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锗硅合金可能存在问题

锗硅合金可能存在问题

为实现最佳fT和运行速率，需要的电流密度比Si的高,这将产生更多的热量。不过，SiGe的热导率比较大，而且可通过光刻来减小发射极宽度以降低热阻。 2) 随着fT的提高,击穿电压将降低。故较适于低电压使用(<6~7V，这对于数字电路是很有利的)。

锗硅合金造价信息

市场价
信息价
询价

镁铝硅合金板

规格型号：
品种:菱镁平板;规格(mm):60×30×0.6;
价格行情：
材料单位：
m²
材料品牌：
港莎
材料税率：
13%
供应商：
重庆港莎进出口贸易有限公司
报价时间：
2022-12-06

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铝镁硅合金板

规格型号：
品种:铝镁硅合金板;规格(mm):0.7×65-420
价格行情：
材料单位：
m²
材料品牌：
VST
材料税率：
13%
供应商：
澳洲VST集团（重庆）港沙公司
报价时间：
2022-12-06

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铝镁硅合金板

规格型号：
品种:铝镁硅合金板;规格(mm):0.9×25-840
价格行情：
材料单位：
m²
材料品牌：
VST
材料税率：
13%
供应商：
澳洲VST集团（重庆）港沙公司
报价时间：
2022-12-06

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铝镁硅合金板

规格型号：
品种:铝镁硅合金板;规格(mm):0.7×25-840
价格行情：
材料单位：
m²
材料品牌：
VST
材料税率：
13%
供应商：
澳洲VST集团（重庆）港沙公司
报价时间：
2022-12-06

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铝镁硅合金板

规格型号：
厚品种:铝镁硅合金板;规格(mm):0.9×65-420
价格行情：
材料单位：
m²
材料品牌：
VST
材料税率：
13%
供应商：
澳洲VST集团（重庆）港沙公司
报价时间：
2022-12-06

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C档硅晶人造石

规格型号：
(800/600)*600*20 本地产
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年3季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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C档硅晶人造石

规格型号：
(800/600)×600×20 本地产
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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B档硅晶人造石

规格型号：
(800/600)*600*20 本地产
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2022年1季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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普通硅晶人造石

规格型号：
(800/600)×600×20 本地产
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2021年2季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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普通硅晶人造石

规格型号：
(800/600)×600×20 本地产
价格行情：
材料单位：
m²
材料税率：
地区时间：
湛江市2020年4季度信息价
所属行业：
建筑工程
备注说明：

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照度存在传感器

规格型号：
照度/存在感应传感器,总线电流10mA. 移动探测范围直径8米,照度监测范围20-1000lux, 2位灯光控制,吸顶安装.
需求量：
159台
报价数：
2
材料品牌：
思途达、西门子、西蒙、施耐德、霍尼韦尔
材料档次：
中高档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2021-06-21

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存在传感器

规格型号：
CHTFB-3.0/6.1
需求量：
6个
报价数：
1
材料品牌：
GVS
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2022-09-23

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铜硅合金

规格型号：
C69720
需求量：
1628kg
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
含税费 | 含运费
询价时间：
2015-12-24

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铜硅合金

规格型号：
C69720
需求量：
4146kg
报价数：
2
材料品牌：
材料档次：
中档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2015-11-17

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硅PU面层

规格型号：
厚度4mm:硅PU底漆+硅PU弹性铺设层+硅PU止滑面漆)
需求量：
12000m²
报价数：
3
材料品牌：
材料档次：
中高档
费用说明：
不含税费 | 含运费
询价时间：
2018-06-11

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锗硅合金新型材料应用

Si–Ge合金可以说是一种新型的半导体材料,对于微电子技术的发展具有重要的意义. ①Si–Ge合金的相图是由液相线和固相线构成的简单相图。对于50%的Si – Ge混合物，在1108oC时开始熔化, 到1272oC时完全熔化; 在1150oC下, 液相SiGe中含Si 22%, 而固相SiGe中含Si 58%. ②SiGe的电子迁移率近似与空穴迁移率相等，而且都比Si的高; SiGe在低数据速率(10Gbit/s)中优于Si . ③SiGe的热导率是GaAs的3倍,则在20GHz下工作的SiGe器件的功率,相当于Si器件的10%~20%,这可增强线性度(使噪声降低,可靠性提高). ④由于Si和Ge的电子亲和能很接近 (分别是4.00eV和4.05eV), 则Si/SiGe异质结的能带突变量基本上是ΔEv, 这对n-p-n HBT十分有利; 当Ge含量达到20%时, ΔEv将约为200 meV (~8kT) . ⑤SiGe工艺与CMOS工艺流程互相兼容，则SiGe-BiCMOS的制作也就是把宽带宽、高增益、低噪SiGe-HBT与高密度的CMOS功能性逻辑阵列(C和L无源元件)集成在一起; SiGe-BiCMOS所实现的性能几乎与Ⅲ-Ⅴ技术的相当; IBM的SiGe芯片比0.18μm的Si片性能好。 可望在OEIC(光电子集成电路)中应用:SiGe合金的本征跃迁发光波长范围是1.3μm~1.55μm, 这正是长距离光纤通信的理想波长窗口; 但是, SiGe合金是间接禁带半导体, 不能直接用作发光材料; 不过在SiGe/Si的应变超晶格中, 由于能带交叠, 将使SiGe变成直接禁带半导体, 从而可用于OELSIC。⑧组成SiGeC合金:在SiGe中加入C,可补偿晶格失配,能够改善SiGe/Si异质结的界面性能;同时,在SiGe中加入C,可调节能带结构, 造成异质结导带有较大的突变, 以增强对电子的量子限制作用, 提高载流子的辐射复合几率.

锗硅合金可能存在问题常见问题

存在问题

独立基础正常定义布置，不需要考虑柱子。
轴网存在问题

这种问题建议你电话咨询一下客服4000166166，他们可以给你详细答复。
CAD导图存在问题

这是梁的名称设计制图时被制作成CAD图块了，可在天正或CAD中把梁的名称分解；

锗硅合金可能存在问题文献

锗硅合金Y分支器的研制

锗硅合金Y分支器的研制

锗硅合金Y分支器的研制

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页数： 3页

本文介绍采用半导体平面工艺研制的Y 分支器。为减少分支处的幅射损耗,并考虑分支器波导耦合长度,Y 分支器的分支角度设计值为2 度。Y 分支器的波导结构依据大截面理论决定。经激光测量系统测试,分支器角度辐射损耗值为2dB。

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关于对原水进行予处理时可能存在的问题的分析

关于对原水进行予处理时可能存在的问题的分析

关于对原水进行予处理时可能存在的问题的分析

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大小：296KB

页数： 1页

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锗三极管硅管和锗管

三极管中硅管和锗管的区别有两点: 一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V 二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。 硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。 硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。

锗二极管锗与硅二极管

1、锗二极管正向在0.1V就开始有电流了，而硅二极 管要到0.5V才开始有电流，就是开始导通时的电压不同，锗管小，硅管大； 2、开始导通后，锗管电流增大得慢，硅管电流增大得快； 以上两点也可以总结为，锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻；但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。 在规定的正向电流下，二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最低电压 小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V；锗二极管约0.2～0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。

锗片锗性质

锗片 具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3，锗可能性划归稀散金属，锗化学性质稳定，常温下不与空气或水蒸汽作用，但在600～700℃时，很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时，锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中，锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱，但熔融的碱在空气中，能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用，所以在石墨坩埚中熔化，不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质，如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗，主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品。2100433B

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