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Si–Ge合金可以说是一种新型的半导体材料,对于微电子技术的发展具有重要的意义.
①Si–Ge合金的相图是由液相线和固相线构成的简单相图。对于50%的Si – Ge混合物,在1108oC时开始熔化, 到1272oC时完全熔化; 在1150oC下, 液相SiGe中含Si 22%, 而固相SiGe中含Si 58%.
②SiGe的电子迁移率近似与空穴迁移率相等,而且都比Si的高; SiGe在低数据速率(10Gbit/s)中优于Si .
③SiGe的热导率是GaAs的3倍,则在20GHz下工作的SiGe器件的功率,相当于Si器件的10%~20%,这可增强线性度(使噪声降低,可靠性提高).
④由于Si和Ge的电子亲和能很接近 (分别是4.00eV和4.05eV), 则Si/SiGe异质结的能带突变量基本上是ΔEv, 这对n-p-n HBT十分有利; 当Ge含量达到20%时, ΔEv将约为200 meV (~8kT) .
⑤SiGe工艺与CMOS工艺流程互相兼容,则SiGe-BiCMOS的制作也就是把宽带宽、高增益、低噪SiGe-HBT与高密度的CMOS功能性逻辑阵列(C和L无源元件)集成在一起; SiGe-BiCMOS所实现的性能几乎与Ⅲ-Ⅴ技术的相当; IBM的SiGe芯片比0.18μm的Si片性能好。
可望在OEIC(光电子集成电路)中应用:SiGe合金的本征跃迁发光波长范围是1.3μm~1.55μm, 这正是长距离光纤通信的理想波长窗口; 但是, SiGe合金是间接禁带半导体, 不能直接用作发光材料; 不过在SiGe/Si的应变超晶格中, 由于能带交叠, 将使SiGe变成直接禁带半导体, 从而可用于OELSIC。⑧组成SiGeC合金:在SiGe中加入C,可补偿晶格失配,能够改善SiGe/Si异质结的界面性能;同时,在SiGe中加入C,可调节能带结构, 造成异质结导带有较大的突变, 以增强对电子的量子限制作用, 提高载流子的辐射复合几率.
为实现最佳fT和运行速率,需要的电流密度比Si的高,这将产生更多的热量。不过,SiGe的热导率比较大,而且可通过光刻来减小发射极宽度以降低热阻。 2) 随着fT的提高,击穿电压将降低。故较适于低电压使用(<6~7V,这对于数字电路是很有利的)。
有以下很多种:1、大理石2、花岗石3、宝石装饰板4、外墙面砖5、釉面砖6、陶瓷锦砖7、地面缸砖8、钛金镀膜瓷砖9、钒钛装饰板10、玻璃系列:钠玻璃钾玻璃铝镁玻璃铅玻璃硼硅玻璃石英玻璃磨光玻璃磨砂玻璃花...
新材料是指新出现的或正在发展中的,具有传统材料所不具备的优异性能和特殊功能的材料;或采用新技术(工艺,装备),使传统材料性能有明显提高或产生新功能的材料;一般认为满足高技术产业发展需要的一些关键材料也...
新型材料有很多,并且更新非常快。从功能上分新型材料有墙体、装饰、保温、防水等,这些材料很容易有新型的材料上线。
新型材料论文
国内新型墙体材料现状有关研究 邓志轩 杨超 土木学院 土木 1006 班 摘要: 当前社会墙体材料应用范围广泛,但是以前的墙体材料存在许多缺陷, 于是各种新型墙体材料纷纷出现。 但是新型墙体材料产生的各类事件让人对其 安全性产生担心。 因此,通过对当前新型墙体材料的研究分析, 寻找出各类新 型墙体材料的优势与劣势, 寻找出相对而言更加稳定的, 适合广泛推广的材料。 同时为以后的材料研发打下基础。 关键词: 新型墙体材料 发展 1 引言 新型墙体材料品种较多,主要包括砖、块、板,如粘土空心砖、掺废料的粘土 砖、非粘土砖、 建筑砌块、 加气混凝土、 轻质板材、 复合板材等, 但数量较小, 在墙体材料中所占比例仍然偏小。只有促使各种新型体材料因地制宜快速发 展,才能改变墙体材料不合理的产品结构,达到节能、保护耕地、 利用工业废 渣、促进建筑技术的目的。 1.1 新型墙体材料发展状况 我国新型墙体
新型材料吸声地面
新型材料 吸声地面 一般的材料都有吸音效果, 仅仅是多少的区别。 而具体说到吸 音板,则是我们只把吸声系数达到 0.3以上的材料称为吸音材料。 理论上吸声系数为 1的吸音板吸音效果最好 (全部吸掉, 没有反 射声),但实际上在现实中,这样的材料不存在(宇宙里存在的 黑洞吸声系数为 1,即完全吸收) 吸音材料: 1、本身具有吸音性能,多孔纤维材料。 2、不具有吸音材料,但是经过处理成吸音结构。 一般常见的吸音材料是: 聚酯纤维吸音板,布艺吸音板,木丝吸音板,矿棉吸音板, 孔木吸音板,最新的是声博士高温陶瓷吸音板 1矿棉吸音板 图片样式 600*600mm 价 格: 32元 /平米 产 地:北京 品 牌:星牌 USG 福友 长城 规 格: 600*600/1200 产品特点:节省安装时间 视觉效果强 吸声性能好 高反光度 建议应用场所: 开放式 /封闭式办公室 零售商店 /商场 医 院
三极管中硅管和锗管的区别有两点:
一是导通电压不同硅管是0.65V锗管是0.2-0.3V
二是硅管正向电阻较大一般在几千欧。锗管正向电阻在几百欧。
硅管的热稳定性好。锗管的热稳定性差。
硅半导体材料多。现在的半导体一般都是硅管。
1、锗二极管正向在0.1V就开始有电流了,而硅二极
管要到0.5V才开始有电流,就是开始导通时的电压不同,锗管小,硅管大;
2、开始导通后,锗管电流增大得慢,硅管电流增大得快;
以上两点也可以总结为,锗管的直流电阻小于硅管的直流电阻;但是硅管的交流电阻小于锗管的交流电阻。
在规定的正向电流下,二极管的正向电压降。使二极管能够导通的正向最低电压
小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.6~0.8 V;锗二极管约0.2~0.3 V。大功率的硅二极管的正向压降往往达到1V。
锗片 |
具有半导体性质。对固体物理和固体电子学的发展超过重要作用。锗的熔密度5.32克/厘米3,锗可能性划归稀散金属,锗化学性质稳定,常温下不与空气或水蒸汽作用,但在600~700℃时,很快生成二氧化锗。与盐酸、稀硫酸不起作用。浓硫酸在加热时,锗会缓慢溶解。在硝酸、王水中,锗易溶解。碱溶液与锗的作用很弱,但熔融的碱在空气中,能使锗迅速溶解。锗与碳不起作用,所以在石墨坩埚中熔化,不会被碳所污染。锗有着良好的半导体性质,如电子迁移率、空穴迁移率等等。锗的发展仍具有很大的潜力。现代工业生产的锗,主要来自铜、铅、锌冶炼的副产品。2100433B