温熔融的温度可以为1500-1600℃，所述退火炉中进行固化的温度可以为100-200℃，所述定型炉出口进行切割的温度可以为100-160℃。
根据《一种液晶玻璃基板的生产方法》，所述铂金通道中的温度可以为1200-1600℃。
以上结合附图详细描述了《一种液晶玻璃基板的生产方法》的优选实施方式，但是，《一种液晶玻璃基板的生产方法》并不限于上述实施方式中的具体细节，在《一种液晶玻璃基板的生产方法》的技术构思范围内，可以对《一种液晶玻璃基板的生产方法》的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于《一种液晶玻璃基板的生产方法》的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，《一种液晶玻璃基板的生产方法》对各种可能的组合方式不再另行说明。
此外，《一种液晶玻璃基板的生产方法》的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背《一种液晶玻璃基板的生产方法》的思想，其同样应当视为《一种液晶玻璃基板的生产方法》所公开的内容。
下面将通过实施例来进一步说明《一种液晶玻璃基板的生产方法》，但是，《一种液晶玻璃基板的生产方法》并不因此而受到任何限制 。
一种液晶玻璃基板的生产方法案例
（1）按照以下重量百分比准备玻璃基板原料：56重量％的SiO2、7重量％的B2O3、14重量％的Al2O3、0.01重量％的BaO、3重量％的CaO、0.5重量％的SrO和0.1重量％的澄清剂SnO2；
（2）在池炉区（1）、铂金区（2）、成型区（3）、热切区（4）、热切外围区（5）和半包区（6）中各自独立地设置压力传感器、静压箱、排风机或调节式风阀，通过压力传感器探测压力并通过控制器控制静压箱、排风机或调节式风阀，或者通过调节各区域总的送风量和总的排风量来控制所述池炉区（1）操作环境压力高于大气压4帕、铂金区（2）操作环境压力高于大气压14帕、成型区（3）操作环境压力高于大气压10.5帕、热切区（4）操作环境压力高于大气压14帕、热切外围区（5）操作环境压力高于大气压11帕、半包区（6）操作环境压力高于大气压6帕；以ISO14644-1为标准，控制所述热切区（4）操作环境和热切外围区（5）操作环境的洁净等级为950、半包区（6）操作环境的洁净等级为4850；控制池炉区（1）操作环境的温度为29℃、铂金区（2）操作环境的温度为41℃、成型区（3）操作环境的温度为25℃、热切区（4）操作环境的温度为24℃、热切外围区（5）操作环境的温度为24℃、半包区（6）操作环境的温度为24℃，控制铂金区（2）操作环境的露点温度为31℃；控制铂金区（2）操作环境的相对湿度为55％、热切区（4）操作环境的相对湿度为45％、热切外围区（5）操作环境的相对湿度为45％、半包区（6）操作环境的相对湿度为45％；
（3）保持各工作区生产环境条件如（2）中控制下，a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区（1）的池炉中进行1500℃的高温熔融，得到熔融玻璃液；b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区（2）的铂金通道中进行1200℃的净化，得到净化玻璃液；c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区（3）的退火炉后温度逐渐降低至100-150℃进而固化，得到玻璃板；d、将步骤c所得玻璃板送入热切区（4）的定型炉中进行切割，控制定型炉出口的切割温度为100℃；然后经过热切外围区（5）的运输送入半包区（6）进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品1 。
（1）按照以下重量百分比准备玻璃基板原料：64重量％的SiO2、11重量％的B2O3、18重量％的Al2O3、10重量％的BaO、8重量％的CaO、8重量％的SrO、0.5重量％的ZnO、4重量％的MgO，0.5重量％的ZrO2和1重量％的澄清剂SnO2；
（2）在池炉区（1）、铂金区（2）、成型区（3）、热切区（4）、热切外围区（5）和半包区（6）中各自独立地设置压力传感器、静压箱、排风机或调节式风阀，通过压力传感器探测压力并通过控制器控制静压箱、排风机或调节式风阀，同时结合调节区域总的送风量和排风量控制所述池炉区（1）操作环境压力高于大气压6帕、铂金区（2）操作环境压力高于大气压16帕、成型区（3）操作环境压力高于大气压12.5帕、热切区（4）操作环境压力高于大气压16帕、热切外围区（5）操作环境压力高于大气压13帕、半包区（6）操作环境压力高于大气压8帕；以ISO14644-1为标准，控制所述热切区（4）操作环境和热切外围区（5）操作环境的洁净等级为1050、半包区（6）操作环境的洁净等级为5150；控制池炉区（1）操作环境的温度为31℃、铂金区（2）操作环境的温度为43℃、成型区（3）操作环境的温度为27℃、热切区（4）操作环境的温度为26℃、热切外围区（5）操作环境的温度为26℃、半包区（6）操作环境的温度为26℃，控制铂金区（2）操作环境的露点温度为33℃；控制铂金区（2）操作环境的相对湿度为65％、热切区（4）操作环境的相对湿度为55％、热切外围区（5）操作环境的相对湿度为55％、半包区（6）操作环境的相对湿度为55％；
（3）保持（2）中各工作区生产环境条件控制下，a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区（1）的池炉中进行1600℃的高温熔融，得到熔融玻璃液；b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区（2）的铂金通道中进行1600℃的净化，得到净化玻璃液；c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区（3）的退火炉后温度逐渐降低至150-200℃进而固化，得到玻璃板；d、将步骤c所得玻璃板送入热切区（4）的定型炉中进行切割，控制定型炉出口的切割温度为160℃；然后经过热切外围区（5）的运输送入半包区（6）进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品2 。
（1）按照以下重量百分比准备玻璃基板原料：60重量％的SiO2、9重量％的B2O3、16重量％的Al2O3、5重量％的BaO、5重量％的CaO、4重量％的SrO、0.25重量％的ZnO、2重量％的MgO，0.25重量％的ZrO2和0.5重量％的澄清剂SnO2；
（2）在池炉区（1）、铂金区（2）、成型区（3）、热切区（4）、热切外围区（5）和半包区（6）中各自独立地设置压力传感器、静压箱、排风机或调节式风阀，通过压力传感器探测压力并通过控制器控制静压箱、排风机或调节式风阀，或者通过调节总的送风量和总的排风量控控制所述池炉区（1）操作环境压力高于大气压5帕、铂金区（2）操作环境压力高于大气压15帕、成型区（3）操作环境压力高于大气压11.5帕、热切区（4）操作环境压力高于大气压15帕、热切外围区（5）操作环境压力高于大气压12帕、半包区（6）操作环境压力高于大气压7帕；以ISO14644-1为标准，控制所述热切区（4）操作环境和热切外围区（5）操作环境的洁净等级为1000、半包区（6）操作环境的洁净等级为5000；控制池炉区（1）操作环境的温度为30℃、铂金区（2）操作环境的温度为42℃、成型区（3）操作环境的温度为26℃、热切区（4）操作环境的温度为25℃、热切外围区（5）操作环境的温度为25℃、半包区（6）操作环境的温度为25℃，控制铂金区（2）操作环境的露点温度为32℃；控制铂金区（2）操作环境的相对湿度为60％、热切区（4）操作环境的相对湿度为50％、热切外围区（5）操作环境的相对湿度为50％、半包区（6）操作环境的相对湿度为50％；
（3）保持（2）中各工作区生产环境条件控制下，a、将玻璃基板原料混合后送入池炉区（1）的池炉中进行1550℃的高温熔融，得到熔融玻璃液；b、将步骤a所得熔融玻璃液送入铂金区（2）的铂金通道中进行1400℃的净化，得到净化玻璃液；c、将步骤b所得净化玻璃液送入成型区（3）的退火炉后温度逐渐降低至100-200℃进而固化，得到玻璃板；d、将步骤c所得玻璃板送入热切区（4）的定型炉中进行切割，控制定型炉出口的切割温度为130℃；然后经过热切外围区（5）的运输送入半包区（6）进行检查后完成液晶玻璃基板的包装，得到液晶玻璃基板半成品3 。
按照实施例1的方法生产液晶玻璃基板，改变如下的控制条件：池炉区操作环境的温度24.17℃，热切区操作环境的温度为33.9℃，热切区操作环境的相对湿度为37.8％，热切区操作环境压力高于成型区操作环境压力0.2帕 。
按照实施例2的方法生产液晶玻璃基板，改变如下的控制条件：铂金区操作环境温度42℃，热切区操作环境压力高于成型区操作环境压力0.9帕，热切区操作环境温度为34.2℃，热切区操作环境的相对湿度为28.2％。
对实施例1-3及对比例1-2生产液晶玻璃基板的条纹级别、流量、玻璃应力、玻璃粉尘级别、玻璃厚度波动、翘曲波动（上端；下端）、垂度的检测值见表1。
表1：实施例1-3及对比例1-2的玻璃基板数值检测表
由表1可以看出，《一种液晶玻璃基板的生产方法》的液晶玻璃基板生产方法能够保证液晶玻璃的正常、连续生产，生产出的液晶玻璃基板具有非常好的品质。
以上描述了《一种液晶玻璃基板的生产方法》的优选实施方式，但是，《一种液晶玻璃基板的生产方法》并不限于上述实施方式中的具体细节，在《一种液晶玻璃基板的生产方法》的技术构思范围内，可以对《一种液晶玻璃基板的生产方法》的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于《一种液晶玻璃基板的生产方法》的保护范围。
另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，《一种液晶玻璃基板的生产方法》对各种可能的组合方式不再另行说明 。
TFT-LCD液晶玻璃生产研磨机工艺介绍
液晶玻璃基板工艺
一种液晶玻璃基板的生产方法发明内容